오스람, 고출력 대량 시장 지향 UV LED 칩 개발 주도

OSRAM Opto Semiconductors는 고전력 대량 시장 지향 자외선(UV) LED 칩을 공동 개발하기 위해 정부 자금 지원 연구 그룹을 이끌고 있다고 말했습니다. 자외선은 경화(건조), 소독, 생산, 의학 및 생명 과학과 같은 다양한 응용 분야에서 사용될 수 있습니다. 수은 증기 램프와 같은 기존의 비 LED 광원에는 특정 잠재적 위험이 있습니다. 게다가 시장에 나와 있는 많은 UV LED 칩은 비용상의 이점 없이 일부 유용한 파장에서 빛을 발산합니다. 이러한 LED는 결국 수은을 포함하는 기존의 UV 광원을 대체할 것입니다. "OSRAM은 새로운 고전력 칩이 "또한 새로운 응용 분야를 열 수 있을 것"이라고 말했습니다.

UV는 LED 제조업체의 새로운 분야입니다. 공급업체에는 rayvio, Nikkiso, vital vio, sensor electronic technology, LG Innotek 등이 포함됩니다. OSRAM이 이끄는 연구 그룹은 독일 연방 교육 연구부(BMBF)에서 자금을 지원합니다. 2020년까지 일부 UV-B 및 UV-C 스펙트럼을 포함하는 약 250nm ~ 310nm 파장의 프로토타입을 개발하기를 희망합니다. 일반적으로 자외선의 범위는 약 100nm ~ 약 380 또는 400nm입니다. 그것은 스펙트럼의 보이지 않는 단파 부분입니다.

오스람이 개발 중인 UV LED 칩 사진을 공개했다. 사진은 독일 Leibniz Federation의 FBH(Ferdinand Braun Institut, Leibniz Institut fur hochstfrequenztechnik)에서 가져온 것입니다. 과제 중 하나는 UV-B 및 UV-C 스펙트럼의 효율성을 개선하는 것입니다. UV-A 경화보다 OSRAM이 이끄는 팀은 갈륨 알루미늄 질화물 (AlGaN) 재료 시스템을 사용하고 있습니다. OSRAM 외에도 다른 4 개의 연구 그룹은 Ferdinand Braun Institut, Leibniz Institut fur hochstazenztechnik (FBH); 베를린 기술 연구소; LayTec AG; 그리고 FBH는 uvphotonics NT GmbH를 분할합니다.

OSRAM은 270-290nm 범위를 담당하고 FBH는 290-310nm 범위에서 에피택시를 처리하고 에피택셜 웨이퍼를 UV 칩으로 처리합니다. Berlin Polytechnic University는 250-270nm 범위에 초점을 맞춘 AlGaN 분야의 전문성을 보유하고 있습니다. Laytec은 에피택시 및 플라즈마 식각 시스템을 제어하는 ​​기술을 제공합니다. 고전류 및 효율적인 냉각에 중점을 둔 FBH 최적화 칩 설계. 또 다른 협력사로부터 공정 데이터를 수집해 연구팀에 제공한다. 오스람은 “새 LED의 광출력은 300 ± 10nm, 140MW 280 ± 에서 10nm 및 80MW 260 ± 연구팀은 또한 LED가 더 오래 더 경제적으로 작동할 수 있도록 LED의 노화 거동을 크게 개선하고 있습니다. "