OSRAM Opto Semiconductors sei dat it in troch de regearing finansierde ûndersyksgroep liede om tegearre in hege krêftige, massamarktrjochte ultraviolet (UV) led-chip te ûntwikkeljen. Ultraviolet ljocht kin brûkt wurde yn ferskate tapassingen, lykas genêzen (droegjen), desinfeksje, produksje, medisinen en libbenswittenskippen. Tradysjonele net-LED-ljochtboarnen, lykas kwikdamplampen, hawwe bepaalde potinsjele gefaren. Boppedat, in protte UV LED-chips op 'e merk emit ljocht op guon brûkbere golflingten sûnder kosten foardiel. OSRAM sei: "it doel fan ús gearwurking is te foarsjen hege-power UV LEDs te dekken ferskate applikaasjes." dizze LED's sille úteinlik de tradisjonele UV-ljochtboarne ferfange mei kwik. "OSRAM sei dat de nije chip mei hege krêft "ek nije applikaasjefjilden iepenje kin."

UV is in opkommende fjild foar LED-fabrikanten. Leveransiers befetsje rayvio, Nikkiso, vital vio, sensor elektroanyske technology, LG Innotek, ensfh.De ûndersyksgroep ûnder lieding fan OSRAM wurdt finansierd troch it Dútske Federale Ministearje fan Underwiis en Undersyk (BMBF). It hopet in prototype te ûntwikkeljen mei in golflingte fan sawat 250nm oant 310nm troch 2020, wat guon UV-B- en UV-C-spektra dekt. ​​Yn 't algemien is it berik fan ultraviolet ljocht sawat 100 nm oant sawat 380 of 400 nm. It is it koarte golf ûnsichtbere diel fan it spektrum.

OSRAM publisearre in foto fan in UV LED-chip yn ûntwikkeling. De foto komt fan Ferdinand Braun Institut, Leibniz Institut fur hochstfrequenztechnik (FBH) fan Leibniz Federaasje yn Dútslân. dan UV-A curing. De team dy' t OSRAM' t brûk fan gallium aluminium nitride (AlGaN) material- systeem. Asfoeg OSRAM, is de oare vier reseksgroepen: Ferdinand Braun Institut, Leibniz Institut fur hochstfrequenztechnik (FBH)); Berlin- Institut fan teknolojie; LayTec AG; En FBH split uvphotonics NT GmbH.

OSRAM is ferantwurdlik foar it berik fan 270-290-nm, FBH ferwurket de epitaksy yn it berik fan 290-310nm, en ferwurket de epitaksiale wafel yn 'e UV-chip; Berlin Polytechnic University hat ekspertize yn AlGaN fjild, rjochte op it berik fan 250-270 nm; Laytec leveret technology foar it kontrolearjen fan epitaksiale en plasma-etssystemen; FBH optimalisearre chipûntwerp, rjochte op hege aktuele en effisjinte koeling. Derneist sammelet it prosesgegevens fan oare partners en leveret it oan it ûndersyksteam.OSRAM sei: "de ljochtútfier fan 'e nije LED wurdt ferwachte om 120 MW te oerwinnen by 300 ± 10 nm, 140 MW at 280 ± 10 nm en 80 MW at 260 ± 10 nm." It ûndersyksteam makket ek wichtige ferbetteringen oan it fergrizinggedrach fan LED's, sadat se langer en ekonomysk kinne operearje. "