ओएसआरएएम ऑप्टो सेमीकंडक्टर्स ने कहा कि वह संयुक्त रूप से एक उच्च-शक्ति, बड़े पैमाने पर बाजार-उन्मुख पराबैंगनी (यूवी) एलईडी चिप विकसित करने के लिए एक सरकारी वित्त पोषित अनुसंधान समूह का नेतृत्व कर रहा था। पराबैंगनी प्रकाश का उपयोग विभिन्न अनुप्रयोगों में किया जा सकता है, जैसे इलाज (सुखाने), कीटाणुशोधन, उत्पादन, दवा और जीवन विज्ञान। पारा वाष्प लैंप जैसे पारंपरिक गैर एलईडी प्रकाश स्रोतों में कुछ संभावित खतरे हैं। इसके अलावा, बाजार में कई यूवी एलईडी चिप्स लागत लाभ के बिना कुछ उपयोगी तरंग दैर्ध्य पर प्रकाश का उत्सर्जन करते हैं। ओएसआरएएम ने कहा: "हमारे सहयोग का लक्ष्य विभिन्न अनुप्रयोगों को कवर करने के लिए उच्च-शक्ति यूवी एलईडी प्रदान करना है।" ये एल ई डी अंततः पारा युक्त पारंपरिक यूवी प्रकाश स्रोत को बदल देंगे। "OSRAM ने कहा कि नई हाई-पावर चिप" नए एप्लिकेशन फ़ील्ड भी खोल सकती है।

यूवी एलईडी निर्माताओं के लिए एक उभरता हुआ क्षेत्र है। आपूर्तिकर्ताओं में रेवियो, निककिसो, वाइटल वायो, सेंसर इलेक्ट्रॉनिक तकनीक, एलजी इनोटेक आदि शामिल हैं। OSRAM के नेतृत्व वाले अनुसंधान समूह को जर्मन संघीय शिक्षा और अनुसंधान मंत्रालय (BMBF) द्वारा वित्त पोषित किया जाता है। यह 2020 तक लगभग 250 एनएम से 310 एनएम के तरंग दैर्ध्य के साथ एक प्रोटोटाइप विकसित करने की उम्मीद करता है, जिसमें कुछ यूवी-बी और यूवी-सी स्पेक्ट्रा शामिल हैं। आम तौर पर, पराबैंगनी प्रकाश की सीमा लगभग 100 एनएम से लगभग 380 या 400 एनएम है। यह स्पेक्ट्रम का लघु तरंग अदृश्य हिस्सा है।

OSRAM ने विकसित हो रहे एक UV LED चिप की तस्वीर जारी की। फोटो जर्मनी में लीबनिज फेडरेशन के फर्डिनेंड ब्रौन इंस्टीट्यूट, लीबनिज इंस्टीट्यूट फर होचस्टफ्रीक्वेन्ज़टेक्निक (एफबीएच) से आता है। चुनौतियों में से एक यूवी-बी और यूवी-सी स्पेक्ट्रा की दक्षता में सुधार करना है, जिसके लिए सामग्रियों में सफलता की आवश्यकता होती है और अन्य अनुप्रयोगों का विस्तार होता है। यूवी-ए इलाज की तुलना में। के द्वारा टीम एलईडी ओसराम है गैलियम का उपयोग एल्यूमीनियम नाइट्राइड (AlGaN) सामग्री प्रणाली है। ओसराम के अलावा, अन्य चार अनुसंधान समूहों: फर्डिनैंड ब्रौन संस्थान, leibniz संस्थान फर hochstfrequenztechnik (FBH)); बर्लिन प्रौद्योगिकी संस्थान; LayTec एजी; और FBH विभाजन uvphotonics एनटी GmbH.

OSRAM 270-290-nm की रेंज के लिए जिम्मेदार है, FBH एपिटॉक्सी को 290-310nm की रेंज में प्रोसेस करता है, और एपिटैक्सियल वेफर को UV चिप में प्रोसेस करता है; बर्लिन पॉलिटेक्निक यूनिवर्सिटी को 250-270 एनएम की सीमा पर ध्यान केंद्रित करते हुए, AlGaN क्षेत्र में विशेषज्ञता प्राप्त है; लेटेक एपीटैक्सियल और प्लाज्मा एचिंग सिस्टम को नियंत्रित करने के लिए प्रौद्योगिकी प्रदान करता है; एफबीएच अनुकूलित चिप डिजाइन, उच्च वर्तमान और कुशल शीतलन पर ध्यान केंद्रित कर रहा है। इसके अलावा, यह अन्य भागीदारों से प्रक्रिया डेटा एकत्र करता है और इसे अनुसंधान दल को प्रदान करता है। OSRAM ने कहा: "नई एलईडी का प्रकाश उत्पादन 120 मेगावाट से अधिक होने की उम्मीद है 300 ± 10 एनएम, 140 मेगावाट पर 280 ± 10 एनएम और 80 मेगावाट पर 260 ± 10 एनएम। "