OSRAM возглавила разработку мощного чипа для УФ-светодиодов, ориентированного на массовый рынок.

OSRAM Opto Semiconductors заявила, что возглавляет финансируемую государством исследовательскую группу для совместной разработки мощного чипа с ультрафиолетовой (УФ) светодиодной подсветкой, ориентированного на массовый рынок. Ультрафиолетовый свет может использоваться в различных областях, таких как лечение (сушка), дезинфекция, производство, медицина и науки о жизни. Традиционные не светодиодные источники света, такие как ртутные лампы, представляют определенную потенциальную опасность. Более того, многие чипы УФ-светодиодов на рынке излучают свет на некоторых полезных длинах волн без каких-либо экономических преимуществ. OSRAM заявила: «Целью нашего сотрудничества является предоставление мощных УФ-светодиодов для различных приложений». эти светодиоды в конечном итоге заменят традиционный источник УФ-излучения, содержащий ртуть. «OSRAM заявила, что новый мощный чип «также может открыть новые области применения».

УФ-излучение — новая область для производителей светодиодов. В число поставщиков входят Rayvio, Nikkiso, Vitual Vio, Sensor Electronic Technology, LG Innotek и т. д. Исследовательская группа под руководством OSRAM финансируется Федеральным министерством образования и исследований Германии (BMBF). Компания надеется разработать прототип с длиной волны от 250 до 310 нм к 2020 году, охватывающий некоторые спектры УФ-В и УФ-С. Обычно диапазон ультрафиолетового излучения составляет от 100 до 380 или 400 нм. Это коротковолновая невидимая часть спектра.

OSRAM опубликовала фотографию разрабатываемого чипа УФ-светодиода. Фотография предоставлена ​​Институтом Фердинанда Брауна, Институтом высокочастотной техники им. Лейбница (FBH) Федерации Лейбница в Германии. Одной из задач является повышение эффективности спектров УФ-В и УФ-С, что требует прорыва в материалах и расширения областей применения. чем отверждение УФ-А. Команда под руководством OSRAM использует систему материалов из нитрида алюминия галлия (AlGaN). Помимо OSRAM, другие четыре исследовательские группы: Институт Фердинанда Брауна, Leibniz Institut fur hochstfrefuenztechnik (FBH); Берлинский технологический институт; LayTec AG; И FBH сплит uvphotonics NT GmbH.

OSRAM отвечает за диапазон 270–290 нм, FBH обрабатывает эпитаксию в диапазоне 290–310 нм и перерабатывает эпитаксиальную пластину в УФ-чип; Берлинский политехнический университет обладает опытом в области AlGaN, уделяя особое внимание диапазону 250-270 нм; Laytec предоставляет технологии для управления системами эпитаксиального и плазменного травления; Оптимизированная конструкция чипа FBH с упором на большой ток и эффективное охлаждение. Кроме того, он собирает технологические данные от других партнеров и предоставляет их исследовательской группе. 300 ± 10 нм, 140 МВт при 280 ± 10 нм и 80 МВт при 260 ± 10 нм». Исследовательская группа также вносит значительные улучшения в поведение светодиодов при старении, чтобы они могли работать дольше и экономичнее. "