OSRAM Opto Semiconductors te di ke li te mennen yon gwoup rechèch gouvènman finanse ansanm devlope yon gwo pouvwa, mas mache-oryante iltravyolèt (UV) chip dirije. Limyè iltravyolèt ka itilize nan divès aplikasyon, tankou geri (seche), dezenfeksyon, pwodiksyon, medikaman ak syans lavi. Sous limyè tradisyonèl ki pa dirije, tankou lanp vapè mèki, gen sèten danje potansyèl. Anplis, anpil UV LED chips sou mache a emèt limyè nan kèk longèdonn itil san avantaj pri.OSRAM te di: "objektif la nan koperasyon nou an se bay gwo pouvwa UV LED yo kouvri aplikasyon pou divès kalite." LED sa yo pral evantyèlman ranplase sous tradisyonèl UV limyè ki gen mèki. "OSRAM te di ke nouvo chip segondè-pouvwa a "ka tou louvri nouvo jaden aplikasyon."

UV se yon jaden émergentes pou manifaktirè dirije. Founisè yo enkli rayvio, Nikkiso, Vio vital, Capteur teknoloji elektwonik, LG Innotek, elatriye Gwoup rechèch ki te dirije pa OSRAM finanse pa Ministè Federal Alman pou Edikasyon ak Rechèch (BMBF). Li espere devlope yon pwototip ak yon longèdonn apeprè 250nm a 310nm pa 2020, ki kouvri kèk UV-B ak UV-C spectra.Anjeneral, seri a nan limyè iltravyolèt se sou 100 nm a apeprè 380 oswa 400 nm. Li se pati envizib vag kout nan spectre la.

OSRAM te pibliye yon foto yon chip UV ki ap dirije sou devlopman. Foto a soti nan Ferdinand Braun Enstiti, Leibniz Enstiti four hochstfrequenztechnik (FBH) nan Leibniz Federasyon nan Almay. Youn nan defi yo se amelyore efikasite nan UV-B ak UV-C spectre, ki mande pou yon zouti nan materyèl ak pwolonje aplikasyon pou lòt. pase UV-A geri. Ekip la ap dirije pa OSRAM ap itilize l aluminym nitride (AlGaN). Anplis OSRAM, kat lòt gwoup fè rechèch se: Ferdinand Braun Institut, Leibniz Institut fur hochstfrequenztechnik (FBH)); Institi teknoloji Berlin; LayTec AG; Et FBH separe uvphotonics NT GmbH.

OSRAM responsab pou ranje 270-290-nm, FBH trete epitaksi a nan ranje 290-310nm, ak trete wafer epitaxial la nan chip UV la; Berlin Polytechnic University gen ekspètiz nan jaden AlGaN, konsantre sou seri a nan 250-270 nm; Laytec bay teknoloji pou kontwole epitaxial ak plasma grave sistèm; FBH optimize konsepsyon chip, konsantre sou segondè refwadisman aktyèl ak efikas. Anplis de sa, li kolekte done pwosesis ki soti nan lòt patnè epi li bay ekip rechèch la. OSRAM te di: "pwodiksyon limyè nouvo dirije a espere depase 120 MW nan 300 ± 10 nm, 140 MW nan 280 ± 10 nm ak 80 MW nan 260 ± 10 nm." ekip rechèch la ap fè tou amelyorasyon enpòtan nan konpòtman aje nan LED yo pou yo ka opere pi long ak plis ekonomikman. "