OSRAM Opto Semiconductors uvedl, že vede vládou financovanou výzkumnou skupinu, která má společně vyvinout vysoce výkonný, masově tržně orientovaný ultrafialový (UV) čip. Ultrafialové světlo lze použít v různých aplikacích, jako je vytvrzování (sušení), dezinfekce, výroba, lékařství a vědy o živé přírodě. Tradiční světelné zdroje jiné než LED, jako jsou rtuťové výbojky, mají určitá potenciální nebezpečí. Navíc mnoho UV LED čipů na trhu vyzařuje světlo v některých užitečných vlnových délkách bez cenové výhody. OSRAM řekl: "Cílem naší spolupráce je poskytovat vysoce výkonné UV LED diody pro pokrytí různých aplikací." tyto LED nakonec nahradí tradiční zdroj UV světla obsahující rtuť. "OSRAM řekl, že nový vysoce výkonný čip "může také otevřít nová aplikační pole."

UV je nově vznikající obor pro výrobce LED. Mezi dodavatele patří rayvio, Nikkiso, vital vio, senzorová elektronická technologie, LG Innotek atd. Výzkumná skupina vedená OSRAM je financována německým federálním ministerstvem školství a výzkumu (BMBF). Doufá, že do roku 2020 vyvine prototyp s vlnovou délkou asi 250 nm až 310 nm, který pokryje některá spektra UV-B a UV-C. Obecně je rozsah ultrafialového světla asi 100 nm až asi 380 nebo 400 nm. Je to krátkovlnná neviditelná část spektra.

OSRAM zveřejnil fotografii vyvíjeného UV LED čipu. Fotografie pochází z Ferdinand Braun Institut, Leibniz Institut fur hochstfrequenztechnik (FBH) z Leibniz Federation v Německu. Jednou z výzev je zlepšit účinnost UV-B a UV-C spekter, což vyžaduje průlom v materiálech a rozšiřuje další aplikace než UV-A vytvrzování. Tým pod vedením osram používá systém materiálu hliníkového nitridu (algan). kromě osram jsou další čtyři výzkumné skupiny: ferdinand braun institut, leibniz institut fur hochstfrequenztechnik (fbh); berlínský technologický institut; laytec ag; a fbh split uvphotonics nt gmbh.

OSRAM je zodpovědný za rozsah 270-290 nm, FBH zpracovává epitaxi v rozsahu 290-310 nm a zpracovává epitaxní wafer do UV čipu; Berlínská polytechnická univerzita má odborné znalosti v oblasti AlGaN se zaměřením na rozsah 250-270 nm; Laytec poskytuje technologii pro řízení systémů epitaxního a plazmového leptání; FBH optimalizovaný design čipu se zaměřením na vysoký proud a účinné chlazení. Kromě toho shromažďuje procesní data od jiných partnerů a poskytuje je výzkumnému týmu. OSRAM uvedl: „Očekává se, že světelný výkon nové LED překročí 120 MW při 300 ± 10 nm, 140 MW at 280 ± 10 nm a 80 MW at 260 ± 10 nm." výzkumný tým také výrazně zlepšuje chování LED diod při stárnutí, aby mohly fungovat déle a hospodárněji. "