Либоси расмии LED аз LED inverted фарқ мекунад

Фарқи байни формати LED ва LED inverted (1). Кристали сахт: Чипи хурди насби расмӣ ба ширеше гармии изолятсия дар нуқтаи ботинии нуқтаи ботинии кронштейн ҷойгиршуда барои ислоҳ кардани чип асос ёфтааст. Раванди кристалл ба пойгоҳи кронштейн пайваст карда мешавад ва худи пойгоҳи кронштейн одатан маводи мисӣ бо гармии баланд дорад; (2). Хати кафшер: Формати микросхемаҳои хурд одатан хурд аст ва гармӣ нисбатан хурд аст, бинобар ин гармӣ нисбатан хурд аст, бинобар ин нисбатан хурд аст, бинобар ин нисбатан хурд аст. Аз ин рӯ, электродҳои мусбат ва манфиро барои кафшер истифода баред φ0.8 φСими тиллоии 0,9милл ба электродҳои мусбат ва манфии кронштейн пайваст карда шудааст; ҷараёни ронандагии чипи барқи баръакс одатан аз 350mA болотар аст ва андозаи чипи калон аст. Аз ин рӯ, барои таъмини якранг ва устувории ҷараён дар сӯзандоруи чип, он одатан дар сар ва манфии чип ҷойгир аст. Ду байни сатҳ ва сутуни ҷасури кронштейн ва кронштейн кафшер карда мешавад φ1.0 φхати тиллоии 1,25 миллион; (3). Интихоби хокаи флуоресцентӣ: микросхемаҳои хурд одатан ҷараёнро тақрибан 20 мА меронанд, дар ҳоле ки микросхемаҳои барқии инвертсионӣ умуман тақрибан 350 мА мебошанд. Аз ин рӯ, хокаи машҳури флуоресцентӣ дар бозор асосан YAG мебошад. Худи YAG тақрибан 127 C бо муқовимати ҳарорат баланд аст. Пас аз фурӯзон кардани чип, ҳарорат (TJ) аз ин ҳарорат хеле баландтар хоҳад буд. Аз ин рӯ, вақте ки паҳншавии гармӣ хуб нест, хокаи флуоресцентӣ дароз аст. Пастшавии пиршавии вақт шадид аст, аз ин рӯ тавсия дода мешавад, ки хокаи флуоресценти силикатиро бо муқовимати беҳтари ҳарорати баланд ҳангоми бастабандии чипи бастабандӣ истифода баред; (4). Интихоби коллаген: микросхемаҳои хурд бо микросхемаҳои хурд Он метавонад эҳтиёҷоти бастаро қонеъ гардонад; ва чипи барқи баръакс дорои гармии калон дорад ва бояд бо силикон печонида шавад; бо мақсади мувофиқат кардан ба шохиси шикастани субстрати сапфир ҳангоми интихоби силикон тавсия дода мешавад, ки шохиси шикастани баландтарро интихоб кунед ( > 1.51). Барои пешгирии шохиси шикастан аз паст кардани кунҷи критикии инъикоси пурра, қисми зиёди рӯшноӣ дар дохили коллоиди бастабандӣ гум мешавад; дар айни замон, чандирии силикон калон аст ва фишори гармидиҳӣ нисбат ба қатрони эпоксидӣ нисбат ба қатрони эпоксидӣ хеле хурдтар аст. Дар раванди истифода, он метавонад дар чип ва хати тиллоӣ нақши хуби муҳофизатӣ бозад, ки барои баланд бардоштани эътимоднокии тамоми маҳсулот мусоидат мекунад; Усули incapsulation, ва дар давоми раванди бастабандии чипи барқ ​​инвертсионалӣ, бо сабаби истифодаи ќавс сари ҳамвор, бо мақсади таъмини якрангии тамоми хокаи флуоресцентӣ, тавсия дода мешавад, ки раванди conformal-молидани; (6). Ташаккули пластикӣ: Чипи мусбӣ одатан дар қолаб барои пур кардани қатрони эпоксид истифода мешавад ва кронштейнро ба усули сахтшавии ҳарорати баланд ҷойгир мекунад; дар ҳоле ки чипи барқи баръакс бояд аз яке аз сӯрохиҳои воридшаванда аз линза оҳиста обёрӣ карда шавад. Усули пуркунӣ, дар ҷараёни пуркунӣ, амалиёт бояд такмил дода шавад, то нонпазӣ, тарқишҳо, қабатҳо ва дигар падидаҳо пас аз пухтан пешгирӣ карда шавад; (7). Тарҳрезии гармидиҳӣ: Микросхемаҳои мусбӣ одатан тарҳи хунуккунии иловагӣ надоранд; ва қувваи барқи инвертсионалӣ Чип одатан бояд лавҳаи асосии паҳншавии гармиро дар зери кронштейн илова кунад. Дар ҳолатҳои махсус, илова кардани як вентилятор пас аз оксигени гармӣ ба паҳншавии гармӣ; дар процесси кафшер кардани кронштейнхо ба субстратхои алюминй тавсия дода мешавад, ки харорати охани гармкунандаро бо кувваи кувваи кувваи иктидор истифода баред.