A OSRAM Opto Semiconductors disse que está liderando um grupo de pesquisa financiado pelo governo para desenvolver em conjunto um chip led ultravioleta (UV) orientado para o mercado de massa de alta potência. A luz ultravioleta pode ser usada em várias aplicações, como cura (secagem), desinfecção, produção, medicina e ciências da vida. Fontes de luz tradicionais não LED, como lâmpadas de vapor de mercúrio, apresentam certos riscos potenciais. Além disso, muitos chips de LED UV no mercado emitem luz em alguns comprimentos de onda úteis sem vantagem de custo. A OSRAM disse: "o objetivo de nossa cooperação é fornecer LEDs UV de alta potência para cobrir várias aplicações." esses LEDs acabarão por substituir a tradicional fonte de luz UV contendo mercúrio. "OSRAM disse que o novo chip de alta potência "também pode abrir novos campos de aplicação."

UV é um campo emergente para os fabricantes de LED. Os fornecedores incluem rayvio, Nikkiso, vital vio, sensor electronic technology, LG Innotek, etc. O grupo de pesquisa liderado pela OSRAM é financiado pelo Ministério Federal Alemão de Educação e Pesquisa (BMBF). Ele espera desenvolver um protótipo com um comprimento de onda de cerca de 250 nm a 310 nm até 2020, cobrindo alguns espectros UV-B e UV-C. Geralmente, a faixa de luz ultravioleta é de cerca de 100 nm a cerca de 380 ou 400 nm. É a parte invisível de ondas curtas do espectro.

A OSRAM divulgou uma foto de um chip LED UV em desenvolvimento. A foto vem do Ferdinand Braun Institut, Leibniz Institut fur hochstfrequenztechnik (FBH) da Leibniz Federation na Alemanha. do que a cura UV-A. A equipe liderada pela OSRAM está usando sistema de material de nitreto de alumínio de gálio (AlGaN). Além da OSRAM, os outros quatro grupos de pesquisa são: Ferdinand Braun Institut, Leibniz Institut fur hochstfrequenztechnik (FBH)); Instituto de tecnologia de Berlim; LayTec AG; E FBH split uvphotonics NT GmbH.

A OSRAM é responsável pela faixa de 270-290 nm, a FBH processa a epitaxia na faixa de 290-310 nm e processa o wafer epitaxial no chip UV; A Universidade Politécnica de Berlim tem experiência no campo AlGaN, com foco na faixa de 250-270 nm; A Laytec fornece tecnologia para controlar sistemas de ataque epitaxial e plasma; Design de chip otimizado FBH, com foco em resfriamento eficiente e de alta corrente. Além disso, coleta dados de processo de outros parceiros e os fornece à equipe de pesquisa. A OSRAM disse: "espera-se que a saída de luz do novo LED exceda 120 MW em 300 ± 10 nm, 140 MW em 280 ± 10 nm e 80 MW em 260 ± 10 nm." a equipe de pesquisa também está fazendo melhorias significativas no comportamento de envelhecimento dos LEDs, para que possam operar por mais tempo e de forma mais econômica. "