Ilbies Formali LED Huwa Differenti Mill-LED Invertit

Id-differenza bejn il-format LED u l-LED maqlub (1). Kristall solidu: Iċ-ċippa żgħira ta 'l-installazzjoni formali hija bbażata fuq il-kolla termali ta' insulazzjoni fuq il-punt ta 'ġewwa tat-tikka ta' ġewwa tal-parentesi direttament -inserted biex tiffissa ċ-ċippa. Il-proċess tal-kristall huwa konness mal-bażi tal-parentesi, u l-bażi tal-parentesi nnifisha hija ġeneralment materjal tar-ram b'konduttività termali għolja; (2). Linja tal-iwweldjar: Il-format ta 'ċipep żgħar huwa ġeneralment żgħir u s-sħana hija relattivament żgħira, għalhekk is-sħana hija relattivament żgħira, għalhekk hija relattivament żgħira, għalhekk hija relattivament żgħira. Għalhekk Uża elettrodi pożittivi u negattivi għal wieħed iwweldjat φ0.8 φIl-wajer tad-deheb 0.9mil huwa mqabbad mal-elettrodi pożittivi u negattivi tal-parentesi; il-kurrent tas-sewqan taċ-ċippa ta 'l-enerġija invertita huwa ġeneralment 'il fuq minn 350mA, u d-daqs taċ-ċippa huwa kbir. Għalhekk, sabiex tiġi żgurata l-uniformità u l-istabbiltà tal-kurrent fl-injezzjoni taċ-ċippa, ġeneralment ikun fuq ir-ras u negattiv taċ-ċippa. Żewġ iwweldjati bejn il-livell u l-arblu brave tal-parentesi u l-parentesi φ1.0 φlinja tad-deheb ta '1.25mil; (3). Għażla ta 'trab fluworexxenti: ċipep żgħar ġeneralment isuqu kurrenti f'madwar 20mA, filwaqt li ċipep ta' qawwa maqluba huma ġeneralment madwar 350mA. Għalhekk It-trab fluworexxenti popolari fis-suq huwa prinċipalment YAG. YAG innifsu huwa ta 'madwar 127 C b'reżistenza għat-temperatura għolja. Wara li ċ-ċippa tkun mixgħula, it-temperatura (TJ) tkun ferm ogħla minn din it-temperatura. Għalhekk, meta d-dissipazzjoni tas-sħana ma tkunx tajba, it-trab fluworexxenti huwa twil. L-attenwazzjoni tat-tixjiħ tal-ħin hija severa, għalhekk huwa rakkomandat li tuża trab fluworexxenti tas-silikat b'reżistenza aħjar għat-temperatura għolja matul l-ippakkjar taċ-ċippa tal-ippakkjar; (4). Għażla tal-kollaġen: ċipep żgħar b'ċipep żgħar Jista 'jissodisfa l-ħtiġijiet tal-ippakkjar; u ċ-ċippa tal-qawwa invertita għandha sħana kbira u jeħtieġ li tkun inkapsulata bis-silikon; sabiex tqabbel l-indiċi refrattiv tas-sottostrat taż-żaffir waqt l-għażla tas-silikonju, huwa rakkomandat li tagħżel indiċi rifrattiv ogħla ( > 1.51). Biex tevita li l-indiċi refrattiv ibaxxi l-angolu kritiku tar-rifless sħiħ, il-biċċa l-kbira tad-dawl jintilef ġewwa l-kollojde tal-ippakkjar; fl-istess ħin, l-elastiċità tas-silikonju hija kbira, u l-istress termali huwa ħafna iżgħar mir-reżina epoxy meta mqabbla mar-reżina epoxy minn reżina epoxy. Fil-proċess ta 'użu, jista' jkollu rwol protettiv tajjeb fiċ-ċippa u l-linja tad-deheb, li jwassal għat-titjib tal-affidabbiltà tal-prodott kollu; Il-metodu ta 'inkapsulament, u matul il-proċess ta' ippakkjar taċ-ċippa tal-qawwa invertita, minħabba l-użu ta 'parentesi tar-ras ċatti, sabiex tiġi żgurata l-uniformità tat-trab fluworexxenti kollu, huwa rakkomandat li tuża l-proċess ta' kisi konformi; (6 ). Formazzjoni tal-plastik: Ċippa pożittiva ġeneralment tintuża fil-moffa biex timla r-reżina epossidika u daħħal il-parentesi fil-metodu ta 'solidifikazzjoni f'temperatura għolja; filwaqt li ċ-ċippa ta 'l-enerġija invertita teħtieġ li tkun irrigata bil-mod minn wieħed mill-pori tad-dħul mil-lenti. Il-metodu tal-mili, matul il-proċess tal-mili, l-operazzjoni għandha tittejjeb biex jiġi evitat ħami, xquq, f'saffi u fenomeni oħra wara l-ħami; (7). Disinn tat-tisħin: Ċipep pożittivi ġeneralment ma jkollhom l-ebda disinn ta 'tkessiħ żejjed; u qawwa ta 'enerġija invertita Iċ-ċippa ġeneralment teħtieġ li żżid il-pjanċa tal-bażi tad-dissipazzjoni tas-sħana taħt il-parentesi. F'każijiet speċjali, iż-żieda ta 'fann wara s-sottostrat tad-dissipazzjoni tas-sħana għad-dissipazzjoni tas-sħana; fil-proċess tal-iwweldjar parentesi għal sottostrati tal-aluminju, huwa rakkomandat li tuża t-temperatura tal-ħadid tal-ħadid tat-tisħin bil-qawwa tal-qawwa tal-qawwa tal-qawwa.