OSRAM Opto Semiconductors dijo que estaba liderando un grupo de investigación financiado por el gobierno para desarrollar conjuntamente un chip LED ultravioleta (UV) de alta potencia orientado al mercado masivo. La luz ultravioleta se puede utilizar en diversas aplicaciones, como curado (secado), desinfección, producción, medicina y ciencias de la vida. Las fuentes de luz tradicionales que no son LED, como las lámparas de vapor de mercurio, tienen ciertos peligros potenciales. Además, muchos chips LED UV en el mercado emiten luz en algunas longitudes de onda útiles sin costo alguno. OSRAM dijo: "El objetivo de nuestra cooperación es proporcionar LED UV de alta potencia para cubrir diversas aplicaciones". estos LED eventualmente reemplazarán la fuente de luz ultravioleta tradicional que contiene mercurio. "OSRAM dijo que el nuevo chip de alta potencia "también puede abrir nuevos campos de aplicación".

UV es un campo emergente para los fabricantes de LED. Los proveedores incluyen rayvio, Nikkiso, vital vio, sensor electronic technology, LG Innotek, etc. El grupo de investigación dirigido por OSRAM está financiado por el Ministerio Federal de Educación e Investigación de Alemania (BMBF). Espera desarrollar un prototipo con una longitud de onda de aproximadamente 250 nm a 310 nm para 2020, que cubra algunos espectros UV-B y UV-C. En general, el rango de luz ultravioleta es de aproximadamente 100 nm a aproximadamente 380 o 400 nm. Es la parte invisible de onda corta del espectro.

OSRAM publicó una foto de un chip UV LED en desarrollo. La foto proviene del Ferdinand Braun Institut, Leibniz Institut fur hochstfrequenztechnik (FBH) de la Federación Leibniz en Alemania. Uno de los desafíos es mejorar la eficiencia de los espectros UV-B y UV-C, lo que requiere un gran avance en los materiales y amplía las aplicaciones a otros. que el curado UV-A. El equipo dirigido por OSRAM está utilizando el sistema de material de nitruro de aluminio de galio (AlGaN). Además de OSRAM, los otros cuatro grupos de investigación son: Ferdinand Braun Institut, Leibniz Institut fur hochstfrequenztechnik (FBH); Instituto de tecnología de Berlín; LayTec AG; Y FBH split uvphotonics NT GmbH.

OSRAM es responsable del rango de 270-290 nm, FBH procesa la epitaxia en el rango de 290-310 nm y procesa la oblea epitaxial en el chip UV; La Universidad Politécnica de Berlín tiene experiencia en el campo de AlGaN, centrándose en el rango de 250-270 nm; Laytec proporciona tecnología para el control de sistemas de grabado epitaxial y plasma; Diseño de chip optimizado FBH, centrándose en una refrigeración eficiente y de alta corriente. Además, recopila datos de proceso de otros socios y se los proporciona al equipo de investigación. OSRAM dijo: "Se espera que la salida de luz del nuevo LED supere los 120 MW en 300 ± 10 nm, 140 MW a 280 ± 10 nm y 80 MW a 260 ± 10 nm.", el equipo de investigación también está realizando mejoras significativas en el comportamiento de envejecimiento de los LED para que puedan funcionar durante más tiempo y de manera más económica. "