OSRAM Opto Semiconductors paziņoja, ka vada valdības finansētu pētniecības grupu, lai kopīgi izstrādātu jaudīgu, uz masu tirgu orientētu ultravioleto (UV) LED mikroshēmu. Ultravioleto gaismu var izmantot dažādos pielietojumos, piemēram, konservēšanā (žāvēšanā), dezinfekcijā, ražošanā, medicīnā un dzīvības zinātnēs. Tradicionāliem gaismas avotiem, kas nav LED gaismas avoti, piemēram, dzīvsudraba tvaiku lampām, ir zināms potenciāls apdraudējums. Turklāt daudzas tirgū esošās UV LED mikroshēmas izstaro gaismu dažos noderīgos viļņu garumos bez izmaksu priekšrocībām. OSRAM teica: "Mūsu sadarbības mērķis ir nodrošināt lieljaudas UV gaismas diodes, kas aptver dažādas lietojumprogrammas." šīs gaismas diodes galu galā aizstās tradicionālo UV gaismas avotu, kas satur dzīvsudrabu. "OSRAM teica, ka jaunā lieljaudas mikroshēma "var arī atvērt jaunus lietojumprogrammu laukus."

UV ir jauna LED ražotāju joma. Piegādātāji ietver rayvio, Nikkiso, vital vio, sensoru elektroniskās tehnoloģijas, LG Innotek utt. OSRAM vadīto pētījumu grupu finansē Vācijas Federālā izglītības un pētniecības ministrija (BMBF). Tā cer līdz 2020. gadam izstrādāt prototipu ar viļņa garumu no aptuveni 250 nm līdz 310 nm, aptverot dažus UV-B un UV-C spektrus. Parasti ultravioletās gaismas diapazons ir aptuveni no 100 nm līdz aptuveni 380 vai 400 nm. Tā ir īsviļņu neredzamā spektra daļa.

OSRAM izlaida UV LED mikroshēmas fotoattēlu izstrādes stadijā. Fotoattēls nāk no Ferdinanda Brauna institūta, Leibnicas institūta fur hochstfrequenztechnik (FBH) no Leibnicas federācijas Vācijā. Viens no izaicinājumiem ir uzlabot UV-B un UV-C spektru efektivitāti, kas prasa izrāvienu materiālu jomā un paplašina lietojumus citās jomās. nekā UV-A cietēšana. "Osram" vadītā komanda izmanto gallija alumīnija nitrīda (algan) materiālu sistēmu. papildus osram, pārējās četras pētniecības grupas ir: ferdinand braun institut, leibniz institut fur hochstfrequenztechnik (fbh)); berlīnes tehnoloģiju institūts; laytec ag; un fbh split uvphotonics nt gmbh.

OSRAM ir atbildīgs par diapazonu no 270-290 nm, FBH apstrādā epitaksiju diapazonā no 290-310 nm un apstrādā epitaksiālo plāksni UV mikroshēmā; Berlīnes Politehniskajai universitātei ir pieredze AlGaN jomā, koncentrējoties uz diapazonu no 250-270 nm; Laytec nodrošina tehnoloģiju epitaksiālo un plazmas kodināšanas sistēmu kontrolei; FBH optimizēts mikroshēmas dizains, koncentrējoties uz lielu strāvu un efektīvu dzesēšanu. Turklāt tas apkopo procesa datus no citiem partneriem un nodrošina tos pētnieku komandai. OSRAM teica: "Paredzams, ka jaunā LED gaismas jauda pārsniegs 120 MW plkst. 300 ± 10 nm, 140 MW pie 280 ± 10 nm un 80 MW plkst 260 ± 10 nm." pētnieku komanda arī veic ievērojamus uzlabojumus gaismas diožu novecošanās darbībā, lai tās varētu darboties ilgāk un ekonomiskāk. "