OSRAM Opto Semiconductors соопшти дека ја предводи истражувачката група финансирана од владата за заеднички да развијат чип со висока моќност, масовно ориентиран кон пазарот со ултравиолетови (UV) предводени од ултравиолетовите (UV). Ултравиолетовата светлина може да се користи во различни примени, како што се лекување (сушење), дезинфекција, производство, медицина и животни науки. Традиционалните извори на светлина што не е ЛЕД, како што се светилките со жива пареа, имаат одредени потенцијални опасности. Покрај тоа, многу UV LED чипови на пазарот емитуваат светлина на некои корисни бранови должини без предност во трошоците. OSRAM рече: „Целта на нашата соработка е да обезбедиме UV LED диоди со висока моќност за покривање на различни апликации“. овие LED диоди на крајот ќе го заменат традиционалниот извор на УВ светлина што содржи жива. „OSRAM рече дека новиот чип со висока моќност „може да отвори и нови полиња за апликации“.

УВ е поле кое се појавува за производителите на LED диоди. Добавувачите вклучуваат rayvio, Nikkiso, vital vio, сензорска електронска технологија, LG Innotek итн. Истражувачката група предводена од OSRAM е финансирана од германското Сојузно Министерство за образование и истражување (BMBF). Се надева дека ќе развие прототип со бранова должина од околу 250 nm до 310 nm до 2020 година, покривајќи некои UV-B и UV-C спектри. Општо земено, опсегот на ултравиолетова светлина е околу 100 nm до околу 380 или 400 nm. Тоа е невидливиот дел од спектарот со кратки бранови.

OSRAM објави фотографија од UV LED чип во развој. Фотографијата доаѓа од Институтот Фердинанд Браун, Лејбниц Институт fur hochstfrequenztechnik (FBH) од Федерацијата Лајбниц во Германија. Еден од предизвиците е да се подобри ефикасноста на спектрите УВ-Б и УВ-Ц, што бара пробив во материјалите и ги проширува апликациите други отколку УВ-А лекување. Тимот предводен од ОСРАМ користи материјалниот систем на галиумиум нитрид (AlGaN). Покрај ОСРАМ, другите четири истражувачки групи се: Фердинанд Браун Институт, Лејбниз институт фур Хочстфрекенцотник (ФБХ)); Берлинскиот институт на технологијата; Лај Тек АГ; И ФБХ го подели увфотоникs NT GmbH.

OSRAM е одговорен за опсегот од 270-290-nm, FBH ја обработува епитаксијата во опсег од 290-310nm и ја обработува епитаксиалната обланда во УВ чипот; Берлинскиот Политехнички универзитет има експертиза во полето AlGaN, фокусирајќи се на опсегот од 250-270 nm; Laytec обезбедува технологија за контролирање на системите за епитаксија и плазма офорт; FBH оптимизиран дизајн на чипови, фокусирајќи се на висока струја и ефикасно ладење. Покрај тоа, тој собира податоци за процесот од други партнери и ги обезбедува на истражувачкиот тим. OSRAM рече: „излезот на светлината на новата ЛЕР се очекува да надмине 120 MW на 300 ± 10 nm, 140 MW при 280 ± 10 nm и 80 MW при 260 ± 10 nm." истражувачкиот тим, исто така, прави значителни подобрувања во однесувањето на стареењето на LED диодите за да можат да работат подолго и поекономично. "