OSRAM একটি উচ্চ-শক্তি, ভর বাজার ভিত্তিক UV LED চিপের উন্নয়নে নেতৃত্ব দেয়

ওএসআরএএম অপ্টো সেমিকন্ডাক্টরস বলেছে যে এটি যৌথভাবে একটি উচ্চ-শক্তি, ভর বাজার-ভিত্তিক আল্ট্রাভায়োলেট (ইউভি) নেতৃত্বাধীন চিপ বিকাশের জন্য একটি সরকারী অর্থায়িত গবেষণা গ্রুপকে নেতৃত্ব দিচ্ছে। আল্ট্রাভায়োলেট আলো বিভিন্ন অ্যাপ্লিকেশনে ব্যবহার করা যেতে পারে, যেমন নিরাময় (শুকানো), জীবাণুমুক্তকরণ, উৎপাদন, ওষুধ এবং জীবন বিজ্ঞান। প্রথাগত অ LED আলোর উত্স, যেমন পারদ বাষ্পের বাতিগুলির কিছু সম্ভাব্য বিপদ রয়েছে৷ তাছাড়া, বাজারে অনেক UV LED চিপ খরচের সুবিধা ছাড়াই কিছু দরকারী তরঙ্গদৈর্ঘ্যে আলো নির্গত করে৷ OSRAM বলেছেন: "আমাদের সহযোগিতার লক্ষ্য হল বিভিন্ন অ্যাপ্লিকেশন কভার করার জন্য উচ্চ-শক্তির UV LED প্রদান করা৷" এই LEDs শেষ পর্যন্ত পারদ ধারণকারী ঐতিহ্যবাহী UV আলোর উৎস প্রতিস্থাপন করবে। "OSRAM বলেছে যে নতুন উচ্চ-শক্তি চিপ "নতুন অ্যাপ্লিকেশন ক্ষেত্রগুলিও খুলতে পারে।"

UV হল LED নির্মাতাদের জন্য একটি উদীয়মান ক্ষেত্র। সরবরাহকারীদের মধ্যে রয়েছে rayvio, Nikkiso, vital vio, সেন্সর ইলেকট্রনিক প্রযুক্তি, LG Innotek, ইত্যাদি। OSRAM-এর নেতৃত্বে গবেষণা গ্রুপটি জার্মান ফেডারেল শিক্ষা ও গবেষণা মন্ত্রণালয় (BMBF) দ্বারা অর্থায়ন করে। এটি 2020 সালের মধ্যে প্রায় 250nm থেকে 310nm তরঙ্গদৈর্ঘ্যের একটি প্রোটোটাইপ তৈরি করার আশা করছে, যা কিছু UV-B এবং UV-C স্পেকট্রাকে কভার করবে৷ সাধারণভাবে, অতিবেগুনী আলোর পরিসীমা প্রায় 100 nm থেকে প্রায় 380 বা 400 nm হয়৷ এটি বর্ণালীর সংক্ষিপ্ত তরঙ্গ অদৃশ্য অংশ।

ওএসআরএএম বিকাশের অধীনে একটি UV LED চিপের একটি ছবি প্রকাশ করেছে। ছবিটি জার্মানির লাইবনিজ ফেডারেশনের ফার্ডিনান্ড ব্রাউন ইনস্টিটিউট, লাইবনিজ ইনস্টিটিউট ফার হোচস্টফ্রেকুয়েঞ্জটেকনিক (এফবিএইচ) থেকে এসেছে। চ্যালেঞ্জগুলির মধ্যে একটি হল UV-B এবং UV-C স্পেকট্রার কার্যকারিতা উন্নত করা, যার জন্য উপকরণগুলিতে একটি অগ্রগতি প্রয়োজন এবং অন্যান্য অ্যাপ্লিকেশনগুলিকে প্রসারিত করা। UV-A নিরাময়ের চেয়ে। ▁ টে টে ল ্যা মে ল ড ▁দ্বারা ▁ টি য়া রা মি স স্ট িক িং গ ল ু মি য়া ম ুল িয়া ন মি ন ট ্রি ডে ▁( স ্যা ল গা ন) ▁উপ া দান ▁স ি স্ট ে ম । ▁বি রো ধ ী ট ু রা ম, ▁the other freproc proc ggrororec ▁mi s are: ▁dindinand and ▁la un Institut e, leniz Institut e U ffi ffi ffi cas nik ▁( ▁চিহ্নিত ভ));

OSRAM 270-290-nm পরিসরের জন্য দায়ী, FBH 290-310nm পরিসরে এপিটাক্সি প্রক্রিয়া করে এবং এপিটাক্সিয়াল ওয়েফারকে UV চিপে প্রসেস করে; বার্লিন পলিটেকনিক ইউনিভার্সিটির AlGaN ক্ষেত্রে দক্ষতা রয়েছে, 250-270 nm পরিসরের উপর দৃষ্টি নিবদ্ধ করে; Laytec এপিটাক্সিয়াল এবং প্লাজমা এচিং সিস্টেম নিয়ন্ত্রণের জন্য প্রযুক্তি প্রদান করে; FBH অপ্টিমাইজড চিপ ডিজাইন, উচ্চ কারেন্ট এবং দক্ষ কুলিং এর উপর ফোকাস করে। উপরন্তু, এটি অন্যান্য অংশীদারদের কাছ থেকে প্রক্রিয়া তথ্য সংগ্রহ করে এবং এটি গবেষণা দলকে প্রদান করে৷ OSRAM বলেছে: "নতুন LED এর আলোর আউটপুট 120 মেগাওয়াট অতিক্রম করবে বলে আশা করা হচ্ছে৷ 300 ± 10 এনএম, 140 মেগাওয়াট এ 280 ± 10 এনএম এবং 80 মেগাওয়াট এ 260 ± 10 এনএম।" গবেষণা দলটি এলইডিগুলির বার্ধক্য আচরণেও উল্লেখযোগ্য উন্নতি করছে যাতে তারা দীর্ঘ এবং আরও অর্থনৈতিকভাবে কাজ করতে পারে। "