LED Lamp Beads -level Beading Lighting Technology Route Improvement Route

Ny tsipika fahaiza-manao jiro LED jiro dia ampidirina amin'ny fanitarana, substrate, fonosana, vakana jiro LED fotsy, sns. Ny vakana jiro LED mena, maitso ary manga dia fitambarana hazakazaka III-V toy ny phosphorus, arsenika, nitrogen, sns. GAN) sy rafitra semi-guidance hafa. 1. Ny fahaizan'ny vidin'ny vakana jiro LED nanitatra ny vakana jiro LED nandritra ny folo taona mahery dia nanatsara ny fizotry ny fitomboana amin'ny alàlan'ny fanatsarana. Na izany aza, ny azota galfa gan amin'ny vakana jiro fotsy mahazatra sy ny makarakara ny makarakara eo anelanelan'ny substrate sy ny tsy mahafa-po ny coefficient ny fanitarana hafanana dia mbola miteraka fahasahiranana be dia be. Efa hatry ny ela ny fandalinana ny fahaizan'ny vakana jiro LED mampihena ny hakitroky ny hakitroky ary manatsara ny kalitao kristaly amin'ny vakana jiro LED amin'ny alina indrindra. Ny fanitarana ny vakana jiro LED dia ny departemanta mifantoka amin'ny vakana jiro LED. Ny halavan'ny onjam-pandrefesana, ny voltase mandroso, ny famirapiratana, na ny habetsaky ny jiro LED dia miankina amin'ny fitaovana. Ny fahaiza-manaon'ny fanitarana sy ny fitaovana no fanalahidin'ny fahaizana manamboatra ny sarimihetsika fanitarana. Ny fahaiza-manaon'ny metaly organika qi deposition (MOCVD) dia tena ilaina amin'ny fitomboan'ny famaritana vakana jiro LED III. Ny tsy fisian'ny mason-tsivana ivelany dia ampiasaina ho ivon-toeram-piraisankina tsy mamirapiratra tsy misy taratra, izay misy fiantraikany lehibe amin'ny fiasan'ny optika ny fitaovana. Fanitarana fanitarana vakana jiro LED sy fikarohana fahaiza-manao fanitarana: Bevohoka ny fahaizan'ny fitomboan'ny vakana jiro LED, ary misy dikanteny marobe sy singa ambany IN amin'ny adin-tsaina efa napetraka ao Ingan. “Dobo fitahirizana ”Avy eo dia manafana sy mampitombo ny sosona sakana GAN mba hanatsarana ny kalitaon'ny krystaly amin'ny sosona sakana, ny sosona sakana Ingaaln na ny adin-tsain'ny fitomboan'ny grid. Ny trap quantum dia manana faritra loharano Ingan/Gan quantum trap. Ny faritra loharano dia ifantohan'ny vakana jiro LED. Ny fanalahidin'ny fitomboana Ingan quantum trap dia ny fifehezana ny adin'ny fandrika quantum, ny fampihenana ny vokatry ny polarization. Ny fitomboan'ny vakana jiro LED tato anatin'ny taona vitsivitsy, ny sosona fanitarana ny jiro LED vakana sy ny fanitarana fahaiza-manao efa matotra. Ny fahombiazan'ny quantum anatiny amin'ny vakana jiro LED dia nahatratra mihoatra ny 90%. Na izany aza, amin'ny fandalinana ny vakana jiro LED herinaratra, ny fahombiazan'ny quantum amin'ny famoronana ny tsindrona amin'izao fotoana izao dia manan-danja, ary antsoina hoe DROOP effect. Ny fiantraikan'ny DROOP amin'ny vakana jiro LED mifototra amin'ny GAN dia mitongilana amin'ny toerana misy ny mpitatitra. Ny famoronana fitsapana dia manaiky fandrika midadasika mba hampihenana ny hakitroky ny mpitatitra ary hanatsara ny sosona elektronika amin'ny faritra miendrika P. Ny fahaiza-manao amin'ny antsipiriany hafa amin'ny filaharan'ny fanitarana jiro LED