OSRAM Opto Semiconductors priopćio je da predvodi istraživačku skupinu koju financira vlada za zajednički razvoj ultraljubičastog (UV) led čipa visoke snage, orijentiranog na masovno tržište. Ultraljubičasto svjetlo može se koristiti u raznim primjenama, kao što su stvrdnjavanje (sušenje), dezinfekcija, proizvodnja, medicina i biološke znanosti. Tradicionalni neLED izvori svjetlosti, kao što su žarulje sa živinom parom, nose određene potencijalne opasnosti. Štoviše, mnogi UV LED čipovi na tržištu emitiraju svjetlost na nekim korisnim valnim duljinama bez prednosti u troškovima. OSRAM je rekao: "cilj naše suradnje je osigurati UV LED velike snage za pokrivanje raznih aplikacija." ove će LED diode s vremenom zamijeniti tradicionalni izvor UV svjetla koji sadrži živu. "OSRAM je rekao da bi novi čip velike snage "također mogao otvoriti nova polja primjene."

UV je polje u nastajanju za proizvođače LED dioda. Dobavljači uključuju rayvio, Nikkiso, vital vio, senzorsku elektroničku tehnologiju, LG Innotek itd. Istraživačku skupinu koju vodi OSRAM financira njemačko savezno ministarstvo obrazovanja i istraživanja (BMBF). Nadaju se razviti prototip s valnom duljinom od oko 250 nm do 310 nm do 2020., pokrivajući neke spektre UV-B i UV-C. Općenito, raspon ultraljubičastog svjetla je oko 100 nm do oko 380 ili 400 nm. To je kratkovalni nevidljivi dio spektra.

OSRAM je objavio fotografiju UV LED čipa u razvoju. Fotografija dolazi s Instituta Ferdinand Braun, Leibniz Institut fur hochstfrequenztechnik (FBH) Federacije Leibniz u Njemačkoj. Jedan od izazova je poboljšati učinkovitost UV-B i UV-C spektara, što zahtijeva napredak u materijalima i proširuje druge primjene nego UV-A stvrdnjavanje. The team led by OSRAM is using gallium aluminum nitride (AlGaN) material system.In addition to OSRAM, the other four research groups are: Ferdinand Braun Institut, Leibniz Institut fur hochstfrequenztechnik (FBH)); Berlin Institute of technology; LayTec AG； And FBH split uvphotonics NT GmbH.

OSRAM je odgovoran za raspon od 270-290-nm, FBH obrađuje epitaksiju u rasponu od 290-310nm, i obrađuje epitaksijalnu pločicu u UV čip; Berlinsko politehničko sveučilište ima stručnost u području AlGaN, fokusirajući se na raspon od 250-270 nm; Laytec pruža tehnologiju za kontrolu sustava epitaksijalnog i plazma jetkanja; FBH optimizirani dizajn čipa, fokusiran na veliku struju i učinkovito hlađenje. Osim toga, prikuplja procesne podatke od drugih partnera i daje ih istraživačkom timu. OSRAM je rekao: "očekuje se da će svjetlosna snaga novog LED-a premašiti 120 MW na 300 ± 10 nm, 140 MW at 280 ± 10 nm i 80 MW at 260 ± 10 nm." istraživački tim također značajno poboljšava ponašanje LED dioda u pogledu starenja kako bi mogle raditi dulje i ekonomičnije. "