OSRAM Opto Semiconductors sot datt et eng Regierung finanzéiert Fuerschungsgrupp féiert fir zesummen en High-Power, Massemaartorientéierten Ultraviolet (UV) Led Chip z'entwéckelen. Ultraviolet Liicht kann a verschiddenen Uwendungen benotzt ginn, wéi Aushärung (Trocknung), Desinfektioun, Produktioun, Medizin a Liewenswëssenschaften. Traditionell Net-LED Liichtquellen, wéi Quecksëlwerdamplampen, hu gewësse potenziell Gefore. Ausserdeem emittéiere vill UV LED Chips um Maart Liicht op e puer nëtzlech Wellelängten ouni Käschtevirdeel.OSRAM sot: "d'Zil vun eiser Kooperatioun ass d'High-Power UV LEDs fir verschidde Applikatiounen ze decken." Dës LEDs ersetzen schliisslech déi traditionell UV-Liichtquell mat Quecksilber. "OSRAM sot, datt den neie High-Power Chip "och nei Applikatiounsfelder opmaache kann."

UV ass en opkomende Feld fir LED Hiersteller. Fournisseuren enthalen rayvio, Nikkiso, vital vio, Sensor elektronesch Technologie, LG Innotek, etc. D'Fuerschungsgrupp gefouert vun OSRAM gëtt vum däitsche Bundesministère fir Erzéiung a Fuerschung (BMBF) finanzéiert. Et hofft e Prototyp mat enger Wellelängt vun ongeféier 250nm bis 310nm bis 2020 z'entwéckelen, déi e puer UV-B an UV-C Spektra deckt. Allgemeng ass d'Gamme vum ultraviolette Liicht ongeféier 100 nm bis ongeféier 380 oder 400 nm. Et ass de kuerzwellen onsichtbare Deel vum Spektrum.

OSRAM verëffentlecht eng Foto vun engem UV LED Chip ënner Entwécklung. D'Foto kënnt vum Ferdinand Braun Institut, Leibniz Institut fur hochstfrequenztechnik (FBH) vun der Leibniz Federatioun an Däitschland.Eng vun den Erausfuerderungen ass d'Effizienz vun UV-B an UV-C Spektrum ze verbesseren, déi en Duerchbroch an Materialien erfuerdert an Applikatiounen aner wéi UV-A Aushärtung. D'Eem vun OSRAM unhollen, benotzert gallium aluminium nitride (AlGaN) materialsystem. D'OSRAM, d'Aner vier Reozech Grupp: Ferdinand Braun Institut, Leibniz Institut fur hochstfrequenztechnik (FBH)); Berlin Institute of Technology; LayTec AG; An FBH splitt uvphotonics NT GmbH.

OSRAM ass verantwortlech fir d'Gamme vu 270-290-nm, FBH veraarbecht d'Epitaxie am Beräich vun 290-310nm, a veraarbecht den epitaxiale Wafer an den UV-Chip; Berlin Polytechnic University huet Expertise am AlGaN Feld, konzentréiert sech op d'Gamme vu 250-270 nm; Laytec stellt Technologie fir d'Kontroll vun epitaxialen a Plasma Ätzsystemer; FBH optimiséiert Chip Design, Schwéierpunkt op héich aktuell an efficace Ofkillung. Zousätzlech sammelt et Prozessdaten vun anere Partner a gëtt et dem Fuerschungsteam.OSRAM sot: "d'Liichtausgang vun der neier LED gëtt erwaart iwwer 120 MW bei 300 ± 10 nm, 140 MW op 280 ± 10 nm an 80 MW op 260 ± 10 nm." D'Fuerschungsteam mécht och bedeitend Verbesserungen am Alterungsverhalen vun LEDs fir datt se méi laang a méi ekonomesch kënne funktionnéieren. "