sy ny fikarohana momba ny fanitarana dia: Ny fisehoan'ny vakana jiro LED dia tara amin'ny endriny, izay mifanaraka amin'ny zoro tetezamita mba hisorohana ny taratry ny hazavana feno. Ny fahasamihafan'ny mari-pamantarana refractive sy ny akora famonosana dia vokatry ny fiaingan'ny fivoahan'ny departemanta dia ho hita taratra any amin'ny sosona fanitarana. Ny dingana dia voasazy mivantana amin'ny fanariana ny endrika fanitarana, ary mora ny manimba ny fanitarana ny loharanon'ny fanitarana, ary ny electrode mangarahara dia sarotra kokoa ny manangana. Lalana azo atao izy io mba hahatongavana amin'ny endrika manjavozavo amin'ny alàlan'ny fifindrana amin'ny fanitarana ny sosona fahatarana ivelany. Ny fahaiza-miasa amin'ny jiro LED vakana safira substrate tamin'ny laser fanalana fahaiza-manao dia mifototra amin'ny GAN homogeneous fanitarana sy ny fahaiza-mitombo, coaxing UV tamin'ny laser irradiation fototra, mitsonika tetezamita sosona peeling. Hatramin'ny 75%, avo telo heny noho ny mahazatra izy io, ary namorona ny tsipika famokarana. LED jiro vakana pour chip fahaiza-manao. Araka ny angon-drakitra orinasa Lumileds, jiro LED vakana ny safira substrate tahan'ny fitomboana eo amin'ny 1.6 heny. Ho fanampin'ny hazavana eo anoloana amin'ny vakana jiro LED, afa-tsy ny eo anoloan'ny hazavana, ny jiro fivoahana amin'ny endrika hafa dia maneho araka izay azo atao miverina amin'ny fanitarana ny fanitarana, ary ny fampiroboroboana farany dia avy eo anoloana. Ny micro-layout amin'ny kristaly fotona roa dimension'ny vakana jiro Lyric dia mety hihoatra ny fahombiazan'ny hazavana mitsambikina. Tamin'ny Septambra 2003, nisy vakana jiro LED misy savaivony 1,5 microns sy 0,5 microns amin'ny haavon'ny 0,5 microns naorina. Faharoa, ny chip fototra ny LED jiro vakana matetika mampiasa Chip fahaiza-manao tsipika matetika mampiasa safira substrates, silisiôma carbide substrates, silisiôma substrate telo taona alina, ary koa ny nitride, fanitso oxide sy ny sisa. Mahafeno ny fepetra takiana amin'ny fitaovana substrate: Mifanaraka ny fiovaovan'ny simika amin'ny substrate vakana lumine sy ny sosona membrane ivelany. Ny fitaovana substrate dia tsy maintsy manana invariability simika tsara. Ny taratry ny simika amin'ny fiompiana membrane dia mahatonga ny kalitaon'ny membrane mitsangana amin'ny tany; Ny substrate vakana jiro LED dia mifanandrify amin'ny coefficient fanitarana mafana amin'ny sosona membrane mitsangana, ary tsy mitovy ny coefficient fanitarana mafana. Potika ny fandringanana ny fitaovana; mifanaraka ny fisehon'ny fototra jiro LED sy ny sosona membrane ivelany. Ny fireneko LED jiro vakana silisiôma fototra fahaiza-manao dia nijaly noho ny fahaiza-manao breakthroughs, ary izy ireo dia mitombo ny fampiharana ny fananana ny taona-farany. Amin'izao fotoana izao, ny safira sy ny substrate silisiôma ihany no nampiasaina ho an'ny vakana jiro LED mifototra amin'ny GAN. Ny fitaovana substrate hafa azo ampiasaina amin'ny vakana jiro LED mifototra amin'ny GAN dia misaraka amin'ny fananana ary mifanaraka amin'ny substrate homogeneous GAN sy ny substrate ZNO.