Firma OSRAM Opto Semiconductors poinformowała, że ​​kieruje finansowaną przez rząd grupą badawczą, której celem jest wspólne opracowanie wysokowydajnego, zorientowanego na rynek masowy układu scalonego emitującego światło ultrafioletowe (UV). Światło ultrafioletowe może być wykorzystywane w różnych zastosowaniach, takich jak utwardzanie (suszenie), dezynfekcja, produkcja, medycyna i nauki przyrodnicze. Tradycyjne źródła światła inne niż LED, takie jak lampy rtęciowe, wiążą się z pewnymi potencjalnymi zagrożeniami. Co więcej, wiele chipów LED UV dostępnych na rynku emituje światło o pewnych użytecznych długościach fal bez korzyści kosztowych. Firma OSRAM powiedziała: „Celem naszej współpracy jest dostarczenie diod UV LED o dużej mocy do różnych zastosowań”. te diody LED ostatecznie zastąpią tradycyjne źródła światła UV zawierające rtęć. „Firma OSRAM powiedziała, że ​​nowy chip o dużej mocy „może również otworzyć nowe obszary zastosowań”.

UV to wschodząca dziedzina dla producentów diod LED. Wśród dostawców znajdują się rayvio, Nikkiso, Vital Vio, Sensor Electronic Technology, LG Innotek itp. Grupa badawcza kierowana przez firmę OSRAM jest finansowana przez Niemieckie Federalne Ministerstwo Edukacji i Badań Naukowych (BMBF). Ma nadzieję opracować prototyp o długości fali od około 250 nm do 310 nm do 2020 r., obejmujący niektóre widma UV-B i UV-C. Ogólnie zakres światła ultrafioletowego wynosi od około 100 nm do około 380 lub 400 nm. Jest to niewidoczna część widma fal krótkich.

Firma OSRAM opublikowała zdjęcie opracowywanego chipa UV LED. Zdjęcie pochodzi z Ferdinand Braun Institut, Leibniz Institut fur hochstfrequenztechnik (FBH) Federacji Leibniz w Niemczech. Jednym z wyzwań jest poprawa wydajności widm UV-B i UV-C, co wymaga przełomu w materiałach i rozszerza zastosowania o inne niż utwardzanie UV-A. The team led by OSRAM is using gallium aluminum nitride (AlGaN) material system.In addition to OSRAM, the other four research groups are: Ferdinand Braun Institut, Leibniz Institut fur hochstfrequenztechnik (FBH)); Berlin Institute of technology; LayTec AG； And FBH split uvphotonics NT GmbH.

OSRAM odpowiada za zakres 270-290 nm, FBH przetwarza epitaksję w zakresie 290-310 nm i przetwarza płytkę epitaksjalną na chip UV; Politechnika Berlińska posiada doświadczenie w dziedzinie AlGaN, koncentrując się na zakresie 250-270 nm; Laytec dostarcza technologię do kontroli systemów epitaksjalnych i wytrawiania plazmowego; Zoptymalizowana konstrukcja chipa FBH, koncentrująca się na wysokim prądzie i wydajnym chłodzeniu. Ponadto gromadzi dane procesowe od innych partnerów i przekazuje je zespołowi badawczemu. Firma OSRAM powiedziała: „Oczekuje się, że moc świetlna nowej diody LED przekroczy 120 MW przy 300 ± 10 nm, 140 MW przy 280 ± 10 nm i 80 MW przy 260 ± 10 nm.” zespół badawczy dokonuje również znaczących ulepszeń w zakresie starzenia się diod LED, aby mogły one działać dłużej i bardziej ekonomicznie. "