OSRAM Opto Semiconductors saopštio je da vodi istraživačku grupu koju finansira vlada u zajedničkom razvoju ultraljubičastog (UV) čipa velike snage, orijentisan na masovno tržište. Ultraljubičasto svjetlo može se koristiti u raznim primjenama, kao što su sušenje (sušenje), dezinfekcija, proizvodnja, medicina i nauke o životu. Tradicionalni izvori svjetlosti koji nisu LED, kao što su žarulje sa živinom parom, imaju određene potencijalne opasnosti. Štaviše, mnogi UV LED čipovi na tržištu emituju svetlost na nekim korisnim talasnim dužinama bez troškovne prednosti. OSRAM je rekao: "Cilj naše saradnje je da obezbedimo UV LED velike snage za pokrivanje različitih aplikacija." ove LED diode će na kraju zamijeniti tradicionalni UV izvor svjetlosti koji sadrži živu. "OSRAM je rekao da bi novi čip velike snage "mogao otvoriti i nova polja primjene."

UV je polje u nastajanju za proizvođače LED dioda. Dobavljači uključuju rayvio, Nikkiso, vital vio, senzorsku elektronsku tehnologiju, LG Innotek, itd. Istraživačku grupu predvođenu OSRAM-om finansira njemačko savezno ministarstvo obrazovanja i istraživanja (BMBF). Nada se da će razviti prototip sa talasnom dužinom od oko 250 nm do 310 nm do 2020., pokrivajući neke UV-B i UV-C spektre. Generalno, opseg ultraljubičastog svetla je oko 100 nm do oko 380 ili 400 nm. To je kratkotalasni nevidljivi dio spektra.

OSRAM je objavio fotografiju UV LED čipa u razvoju. Fotografija dolazi sa Ferdinand Braun Instituta, Leibniz Institut fur hochstfrequenztechnik (FBH) iz Leibniz Federacije u Njemačkoj. Jedan od izazova je poboljšanje efikasnosti UV-B i UV-C spektra, što zahtijeva proboj u materijalima i širi primjenu na druge nego UV-A stvrdnjavanje. Tim koji je vodio OSRAM koristi materijalni sustav gallium aluminium nitride (AlGaN). Uz OSRAM, ostali četiri istraživačke grupa su: Ferdinand Braun Institut, Leibniz Institut fur hochstfrequenztechnik (FBH)); Berlin institut tehnologije; LayTec AG; I FBH je podijelio uvphotonika NT GmbH.

OSRAM je odgovoran za opseg od 270-290 nm, FBH obrađuje epitaksiju u rasponu od 290-310 nm i obrađuje epitaksijalnu pločicu u UV čip; Politehnički univerzitet u Berlinu ima ekspertizu u oblasti AlGaN, fokusirajući se na opseg od 250-270 nm; Laytec pruža tehnologiju za kontrolu epitaksijalnih i plazma sistema za jetkanje; FBH optimizovan dizajn čipa, fokusirajući se na veliku struju i efikasno hlađenje. Osim toga, prikuplja podatke o procesu od drugih partnera i dostavlja ih istraživačkom timu. OSRAM je rekao: "očekuje se da će svjetlosna snaga nove LED diode premašiti 120 MW na 300 ± 10 nm, 140 MW at 280 ± 10 nm i 80 MW at 260 ± 10 nm." istraživački tim također značajno poboljšava ponašanje LED dioda pri starenju kako bi one mogle raditi duže i ekonomičnije. "