OSRAM ръководи разработването на UV LED чип с висока мощност, ориентиран към масовия пазар

OSRAM Opto Semiconductors заяви, че ръководи финансирана от правителството изследователска група за съвместно разработване на високомощен, ориентиран към масовия пазар ултравиолетов (UV) чип. Ултравиолетовата светлина може да се използва в различни приложения, като втвърдяване (сушене), дезинфекция, производство, медицина и науки за живота. Традиционните неLED източници на светлина, като лампи с живачни пари, крият определени потенциални опасности. Нещо повече, много UV LED чипове на пазара излъчват светлина при някои полезни дължини на вълната без ценово предимство. OSRAM каза: "целта на нашето сътрудничество е да осигурим UV LED с висока мощност за покриване на различни приложения." тези светодиоди в крайна сметка ще заменят традиционния източник на UV светлина, съдържащ живак. „OSRAM каза, че новият чип с висока мощност „може също така да отвори нови полета за приложение“.

UV е нововъзникваща област за производителите на светодиоди. Доставчиците включват rayvio, Nikkiso, vital vio, сензорна електронна технология, LG Innotek и др. Изследователската група, ръководена от OSRAM, се финансира от Германското федерално министерство на образованието и изследванията (BMBF). Тя се надява да разработи прототип с дължина на вълната от около 250 nm до 310 nm до 2020 г., покриващ някои спектри на UV-B и UV-C. Обикновено обхватът на ултравиолетовата светлина е около 100 nm до около 380 или 400 nm. Това е невидимата част от спектъра с къси вълни.

OSRAM пусна снимка на UV LED чип в процес на разработка. Снимката идва от Ferdinand Braun Institut, Leibniz Institut fur hochstfrequenztechnik (FBH) на Leibniz Federation в Германия. Едно от предизвикателствата е да се подобри ефективността на UV-B и UV-C спектрите, което изисква пробив в материалите и разширява приложенията други отколкото UV-A втвърдяване. Екипът, ръководен от osram, използва система от материали на галиев алуминиев нитрид (algan). в допълнение към osram, другите четири изследователски групи са: ferdinand braun institut, leibniz institut fur hochstfrequenztechnik (fbh); берлински технологичен институт; laytec ag; и fbh split uvphotonics nt gmbh.

OSRAM отговаря за диапазона от 270-290-nm, FBH обработва епитаксия в диапазона от 290-310nm и обработва епитаксиалната пластина в UV чипа; Берлинският политехнически университет има опит в областта на AlGaN, като се фокусира върху диапазона от 250-270 nm; Laytec предоставя технология за управление на системи за епитаксиално и плазмено ецване; FBH оптимизиран дизайн на чипа, фокусиран върху висок ток и ефективно охлаждане. В допълнение, той събира данни за процеса от други партньори и ги предоставя на изследователския екип. OSRAM каза: „светлинната мощност на новия LED се очаква да надхвърли 120 MW при 300 ± 10 nm, 140 MW при 280 ± 10 nm и 80 MW при 260 ± 10 nm." изследователският екип също прави значителни подобрения в поведението на светодиодите при стареене, така че да могат да работят по-дълго и по-икономично. "