LED ランプ ビーズ レベル ビーズ 照明 技術 ルート 改善 ルート

LED ランプ ビーズ照明スキル ラインは、エクステンション、基板、パッケージング、白色光 LED ランプ ビーズなどと統合されています。 赤、緑、青の LED ランプ ビーズは、リン、ヒ素、窒素などの III-V 族化合物です。 GAN) およびその他の半誘導システム。 1. LEDランプビーズの価格スキルは、10年以上にわたってLEDランプビーズを拡張し、改善のプロセスを通じて成長プロセスを改善しました。 ただし、主流の白色光照明ビーズの窒素ガルファガンと、基板間の格子の格子と熱膨張係数の不飽和係数は、依然として非常に高いビットエラー密度密度を引き起こします。 長い間、LED ランプ ビーズの密度密度を下げ、LED ランプ ビーズの結晶品質を最大限に向上させる能力を研究してきました。 LED ランプ ビーズの拡張は、LED ランプ ビーズの焦点部門です。 LEDランプビーズの波長、順方向電圧、明るさ、または光量は、基本的に材料に依存します。 延伸技術と設備は、延伸フィルムの製造技術の鍵です。 有機金属材料気蒸着技術 (MOCVD) は、III-LED ランプ ビーズ仕様の成長に欠かせない重要な要素です。 外側の格子が存在しないことは、デバイスの光学機能に非常に大きな影響を与える非発光非放射複合中心として使用されます。 LED ランプ ビーズ エクステンション レイアウトとエクステンション スキルの研究: LED ランプ ビーズの成長スキルは妊娠しており、多数のサブタイトルとインガン プリマウント ストレスの低 IN コンポーネント “ストレージ池 ”次に、GANバリア層を加熱して成長させ、バリア層、インガルンバリア層の結晶品質、またはグリッドの成長の成長応力を改善します。 量子トラップには、ソース領域の Ingan/Gan 量子トラップがあります。 光源領域は、LED ランプ ビーズの焦点です。 Ingan 量子トラップを成長させる鍵は、量子トラップの応力を制御し、分極効果の影響を軽減することです。 ここ数年の LED ランプ ビーズの成長、LED ランプ ビーズの拡張層と拡張スキルは成熟しています。 LEDランプビーズの内部量子効率は90%以上に達しています。 しかし、パワーLEDランプビーズの研究では、数年前の電流注入の発明における量子効率が大きく、DROOP効果と呼ばれています。 GAN ベースの LED ランプ ビーズの DROOP 効果は、もともとキャリアの局在化に偏っています。 テスト発明は、広い量子トラップを受け入れて、キャリアの密度を低減し、P 形状領域の電子遮断層を最適化します。 LED ランプ ビーズ エクステンション レイアウトおよびエクステンション スキル研究のその他の詳細なスキルは次のとおりです。 屈折率と包装材料の差は、部門の出口の出発によって引き起こされ、伸張層に反射されます。 プロセスは、エクステンションの外観の処分のために直接罰せられ、エクステンションのソースのエクステンションを破壊しやすく、透明電極の構築がより困難になります。 外部遅延層の延長の推移を経てラフな外観にたどり着くまでの道のりです。 労務スキル LEDランプビーズサファイア基板レーザー剥離スキルは、GANの均一伸長・成長スキル、UVレーザー照射下地のコーキング、溶融遷移層剥離のスキルをベースにしています。 従来の3倍の75%まで、生産ラインを形成しています。 LED ランプ ビーズ ポア チップ スキル。 Lumileds 社のデータによると、LED ランプ ビーズのサファイア基板の成長率は約 1.6 倍です。 LEDランプビーズのフロントライトに加え、ライトのフロント以外は、他の面のアウトレットライトを極力反射させてエクステンションの延長部に戻し、究極のプロモーションはフロントのフロントから。 リリック ランプ ビーズの 2 次元光子結晶のマイクロ レイアウトは、跳躍する光の効率を超えることができます。 2003 年 9 月には、直径 1.5 ミクロン、高さ 0.5 ミクロンの LED ランプ ビーズが製造されました。 第二に、LED ランプ ビーズのチップ ベースは、多くの場合、チップ ベースのスキル ラインを使用して、サファイア基板、炭化ケイ素基板、シリコン基板の 3 年夜、および窒化物、酸化亜鉛などを開発しました。 基板材料の要件を満たしています。ルミネビーズ基板と外側の膜層の化学的不変性が一致しています。 基板材料は、優れた化学的不変性を備えている必要があります。 メンブレン繁殖の化学的反射により、垂直メンブレンの品質が着陸します。 LEDランプビーズ基板は、垂直膜層の熱膨張係数と一致し、熱膨張係数は異なります。 デバイスの破壊は破壊されます。 LED ランプのベースと外膜層のレイアウトが一致しています。 わが国のLEDランプ・ビーズ・シリコンベースのスキルはスキルブレイクスルーに苦しんでおり、年末の財産化申請まで成長している。 現在、製品化されているGANベースのLEDランプビーズに使用されているのはサファイアとシリコン基板のみです。 GAN ベースの LED ランプ ビーズに使用できるその他の基板材料は、プロパティから分離されており、GAN 均質基板および ZNO 基板と同等です。