OSRAM Opto Semiconductors cho biết họ đang lãnh đạo một nhóm nghiên cứu do chính phủ tài trợ để cùng nhau phát triển chip dẫn tia cực tím (UV) công suất cao, định hướng thị trường đại chúng. Tia cực tím có thể được sử dụng trong nhiều ứng dụng khác nhau, chẳng hạn như bảo dưỡng (làm khô), khử trùng, sản xuất, y học và khoa học đời sống. Các nguồn sáng không phải đèn LED truyền thống, chẳng hạn như đèn hơi thủy ngân, có một số nguy cơ tiềm ẩn nhất định. Hơn nữa, nhiều chip LED UV trên thị trường phát ra ánh sáng ở một số bước sóng hữu ích mà không có lợi thế về chi phí. OSRAM cho biết: "mục tiêu hợp tác của chúng tôi là cung cấp đèn LED UV công suất cao cho các ứng dụng khác nhau." những đèn LED này cuối cùng sẽ thay thế nguồn sáng UV truyền thống có chứa thủy ngân. "OSRAM nói rằng chip năng lượng cao mới" cũng có thể mở ra các lĩnh vực ứng dụng mới."

UV là một lĩnh vực mới nổi cho các nhà sản xuất đèn LED. Các nhà cung cấp bao gồm rayvio, Nikkiso, Vital vio, công nghệ điện tử cảm biến, LG Innotek, v.v. Nhóm nghiên cứu do OSRAM đứng đầu được tài trợ bởi Bộ Giáo dục và Nghiên cứu Liên bang Đức (BMBF). Nó hy vọng sẽ phát triển một nguyên mẫu có bước sóng khoảng 250nm đến 310nm vào năm 2020, bao phủ một số quang phổ UV-B và UV-C. Nói chung, phạm vi của tia cực tím là khoảng 100nm đến khoảng 380 hoặc 400nm. Nó là phần vô hình sóng ngắn của quang phổ.

OSRAM đã công bố một bức ảnh về chip LED UV đang được phát triển. Bức ảnh đến từ Ferdinand Braun Institut, Leibniz Institut fur hochstfrequenztechnik (FBH) của Liên đoàn Leibniz ở Đức. Một trong những thách thức là nâng cao hiệu quả của quang phổ UV-B và UV-C, đòi hỏi sự đột phá về vật liệu và mở rộng các ứng dụng khác so với bảo dưỡng UV-A. Đội ngũ do Osram dẫn đầu đang sử dụng hệ thống vật liệu nhôm gallium nitride (algan). ngoài Osram, bốn nhóm nghiên cứu còn lại là: Viện FERDINAND Braun, Viện leibniz Fur hochstfrequenztechnik (fbh); Viện Công nghệ Berlin; laytec AG; và fbh Split uvphotonics NT GmbH.

OSRAM chịu trách nhiệm về phạm vi 270-290-nm, FBH xử lý epitaxy trong phạm vi 290-310nm và xử lý wafer epiticular vào chip UV; Đại học Bách khoa Berlin có chuyên môn về lĩnh vực AlGaN, tập trung vào dải 250-270 nm; Laytec cung cấp công nghệ điều khiển hệ thống khắc epiticular và plasma; FBH tối ưu hóa thiết kế chip, tập trung vào dòng điện cao và làm mát hiệu quả. Ngoài ra, nó còn thu thập dữ liệu quy trình từ các đối tác khác và cung cấp cho nhóm nghiên cứu. OSRAM cho biết: "sản lượng ánh sáng của đèn LED mới dự kiến ​​sẽ vượt quá 120 MW tại 300 ± 10nm, 140 MW tại 280 ± 10 nm và 80 MW tại 260 ± 10 nm." nhóm nghiên cứu cũng đang thực hiện những cải tiến đáng kể đối với hành vi lão hóa của đèn LED để chúng có thể hoạt động lâu hơn và tiết kiệm hơn. "