LED chiroq boncuklar -darajali boncuklu yoritish texnologiyasi marshrutni yaxshilash marshruti

LED chiroq boncuklarini yoritish qobiliyatlari liniyalari kengaytma, substrat, qadoqlash, oq yorug'lik LED chiroq boncuklari va boshqalar bilan birlashtirilgan. Qizil, yashil va ko'k LED chiroq boncukları fosfor, mishyak, azot va boshqalar kabi III-V poyga birikmalaridir. GAN) va boshqa yarim boshqaruv tizimlari. 1. LED chiroq boncuklarining narx ko'nikmalari kengaytirilgan LED chiroq boncukları o'n yildan ortiq vaqt davomida takomillashtirish jarayoni orqali o'sish jarayonini yaxshiladi. Shu bilan birga, asosiy oq nurli yorug'lik boncuklarının azot galfa gan va substrat va issiqlik kengayish koeffitsientining qoniqarsiz koeffitsienti orasidagi panjara panjarasi hali ham juda yuqori -bit xato zichligi zichligiga sabab bo'ladi. Uzoq vaqt davomida LED chiroq boncuklarining zichlik zichligini kamaytirish va LED chiroq boncuklarının kristal sifatini eng ko'p tungacha yaxshilash qobiliyatini o'rganish bo'ldi. LED chiroq boncuklarining kengaytmasi LED chiroq boncuklarining diqqat markazidir. LED chiroq boncuklarining to'lqin uzunligi, to'g'ridan-to'g'ri kuchlanishi, yorqinligi yoki yorug'lik hajmi asosan moddiy materialga bog'liq. Kengaytma ko'nikmalari va jihozlari uzaytiruvchi filmni ishlab chiqarish ko'nikmalarining kalitidir. Metall organik materiallar qi cho'kma qobiliyatlari (MOCVD) III-LED chiroq boncuk spetsifikatsiyalari o'sishining muhim shartidir. Tashqi panjaraning yo'qligi, qurilmaning optik funktsiyasiga juda katta ta'sir ko'rsatadigan, porlamaydigan radiatsiyaviy bo'lmagan kompozit markaz sifatida ishlatiladi. LED chiroq boncuklarini kengaytirish tartibi va kengaytirish ko'nikmalarini tadqiq qilish: LED chiroq boncuklarining o'sish ko'nikmalari homilador va Ingan oldindan o'rnatilgan stressning ko'p sonli subtitrlari va past IN komponentlari “Sahifani ”Keyin to'siq qatlamining kristal sifatini, Ingaaln to'siq qatlamini yoki panjara o'sishining o'sish stressini yaxshilash uchun GAN to'siq qatlamini isitish va o'stirish. Kvant tuzog'i manba maydoni Ingan/Gan kvant tuzog'iga ega. Manba maydoni LED chiroq boncuklarining diqqat markazidir. Ingan kvant tuzog'ini o'stirishning kaliti kvant tuzog'ining stressini nazorat qilish, polarizatsiya ta'sirining ta'sirini kamaytirishdir. So'nggi yillarda LED chiroq boncuklarining o'sishi, LED chiroq boncuklarining kengaytma qatlami va kengaytirish ko'nikmalari etuk bo'ldi. LED chiroq boncuklarining ichki kvant samaradorligi 90% dan oshdi. Biroq, quvvatli LED chiroq boncuklarını o'rganishda, bir yillik oqim in'ektsiyasining ixtirosida kvant samaradorligi sezilarli bo'lib, u DROOP effekti deb ataladi. GAN asosidagi LED chiroq boncuklarining DROOP effekti dastlab tashuvchining lokalizatsiyasiga yo'naltirilgan. Sinov ixtirosi tashuvchining zichligini kamaytirish va P shaklidagi maydonning elektron tutilishi qatlamini optimallashtirish uchun keng kvant tuzog'ini qabul qiladi. LED chiroq boncuklarini kengaytirish tartibi