OSRAM Opto Semiconductors компани өндөр хүчин чадалтай, зах зээлд чиглэсэн хэт ягаан туяаны (хэт ягаан туяа) чипийг хамтран хөгжүүлэх зорилгоор засгийн газрын санхүүжилттэй судалгааны бүлгийг удирдаж байгаагаа мэдэгдэв. Хэт ягаан туяаг эдгээх (хатаах), халдваргүйжүүлэх, үйлдвэрлэл, анагаах ухаан, амьдралын шинжлэх ухаан зэрэг төрөл бүрийн хэрэглээнд ашиглаж болно. Уламжлалт LED бус гэрлийн эх үүсвэрүүд, тухайлбал мөнгөн усны уурын чийдэн нь зарим аюулыг дагуулдаг. Түүнчлэн зах зээл дээр байгаа хэт ягаан туяаны олон LED чипүүд нь ямар ч ашигтай долгионы урттай гэрэл ялгаруулдаг. OSRAM хэлэхдээ: "Бидний хамтын ажиллагааны зорилго бол янз бүрийн хэрэглээг хамарсан өндөр чадлын хэт ягаан туяаны LED-ээр хангах явдал юм." Эдгээр LED нь мөнгөн ус агуулсан уламжлалт хэт ягаан туяаны гэрлийн эх үүсвэрийг орлуулах болно. "OSRAM шинэ өндөр хүчин чадалтай чип нь" шинэ хэрэглээний талбаруудыг нээж магадгүй гэж хэлсэн.

Хэт ягаан туяа нь LED үйлдвэрлэгчдэд шинээр гарч ирж буй талбар юм. Нийлүүлэгчид: rayvio, Nikkiso, vital vio, sensor electronic technology, LG Innotek гэх мэт. OSRAM-аар ахлуулсан судалгааны бүлгийг Германы Холбооны боловсрол, судалгааны яам (BMBF) санхүүжүүлдэг. Энэ нь 2020 он гэхэд хэт ягаан туяаны B болон хэт ягаан туяаны зарим спектрийг хамарсан 250 нм-ээс 310 нм хүртэлх долгионы урттай прототипийг бүтээнэ гэж найдаж байна. Ерөнхийдөө хэт ягаан туяаны хүрээ 100 нм-ээс 380 эсвэл 400 нм хүртэл байдаг. Энэ бол спектрийн богино долгионы үл үзэгдэх хэсэг юм.

OSRAM нь хөгжиж буй хэт ягаан туяаны LED чипийн зургийг нийтэлжээ. Энэ зургийг Герман дахь Лейбницийн Холбооны Фердинанд Брауны хүрээлэнгийн Фердинанд Брауны хүрээлэнгээс авчирсан. Нэг сорилт бол UV-B болон UV-C спектрийн үр ашгийг дээшлүүлэх явдал бөгөөд энэ нь материалын шинэчлэл, бусад хэрэглээг өргөжүүлэх явдал юм. Хэт ягаан туяаны туяанаас илүү. The team led by OSRAM is using gallium aluminum nitride (AlGaN) material system.In addition to OSRAM, the other four research groups are: Ferdinand Braun Institut, Leibniz Institut fur hochstfrequenztechnik (FBH)); Berlin Institute of technology; LayTec AG； And FBH split uvphotonics NT GmbH.

OSRAM нь 270-290 нм-ийн хүрээг хариуцдаг, FBH нь 290-310 нм-ийн хүрээн дэх эпитаксийг боловсруулж, хэт ягаан туяаны чип болгон эпитаксиаль хавтанг боловсруулдаг; Берлиний Политехникийн Их Сургууль нь 250-270 нм-ийн хүрээг хамарсан AlGaN чиглэлээр мэргэшсэн; Laytec нь эпитаксиаль ба плазмын сийлбэрийн системийг хянах технологиор хангадаг; FBH нь өндөр гүйдэл, үр ашигтай хөргөлтийг анхаарч чипийн дизайныг оновчтой болгосон. Нэмж дурдахад тэрээр бусад түншүүдээс үйл явцын мэдээллийг цуглуулж, судалгааны багт өгдөг. OSRAM хэлэхдээ: "Шинэ LED-ийн гэрлийн гаралт 120 МВт-аас давах төлөвтэй байна. 300 ± 10 нм, 140 МВт 280 ± 10 нм ба 80 МВт 260 ± Судалгааны баг LED-ийн хөгшрөлтийн шинж чанарыг сайжруулж, илүү урт, хэмнэлттэй ажиллах боломжтой болгож байна. "