OSRAM yuqori quvvatli, ommaviy bozorga yo'naltirilgan UV LED chipini ishlab chiqishga rahbarlik qildi

OSRAM Opto Semiconductors kompaniyasi yuqori quvvatli, ommaviy bozorga yo'naltirilgan ultrabinafsha (UV) chipini birgalikda ishlab chiqish uchun hukumat tomonidan moliyalashtirilgan tadqiqot guruhiga rahbarlik qilayotganini aytdi. Ultrabinafsha nurlar davolash (quritish), dezinfektsiyalash, ishlab chiqarish, tibbiyot va hayot fanlari kabi turli xil ilovalarda ishlatilishi mumkin. Simob bug'li lampalar kabi an'anaviy LED bo'lmagan yorug'lik manbalari ma'lum potentsial xavflarga ega. Bundan tashqari, bozorda ko'plab UV LED chiplari xarajat afzalligisiz ba'zi foydali to'lqin uzunliklarida yorug'lik chiqaradi.OSRAM shunday dedi: "Bizning hamkorligimizdan maqsad turli ilovalarni qoplash uchun yuqori quvvatli UV LEDlarni taqdim etishdir". bu LEDlar oxir-oqibat simob o'z ichiga olgan an'anaviy UV yorug'lik manbasini almashtiradi. "OSRAM yangi yuqori quvvatli chip" yangi dastur maydonlarini ham ochishi mumkinligini aytdi.

UV - LED ishlab chiqaruvchilari uchun rivojlanayotgan maydon. Yetkazib beruvchilar orasida rayvio, Nikkiso, vital vio, sensor elektron texnologiyasi, LG Innotek va boshqalar bor. OSRAM boshchiligidagi tadqiqot guruhi Germaniya Federal Taʼlim va Tadqiqot vazirligi (BMBF) tomonidan moliyalashtiriladi. U 2020 yilga kelib to'lqin uzunligi taxminan 250 nm dan 310 nm gacha bo'lgan, ba'zi UV-B va UV-C spektrlarini qamrab oluvchi prototipni ishlab chiqishga umid qilmoqda. Umuman olganda, ultrabinafsha nurlar diapazoni taxminan 100 nm dan taxminan 380 yoki 400 nm gacha. Bu spektrning qisqa to'lqinli ko'rinmas qismidir.

OSRAM ishlab chiqilayotgan UV LED chipining suratini chiqardi. Surat Germaniyadagi Leybnits Federatsiyasining Leybnits federatsiyasining Ferdinand Braun instituti fur hochstfrequenztechnik (FBH) institutidan olingan. Muammolardan biri UV-B va UV-C spektrlarining samaradorligini oshirishdir. UV-A bilan davolashdan ko'ra. OSRAM'dan chiqarish muam gallium aluminium nitride (AlGaN) manzil tizimi tizimdan foydalanadi. OSRAM'dan bunding, boshqa to'rt qism guruhilar: Ferdinand Braun Institut, Leibniz Institut fur hochstfrequenztechnik (FBH)); Berlin technology Institute; LayTec AG; Va FBH uvphotonics NT GmbH- u

OSRAM 270-290 nm diapazon uchun mas'uldir, FBH 290-310 nm oralig'ida epitaksiyani qayta ishlaydi va epitaksial gofretni UV chipiga qayta ishlaydi; Berlin Politexnika Universiteti 250-270 nm diapazoniga e'tibor qaratgan AlGaN sohasida tajribaga ega; Laytec epitaksial va plazma qirqish tizimlarini boshqarish texnologiyasini taqdim etadi; FBH optimallashtirilgan chip dizayni, yuqori oqim va samarali sovutishga qaratilgan. Bundan tashqari, u boshqa hamkorlardan jarayon ma'lumotlarini to'playdi va tadqiqot guruhiga taqdim etadi.OSRAM shunday dedi: "yangi LEDning yorug'lik chiqishi 120 MVt dan oshishi kutilmoqda. 300 ± 10 nm, 140 MVt da 280 ± 10 nm va 80 MVt da 260 ± 10 nm." tadqiqot guruhi, shuningdek, uzoqroq va tejamkorroq ishlashi uchun LEDlarning qarish xatti-harakatlarini sezilarli darajada yaxshilaydi. "