LED燈珠級串珠照明技術路線改進路線

LED燈珠照明技能線集外延、基板、封裝、白光LED燈珠等為一體。 紅、綠、藍LED燈珠是磷、砷、氮等III-V族化合物。 GAN）和其他半制導系統。 1. LED燈珠的價格技巧延續了十多年的LED燈珠，通過改進的過程，提升了成長的過程。 但是，主流白光照明燈珠的氮氣和基板之間的晶格以及熱膨脹係數的不令人滿意的係數仍然導致非常高的誤碼密度密度。 一直以來，一直在研究LED燈珠降低密度密度和提高LED燈珠晶體質量的能力，直到最晚。 LED燈珠的延伸是LED燈珠的重點部門。 LED燈珠的波長、正向電壓、亮度或發光量基本上取決於材料材質。 延伸技術和設備是延伸膜製造技術的關鍵。 金屬有機材料氣相沉積技術（MOCVD）是生長III-LED燈珠規格的重要要素。 外晶格的缺失作為不發光的無輻射複合中心，對器件的光學功能有非常主要的影響。 LED燈珠外延佈局及外延技能研究：LED燈珠的成長技能孕育，大量字幕和低IN元件的英根預裝壓力 “儲水池 ”然後加熱生長GAN勢壘層以提高勢壘層的晶體質量、Ingaaln勢壘層或柵極生長的生長應力。 量子阱具有源區Ingan/Gan量子阱。 光源區是LED燈珠的重點。 生長Ingan量子阱的關鍵是控制量子阱的應力，減少極化效應的影響。 近幾年LED燈珠的成長，LED燈珠的外延層和外延技巧已經成熟。 LED燈珠的內量子效率已達到90%以上。 但是在大功率LED燈珠的研究中，發明歲電流注入的量子效率是顯著的，被稱為DROOP效應。 基於GAN的LED燈珠的DROOP效應原本偏向於載體的本地化。 本試驗發明接受寬量子阱，以降低載流子的密度，優化P型區域的電子攔截層。 LED燈珠外延佈局和外延技巧研究的其他詳細技巧有：外觀粗糙的LED燈珠外觀延遲，與過渡角度相稱，防止光線完全反射。 折光率與包裝材料的差異是由該部門的出口造成的，會反射回延伸層。 該工藝對延伸外觀的處置直接進行懲罰，容易破壞延伸源的延伸，透明電極更難搭建。 通過外延層外延的過渡，達到粗獷的外觀是一條可行的道路。 勞動技能 LED燈珠藍寶石襯底激光剝離技能是基於GAN均質延伸和生長技能，哄紫外激光照射基體，熔化過渡層剝離。 到75%，是傳統的三倍，已經形成了生產線。 LED燈珠倒芯片技巧。 根據 Lumileds 公司的數據，藍寶石基板的 LED 燈珠增長率約為 1.6 倍。 除了LED燈珠的前燈外，其他面的出射光都盡可能的反射回外延，最終的提升是從正面。 Lyric燈珠的二維光子晶體的微佈局可以超過跳躍光的效率。 2003年9月，建成直徑1.5微米、高度0.5微米、高度0.5微米的LED燈珠。 二、LED燈珠的芯片基板常採用芯片基板技術線常採用藍寶石基板、碳化矽基板、三年夜矽基板，以及氮化物、氧化鋅等開發出來的。 滿足基材材料要求：發光珠基材與外膜層化學不變性匹配。 基材必須具有良好的化學穩定性。 膜育種的化學反射導致垂直膜質量落地； LED燈珠基板與垂直膜層的熱膨脹係數相匹配，熱膨脹係數不同。 銷毀設備被銷毀； LED燈座與外膜層的佈局相匹配。 我國LED燈珠矽基技術遭遇技術突破，正在成長到年底應用產業化。 目前，只有藍寶石和矽基板已經用於商業化的基於 GAN 的 LED 燈珠。 其他可用於基於GAN的LED燈珠的基板材料與性質分開，與GAN均質基板和ZNO基板相稱。