va kengaytirish ko'nikmalarini tadqiq qilish bo'yicha boshqa batafsil ko'nikmalar quyidagilardir: qo'pol ko'rinishning ko'rinishi LED chiroq boncuklari tashqi ko'rinishda kechiktiriladi, bu yorug'likning to'liq aks etishini oldini olish uchun o'tish burchagi bilan mutanosibdir. Sinishi indeksi va qadoqlash materiali o'rtasidagi farq bo'limning chiqish joyidan chiqib ketishi tufayli yuzaga keladi va kengaytma qatlamiga qaytariladi. Jarayon to'g'ridan-to'g'ri kengaytma ko'rinishini yo'q qilish uchun jazolanadi va kengaytma manbasining kengaytmasini yo'q qilish oson va shaffof elektrodni qurish qiyinroq. Bu tashqi kechikish qatlamining kengaytmasiga o'tish orqali qo'pol ko'rinishga erishish mumkin bo'lgan yo'ldir. Mehnat ko'nikmalari LED chiroq boncuklari safir substrat lazerini tozalash ko'nikmalari GANning bir hil kengayishi va o'sish ko'nikmalariga asoslangan, UV lazerli nurlanish bazasini koaksatsiya qilish, o'tish qatlamini eritish. 75% gacha, bu an'anaviydan uch barobar ko'p va ishlab chiqarish liniyasini tashkil etdi. LED chiroq boncuk chip ko'nikmalarini quyinglar. Lumileds kompaniyasining ma'lumotlariga ko'ra, sapfir substratining o'sish sur'ati taxminan 1,6 baravar ko'p LED chiroq boncukları. LED chiroq boncuklarının old nuriga qo'shimcha ravishda, yorug'likning old qismidan tashqari, boshqa yuzlarning chiqish yorug'ligi kengaytmaning kengaytmasiga imkon qadar orqaga qaytariladi va yakuniy reklama old tomondan old tomondan bo'ladi. Lirik chiroq boncuklarining ikki o'lchovli foton kristallarining mikro-tartibi sakrab chiqadigan yorug'lik samaradorligidan oshib ketishi mumkin. 2003 yil sentyabr oyida diametri 1,5 mikron va 0,5 mikron balandligi 0,5 mikron bo'lgan LED chiroq boncuklari qurildi. Ikkinchidan, LED chiroq boncuklarının chip bazasi ko'pincha chip bazasi mahorat liniyalari ko'pincha safir substratlar, kremniy karbid substratlar, kremniy substrat uch yil kechasi, shuningdek, nitrid, sink oksidi va ishlab chiqilgan. Substrat materialiga qo'yiladigan talablarga javob berdi: lumine boncuk substratining kimyoviy o'zgarmasligi va tashqi membrana qatlami mos keladi. Substrat materiali yaxshi kimyoviy o'zgarmaslikka ega bo'lishi kerak. Membranani ko'paytirishning kimyoviy aks etishi vertikal membrananing sifatini quruqlikka olib keladi; LED chiroq boncuk substrati vertikal membrana qatlamining termal kengayish koeffitsientiga mos keladi va termal kengayish koeffitsientlari boshqacha. Qurilmaning yo'q qilinishi yo'q qilinadi; LED chiroq bazasining tartibi va tashqi membrana qatlami mos keladi. mening mamlakatim LED chiroq munchoqlar kremniy bazasi ko'nikmalari ko'nikmalar yutuqlaridan aziyat chekdi, va ular yil oxirida mulklashtirish qo'llash o'sib bormoqda. Hozirgi vaqtda GAN asosidagi LED chiroq boncuklari uchun faqat safir va silikon substratlar ishlatilgan. GAN asosidagi LED chiroq boncuklari uchun ishlatilishi mumkin bo'lgan boshqa substrat materiallari mulkdan ajratilgan va GAN bir hil substratlari va ZNO substratlari bilan mutanosibdir.