Az OSRAM Opto Semiconductors közölte, hogy egy kormány által finanszírozott kutatócsoportot vezet egy nagy teljesítményű, tömegpiac-orientált ultraibolya (UV) led chip közös fejlesztésére. Az ultraibolya fény különféle alkalmazásokban használható, mint például a keményítés (szárítás), a fertőtlenítés, a gyártás, az orvostudomány és az élettudományok. A hagyományos nem LED-es fényforrások, mint például a higanygőzlámpák, bizonyos potenciális veszélyekkel járnak. Ezen túlmenően a piacon lévő számos UV LED-chip néhány hasznos hullámhosszon bocsát ki fényt költségelőny nélkül. Az OSRAM azt mondta: "Együttműködésünk célja nagy teljesítményű UV LED-ek biztosítása különféle alkalmazásokhoz." ezek a LED-ek végül felváltják a hagyományos, higanyt tartalmazó UV-fényforrást. "Az OSRAM azt mondta, hogy az új nagy teljesítményű chip "új alkalmazási területeket is nyithat."

Az UV a LED-gyártók feltörekvő területe. A beszállítók közé tartozik a rayvio, a Nikkiso, a vital vio, az érzékelő elektronikai technológia, az LG Innotek stb. Az OSRAM által vezetett kutatócsoportot a Német Szövetségi Oktatási és Kutatási Minisztérium (BMBF) finanszírozza. Azt reméli, hogy 2020-ra egy körülbelül 250–310 nm hullámhosszú prototípust fejlesztenek ki, amely néhány UV-B és UV-C spektrumot lefed. Általában az ultraibolya fény tartománya körülbelül 100 nm és körülbelül 380 vagy 400 nm között van. Ez a spektrum rövidhullámú láthatatlan része.

Az OSRAM kiadott egy fotót egy fejlesztés alatt álló UV LED chipről. A fotó a német Leibniz Föderáció Leibniz Institut fur hochstfrequenztechnik (FBH) Ferdinand Braun Intézetétől származik. Az egyik kihívás az UV-B és UV-C spektrumok hatékonyságának javítása, ami áttörést igényel az anyagok terén, és kiterjeszti az egyéb alkalmazásokat is. mint az UV-A térhálósodás. Az osram által vezetett csapat gallium-alumínium-nitrid (algan) anyagrendszert használ. az osram mellett a másik négy kutatócsoport: ferdinand braun institut, leibniz institut fur hochstfrequenztechnik (fbh)); berlini technológiai intézet; laytec ag; és az fbh split uvphotonics nt gmbh.

Az OSRAM felelős a 270-290 nm-es tartományért, az FBH a 290-310 nm-es tartományban dolgozza fel az epitaxiát, és az epitaxiális szeletet az UV chipbe dolgozza fel; A Berlini Műszaki Egyetem szakértelemmel rendelkezik az AlGaN területén, a 250-270 nm-es tartományra összpontosítva; A Laytec technológiát biztosít az epitaxiális és plazmamaratási rendszerek vezérléséhez; FBH optimalizált chip kialakítás, a nagy áramerősségre és a hatékony hűtésre összpontosítva. Ezenkívül folyamatadatokat gyűjt más partnerektől, és átadja azokat a kutatócsoportnak. Az OSRAM elmondta: "az új LED fényteljesítménye várhatóan meghaladja a 120 MW-ot. 300 ± 10 nm, 140 MW at 280 ± 10 nm és 80 MW at 260 ± 10 nm." A kutatócsoport a LED-ek öregedési viselkedését is jelentősen javítja, hogy hosszabb ideig és gazdaságosabban működhessenek. "