Družba OSRAM Opto Semiconductors je sporočila, da vodi raziskovalno skupino, ki jo financira vlada, da bi skupaj razvili visokozmogljiv, masovno tržno usmerjen čip z ultravijolično (UV) svetlobo. Ultravijolično svetlobo je mogoče uporabiti v različnih aplikacijah, kot so strjevanje (sušenje), dezinfekcija, proizvodnja, medicina in znanosti o življenju. Tradicionalni viri svetlobe, ki niso LED, kot so žarnice z živosrebrovo paro, imajo določene potencialne nevarnosti. Poleg tega številni čipi UV LED na trgu oddajajo svetlobo na nekaterih uporabnih valovnih dolžinah brez stroškovne prednosti. OSRAM je dejal: "cilj našega sodelovanja je zagotoviti visoko zmogljive UV LED za pokrivanje različnih aplikacij." te LED diode bodo sčasoma nadomestile tradicionalni vir UV svetlobe, ki vsebuje živo srebro. "OSRAM je dejal, da bo novi visoko zmogljivi čip "lahko odprl tudi nova področja uporabe."

UV je nastajajoče področje za proizvajalce LED. Dobavitelji vključujejo rayvio, Nikkiso, vital vio, senzorsko elektronsko tehnologijo, LG Innotek itd. Raziskovalno skupino, ki jo vodi OSRAM, financira nemško zvezno ministrstvo za izobraževanje in raziskave (BMBF). Upajo, da bodo do leta 2020 razvili prototip z valovno dolžino od približno 250 nm do 310 nm, ki bo pokrival nekatere spektre UV-B in UV-C. Na splošno je obseg ultravijolične svetlobe približno 100 nm do približno 380 ali 400 nm. Je kratkovalovni nevidni del spektra.

OSRAM je objavil fotografijo UV LED čipa v razvoju. Fotografija izvira iz inštituta Ferdinand Braun, Leibniz Institut fur hochstfrequenztechnik (FBH) Leibnizove federacije v Nemčiji. Eden od izzivov je izboljšanje učinkovitosti spektrov UV-B in UV-C, kar zahteva preboj v materialih in razširja druge aplikacije kot UV-A utrjevanje. Ekipa, ki jo vodi OSRAM, uporablja sistem aluminijevega nitrida (AlGaN). Poleg OSRAM-a so ostale štiri raziskovalne skupine: Ferdinand Braun Institut, Leibniz Institut za krzna hochst frequenztechnik (FBH); In FBH je razdelil uvphotonics NT GmbH.

OSRAM je odgovoren za območje 270-290-nm, FBH obdeluje epitaksijo v območju 290-310 nm in obdela epitaksialno rezino v UV-čip; Berlinska politehnična univerza ima strokovno znanje na področju AlGaN, osredotočeno na območje 250-270 nm; Laytec zagotavlja tehnologijo za krmiljenje sistemov za epitaksialno in plazemsko jedkanje; FBH optimizirana zasnova čipov, ki se osredotoča na visok tok in učinkovito hlajenje. Poleg tega zbira procesne podatke od drugih partnerjev in jih posreduje raziskovalni skupini. OSRAM je dejal: "svetlobna moč nove LED naj bi presegla 120 MW pri 300 ± 10 nm, 140 MW pri 280 ± 10 nm in 80 MW pri 260 ± 10 nm." Raziskovalna skupina prav tako bistveno izboljša obnašanje LED pri staranju, tako da lahko delujejo dlje in bolj ekonomično. "