OSRAM Opto Semiconductors a déclaré qu'il dirigeait un groupe de recherche financé par le gouvernement pour développer conjointement une puce LED ultraviolette (UV) de grande puissance et orientée vers le marché de masse. La lumière ultraviolette peut être utilisée dans diverses applications, telles que le durcissement (séchage), la désinfection, la production, la médecine et les sciences de la vie. Les sources lumineuses traditionnelles non LED, telles que les lampes à vapeur de mercure, présentent certains dangers potentiels. De plus, de nombreuses puces LED UV sur le marché émettent de la lumière à certaines longueurs d'onde utiles sans avantage de coût. OSRAM a déclaré : "l'objectif de notre coopération est de fournir des LED UV haute puissance pour couvrir diverses applications". ces LED remplaceront à terme la source de lumière UV traditionnelle contenant du mercure. "OSRAM a déclaré que la nouvelle puce haute puissance "pourrait également ouvrir de nouveaux champs d'application".

Les UV sont un domaine émergent pour les fabricants de LED. Les fournisseurs incluent rayvio, Nikkiso, vital vio, sensor electronic technology, LG Innotek, etc. Le groupe de recherche dirigé par OSRAM est financé par le ministère fédéral allemand de l'éducation et de la recherche (BMBF). Il espère développer un prototype avec une longueur d'onde d'environ 250 nm à 310 nm d'ici 2020, couvrant certains spectres UV-B et UV-C. Généralement, la gamme de lumière ultraviolette est d'environ 100 nm à environ 380 ou 400 nm. C'est la partie invisible des ondes courtes du spectre.

OSRAM a publié une photo d'une puce LED UV en cours de développement. La photo provient de Ferdinand Braun Institut, Leibniz Institut fur hochstfrequenztechnik (FBH) de la Fédération Leibniz en Allemagne. L'un des défis consiste à améliorer l'efficacité des spectres UV-B et UV-C, ce qui nécessite une percée dans les matériaux et étend les applications à d'autres que le durcissement UV-A. L'équipe dirigée par OSRAM utilise le système de matériaux au nitrure d'aluminium de gallium (AlGaN). Outre OSRAM, les quatre autres groupes de recherche sont: Ferdinand Braun Institut, Leibniz Institut fur hochstfrequenztechnik (FBH); Institut de technologie de Berlin; LayTec AG; Et FBH split uvphotonics NT GmbH.

OSRAM est responsable de la plage de 270 à 290 nm, FBH traite l'épitaxie dans la plage de 290 à 310 nm et traite la plaquette épitaxiale dans la puce UV ; L'Université polytechnique de Berlin possède une expertise dans le domaine AlGaN, en se concentrant sur la gamme de 250 à 270 nm; Laytec fournit une technologie de contrôle des systèmes de gravure épitaxiale et plasma ; Conception de puce optimisée FBH, axée sur un courant élevé et un refroidissement efficace. En outre, il collecte des données de processus auprès d'autres partenaires et les fournit à l'équipe de recherche. OSRAM a déclaré : "la puissance lumineuse de la nouvelle LED devrait dépasser 120 MW à 300 ± 10 nm, 140 MW à 280 ± 10 nm et 80 MW à 260 ± 10 nm." L'équipe de recherche apporte également des améliorations significatives au comportement de vieillissement des LED afin qu'elles puissent fonctionner plus longtemps et de manière plus économique. "