LED Lamp Kralen -niveau Kralen Verlichting Technologie Route Verbeteringsroute

LED lamp kralen verlichting vaardigheidslijnen zijn geïntegreerd met extensie, substraat, verpakking, wit licht LED lamp kralen, etc. Rode, groene en blauwe LED-lampparels zijn III-V-raceverbindingen zoals fosfor, arseen, stikstof, enz. GAN) en andere semi-geleidingssystemen. 1. De prijsvaardigheid van LED-lampkralen verlengde LED-lampkralen voor meer dan tien jaar hebben het groeiproces verbeterd door het proces van verbetering. Het stikstofgalfaganaat van de hoofdstroomverlichtingsparels voor wit licht en het rooster van het rooster tussen het substraat en de onbevredigende coëfficiënt van de warmte-uitzettingscoëfficiënt veroorzaken echter nog steeds een zeer hoge bitfoutdichtheid. Het is lange tijd geweest om het vermogen van LED-lampkralen te bestuderen om de dichtheidsdichtheid te verminderen en de kristalkwaliteit van de LED-lampkralen tot de meeste nacht te verbeteren. De uitbreiding van LED lamp kralen is de focus afdeling van LED lamp kralen. De golflengte, voorwaartse spanning, helderheid of lichtvolume van LED-lampkralen hangt in principe af van het materiaalmateriaal. De uitbreidingsvaardigheden en apparatuur zijn de sleutel tot de productievaardigheden van de uitbreidingsfilm. Qi-depositievaardigheden van metaalorganisch materiaal (MOCVD) is een belangrijk essentieel onderdeel van de groei van specificaties voor III-LED-lampparels. De afwezigheid van het buitenste rooster wordt gebruikt als een niet-gloeiend niet-stralingscomposietcentrum, wat een zeer grote invloed heeft op de optische functie van het apparaat. LED lamp kralen extensie lay-out en uitbreiding vaardigheden onderzoek: de groei vaardigheden van LED lamp kralen zijn zwanger, en een groot aantal ondertitels en lage IN componenten van de Ingan voorgemonteerde spanning “Opslagvijver ”Vervolgens opwarmen en groeien van de GAN-barrièrelaag om de kristalkwaliteit van de barrièrelaag, de Ingaaln-barrièrelaag of de groeistress van de groei van het rooster te verbeteren. De kwantumval heeft een brongebied Ingan/Gan kwantumval. Het brongebied is de focus van LED-lampkralen. De sleutel tot het kweken van Ingan-kwantumval is om de spanning van de kwantumval te beheersen en de effecten van polarisatie-effecten te verminderen. De groei van LED-lampkralen in de afgelopen jaren, de uitbreidingslaag van LED-lampkralen en uitbreidingsvaardigheden zijn volwassen geworden. De interne kwantumefficiëntie van LED-lampkralen heeft meer dan 90% bereikt. In de studie van power LED-lampkralen is de kwantumefficiëntie bij de uitvinding van de eenjarige stroominjectie echter aanzienlijk, en dit wordt het DROOP-effect genoemd. Het DROOP-effect van op GAN gebaseerde LED-lampkralen is oorspronkelijk gericht op de lokalisatie van de drager. De testuitvinding accepteert een brede kwantumval om de dichtheid van de drager te verminderen en de elektronische onderscheppingslaag van het P-vormige gebied te optimaliseren. Andere gedetailleerde vaardigheden in de lay-out van de lay-out van LED-lampkralen en het onderzoek naar uitbreidingsvaardigheden zijn: Het uiterlijk van een ruw uiterlijk LED-lampkralen hebben een vertraagd uiterlijk, wat evenredig is met de overgangshoek om de volledige reflectie van het licht te voorkomen. Het verschil tussen de brekingsindex en het verpakkingsmateriaal wordt veroorzaakt doordat het vertrek van de afdelingsoutlet wordt teruggereflecteerd naar de extension layer. Het proces wordt direct gestraft voor het verwijderen van het uiterlijk van de extensie, en het is gemakkelijk om de extensie van de bron van de extensie te vernietigen, en de transparante elektrode is moeilijker te bouwen. Het is een haalbare weg om het ruwe uiterlijk te bereiken door de overgang van de uitbreiding van de externe vertragingslaag. Arbeidsvaardigheden LED-lampkralen saffiersubstraat laserstripvaardigheden zijn gebaseerd op GAN homogene extensie- en groeivaardigheden, coaxing UV-laserbestralingsbasis, smeltende overgangslaagpeeling. Tot 75% is het drie keer de traditionele, en het heeft de productielijn gevormd. LED lamp kraal pour chip skills. Volgens Lumileds bedrijfsgegevens, LED-lamp kralen van saffier substraat groeisnelheid van ongeveer 1,6 keer. Naast het voorlicht van LED-lampkralen, behalve de voorkant van het licht, reflecteert het uitlaatlicht van andere gezichten zoveel mogelijk terug naar de verlenging van de verlenging, en de ultieme promotie is vanaf de voorkant van de voorkant. De microlay-out van de tweedimensionale fotonkristallen van Lyric-lampparels kan de efficiëntie van springend licht overtreffen. In september 2003 werden LED-lampkralen met een diameter van 1,5 micron en 0,5 micron in de hoogte van 0,5 micron gebouwd. Ten tweede, de chipbasis van LED-lampkralen maakt vaak gebruik van chipbasisvaardigheden die vaak gebruik maken van saffiersubstraten, siliciumcarbidesubstraten, siliciumsubstraat driejarige nacht, evenals nitride, zinkoxide en ga zo maar door ontwikkeld. Voldeed aan de vereisten voor het substraatmateriaal: de chemische onveranderlijkheid van het luminekraalsubstraat en de buitenste membraanlaag is op elkaar afgestemd. Het substraatmateriaal moet een goede chemische onveranderlijkheid hebben. De chemische reflectie van membraanveredeling zorgt ervoor dat de kwaliteit van het verticale membraan aan land gaat; LED-lampkraalsubstraat komt overeen met de thermische uitzettingscoëfficiënt van de verticale membraanlaag en de thermische uitzettingscoëfficiënten zijn verschillend. De vernietiging van het apparaat wordt vernietigd; de lay-out van de LED-lampvoet en de buitenste membraanlaag is op elkaar afgestemd. De vaardigheden van de LED-lampkralen van mijn land op siliciumbasis hebben te lijden gehad van doorbraken in vaardigheden en ze groeien op naar de toepassing van eigendom van het einde van het jaar. Op dit moment zijn alleen saffieren en siliciumsubstraten die zijn gebruikt voor gecommercialiseerde GAN-gebaseerde LED-lampparels. Andere substraatmaterialen die kunnen worden gebruikt voor op GAN gebaseerde LED-lampparels zijn gescheiden van eigendom en komen overeen met GAN-homogene substraten en ZNO-substraten.