Кампанія OSRAM узначаліла распрацоўку высокамагутнага святлодыёднага ультрафіялетавага чыпа, арыентаванага на масавы рынак

Кампанія OSRAM Opto Semiconductors заявіла, што ўзначальвае фінансаваную ўрадам даследчую групу для сумеснай распрацоўкі высокамагутнага чыпа з ультрафіялетавым (УФ) святлодыёдам, арыентаванага на масавы рынак. Ультрафіялетавае святло можа быць выкарыстана ў розных сферах прымянення, такіх як отвержденія (сушка), дэзінфекцыя, вытворчасць, медыцына і біялагічныя навукі. Традыцыйныя несвятлодыёдныя крыніцы святла, такія як ртутныя лямпы, маюць пэўную патэнцыйную небяспеку. Больш за тое, многія УФ-святлодыёдныя чыпы на рынку выпраменьваюць святло на некаторых карысных даўжынях хваль без перавагі ў кошце. Кампанія OSRAM заявіла: «мэта нашага супрацоўніцтва — прадастаўленне магутных УФ-святлодыёдаў для розных прыкладанняў». гэтыя святлодыёды ў канчатковым выніку заменяць традыцыйную крыніцу ультрафіялетавага святла, якая змяшчае ртуць. «OSRAM заявіла, што новы магутны чып «таксама можа адкрыць новыя сферы прымянення».

Ультрафіялет - гэта новая сфера для вытворцаў святлодыёдаў. Сярод пастаўшчыкоў rayvio, Nikkiso, vital vio, сэнсарныя электронныя тэхналогіі, LG Innotek і інш. Даследчая група пад кіраўніцтвам OSRAM фінансуецца Федэральным міністэрствам адукацыі і даследаванняў Германіі (BMBF). Ён спадзяецца распрацаваць прататып з даўжынёй хвалі прыкладна ад 250 нм да 310 нм да 2020 г., які ахоплівае некаторыя спектры УФ-В і УФ-С. Як правіла, дыяпазон ультрафіялетавага святла складае ад 100 нм да 380 або 400 нм. Гэта кароткахвалевая нябачная частка спектру.

OSRAM апублікавала фатаграфію УФ-святлодыёднага чыпа ў стадыі распрацоўкі. Фота атрымана з Інстытута Фердынанда Браўна, Інстытута высокай частоты Лейбніца (FBH) Федэрацыі Лейбніца ў Германіі. Адной з праблем з'яўляецца павышэнне эфектыўнасці спектраў УФ-В і УФ-С, што патрабуе прарыву ў матэрыялах і пашырае магчымасці прымянення іншых чым УФ-А отвержденія. Команда, якую OSRAM, выкарыстае матеріальныя сістэмы галійы алюмінуній (AlGaN). Дазваляе з OSRAM, іншыя чатыры дослідных групы: Фердинанд Браун інститут, Лейбніз Інститут фур hochstfrequenztechnik (FBH)); Інститут тэхналогія (Берлінія; LayTec AG; І FBH падзелы uvphotonics NT GmbH.

OSRAM адказвае за дыяпазон 270-290 нм, FBH апрацоўвае эпітаксію ў дыяпазоне 290-310 нм і апрацоўвае эпітаксіяльную пласціну ў УФ-чып; Берлінскі політэхнічны універсітэт мае вопыт у галіне AlGaN, арыентуючыся на дыяпазон 250-270 нм; Laytec забяспечвае тэхналогію кіравання сістэмамі эпітаксіяльнага і плазменнага тручэння; FBH аптымізаваны дызайн мікрасхемы з упорам на моцны ток і эфектыўнае астуджэнне. Акрамя таго, ён збірае даныя працэсу ад іншых партнёраў і прадастаўляе іх даследчай групе. OSRAM сказаў: «святлавая магутнасць новага святлодыёда, як чакаецца, перавысіць 120 МВт пры 300 ± 10 нм, 140 МВт ат 280 ± 10 нм і 80 МВт ат 260 ± 10 нм". даследчая група таксама ўносіць значныя паляпшэнні ў паводзіны святлодыёдаў пры старэнні, каб яны маглі працаваць даўжэй і больш эканамічна. "