OSRAM-მა უხელმძღვანელა მაღალი სიმძლავრის, მასობრივ ბაზარზე ორიენტირებული UV LED ჩიპის შემუშავებას

OSRAM Opto Semiconductors-მა განაცხადა, რომ იგი ხელმძღვანელობს მთავრობის მიერ დაფინანსებულ კვლევით ჯგუფს, რათა ერთობლივად განავითარონ მაღალი სიმძლავრის, მასობრივი ბაზარზე ორიენტირებული ულტრაიისფერი (UV) ჩიპი. ულტრაიისფერი გამოსხივება შეიძლება გამოყენებულ იქნას სხვადასხვა მიზნებში, როგორიცაა გაშრობა (გაშრობა), დეზინფექცია, წარმოება, მედიცინა და სიცოცხლის მეცნიერებები. ტრადიციული არა LED სინათლის წყაროებს, როგორიცაა ვერცხლისწყლის ორთქლის ნათურები, აქვთ გარკვეული პოტენციური საფრთხე. უფრო მეტიც, ბევრი UV LED ჩიპი ბაზარზე ასხივებს სინათლეს ზოგიერთ სასარგებლო ტალღის სიგრძეზე, ხარჯების უპირატესობის გარეშე. OSRAM-მა თქვა: "ჩვენი თანამშრომლობის მიზანია მივაწოდოთ მაღალი სიმძლავრის UV LED-ები სხვადასხვა აპლიკაციების დასაფარად." ეს LED-ები საბოლოოდ ჩაანაცვლებს ტრადიციულ ულტრაიისფერი სინათლის წყაროს, რომელიც შეიცავს ვერცხლისწყალს. "OSRAM-მა თქვა, რომ ახალმა მაღალი სიმძლავრის ჩიპმა "შეიძლება ასევე გახსნას ახალი აპლიკაციების ველები."

UV არის განვითარებადი სფერო LED მწარმოებლებისთვის. მომწოდებლებს შორისაა rayvio, Nikkiso, vital vio, სენსორული ელექტრონული ტექნოლოგია, LG Innotek და ა.შ. OSRAM-ის ხელმძღვანელობით კვლევითი ჯგუფი დაფინანსებულია გერმანიის განათლებისა და კვლევის ფედერალური სამინისტროს (BMBF) მიერ. იგი იმედოვნებს, რომ 2020 წლისთვის შეიმუშავებს პროტოტიპს, რომლის ტალღის სიგრძე იქნება დაახლოებით 250 ნმ-დან 310 ნმ-მდე, რომელიც მოიცავს ზოგიერთ UV-B და UV-C სპექტრს. ზოგადად, ულტრაიისფერი შუქის დიაპაზონი დაახლოებით 100 ნმ-დან 380 ან 400 ნმ-მდეა. ეს არის სპექტრის მოკლე ტალღის უხილავი ნაწილი.

OSRAM-მა გამოუშვა UV LED ჩიპის ფოტო დამუშავების პროცესში. ფოტო მომდინარეობს ფერდინანდ ბრაუნის ინსტიტუტიდან, Leibniz Institut fur hochstfrequenztechnik (FBH) ლეიბნიცის ფედერაციის გერმანიაში. ერთ-ერთი გამოწვევაა UV-B და UV-C სპექტრების ეფექტურობის გაუმჯობესება, რაც საჭიროებს გარღვევას მასალებში და ავრცელებს სხვა აპლიკაციებს. ვიდრე UV-A გამყარება. OSRAM - ის ხელმძღვანელი ჯგუფი იყენებს გალიუმის ნიტირები (AlGaN) მატერიალური სისტემა. ჲჟაპვმ, ეპსდთრვ ფვრთპთ თჱჟლვეგა დპთნეთ ჟა: ლებნიზ ინსტიტუტ ტს hochstfrequenztechnik (FBH), ბერლინის ტექნოლოგიის ინსტიტუტის; LayTec AG; თ ტბთ თჱბთპალ სგთტჲრჲნთკჟ ნტ დთ.

OSRAM პასუხისმგებელია 270-290 ნმ დიაპაზონზე, FBH ამუშავებს ეპიტაქსიას 290-310 ნმ დიაპაზონში და ამუშავებს ეპიტაქსიალურ ვაფლს UV ჩიპში; ბერლინის პოლიტექნიკურ უნივერსიტეტს აქვს გამოცდილება AlGaN სფეროში, რომელიც ფოკუსირებულია 250-270 ნმ დიაპაზონზე; Laytec უზრუნველყოფს ტექნოლოგიას ეპიტაქსიალური და პლაზმური ჭურვის სისტემების კონტროლისთვის; FBH ოპტიმიზებული ჩიპის დიზაინი, ფოკუსირებულია მაღალ დენზე და ეფექტურ გაგრილებაზე. გარდა ამისა, იგი აგროვებს პროცესის მონაცემებს სხვა პარტნიორებისგან და აწვდის მას კვლევის ჯგუფს. OSRAM-მა თქვა: „ახალი LED-ის სინათლის გამომუშავება მოსალოდნელია 120 მეგავატზე მეტი. 300 ± 10 ნმ, 140 MW at 280 ± 10 ნმ და 80 მეგავატი ზე 260 ± 10 ნმ." კვლევითი ჯგუფი ასევე აუმჯობესებს LED- ების დაბერების ქცევას, რათა მათ შეძლონ უფრო ხანგრძლივი და ეკონომიურად მუშაობა. "