OSRAM Opto Semiconductors sa att de ledde en regeringsfinansierad forskargrupp för att gemensamt utveckla ett högeffekts, massmarknadsorienterat ultraviolett (UV) led-chip. Ultraviolett ljus kan användas i olika applikationer, såsom härdning (torkning), desinfektion, produktion, medicin och biovetenskap. Traditionella icke-LED-ljuskällor, såsom kvicksilverånglampor, har vissa potentiella faror. Dessutom sänder många UV LED-chips på marknaden ut ljus vid några användbara våglängder utan kostnadsfördelar. OSRAM sa: "Målet med vårt samarbete är att tillhandahålla UV-LED med hög effekt för att täcka olika applikationer." dessa lysdioder kommer så småningom att ersätta den traditionella UV-ljuskällan som innehåller kvicksilver. "OSRAM sa att det nya högeffektschippet "också kan öppna upp nya applikationsfält."

UV är ett växande område för LED-tillverkare. Leverantörer inkluderar rayvio, Nikkiso, vital vio, sensorelektronik, LG Innotek, etc. Forskargruppen som leds av OSRAM finansieras av det tyska förbundsministeriet för utbildning och forskning (BMBF). Man hoppas kunna utveckla en prototyp med en våglängd på cirka 250 nm till 310 nm år 2020, som täcker vissa UV-B- och UV-C-spektra. Generellt sett är intervallet för ultraviolett ljus cirka 100 nm till cirka 380 eller 400 nm. Det är den kortvågiga osynliga delen av spektrumet.

OSRAM släppte ett foto av ett UV LED-chip under utveckling. Bilden kommer från Ferdinand Braun Institut, Leibniz Institut fur hochstfrequenztechnik (FBH) från Leibniz Federation i Tyskland. En av utmaningarna är att förbättra effektiviteten hos UV-B och UV-C spektra, vilket kräver ett genombrott i material och utökar tillämpningar andra än UV-A härdning. Det team som leds av OSRAM använder gallium aluminiumnitrid (AlGaN) materialsystem. Förutom OSRAM är de övriga fyra forskargrupperna: Ferdinand Braun Institut, Leibniz Institut fur hochst frequenztechnik (FBH); Och FBH delade uvphotonics NT GmbH.

OSRAM ansvarar för intervallet 270-290 nm, FBH bearbetar epitaxi i intervallet 290-310 nm och bearbetar den epitaxiella skivan till UV-chipet; Berlin Polytechnic University har expertis inom AlGaN-området, med fokus på området 250-270 nm; Laytec tillhandahåller teknik för att kontrollera epitaxial- och plasmaetsningssystem; FBH-optimerad chipdesign, med fokus på hög ström och effektiv kylning. Dessutom samlar den in processdata från andra partners och tillhandahåller den till forskargruppen. OSRAM sa: "ljuseffekten från den nya lysdioden förväntas överstiga 120 MW kl. 300 ± 10 nm, 140 MW vid 280 ± 10 nm och 80 MW vid 260 ± 10 nm." forskargruppen gör också betydande förbättringar av åldringsbeteendet hos lysdioder så att de kan fungera längre och mer ekonomiskt. "