LED Lamp Beads -level Beading Tehnologia Iluminării Traseului Îmbunătățirea traseului

Liniile de abilități de iluminare cu margele de lămpi cu LED sunt integrate cu extensie, substrat, ambalaj, margele de lampă cu LED cu lumină albă etc. Margele lămpii LED roșii, verzi și albastre sunt compuși de cursă III-V, cum ar fi fosfor, arsen, azot etc. GAN) și alte sisteme de semi-ghidare. 1. Abilitățile de preț ale margelelor lămpii LED extinse margelele lămpii LED de mai bine de zece ani au îmbunătățit procesul de creștere prin procesul de îmbunătățire. Cu toate acestea, azotul galfa gan al perlelor de iluminare cu lumină albă principală și rețeaua rețelei dintre substrat și coeficientul nesatisfăcător al coeficientului de dilatare termică provoacă încă o densitate a erorii de biți foarte mare. Pentru o lungă perioadă de timp, a fost de a studia capacitatea margelelor lămpii LED de a reduce densitatea densității și de a îmbunătăți calitatea cristalului de margele de lămpi cu LED până la cea mai mare noapte. Extensia margelelor lămpii LED este departamentul de focalizare al margelelor lămpii LED. Lungimea de undă, tensiunea directă, luminozitatea sau volumul luminos al mărgelelor lămpii LED depinde în principal de materialul materialului. Abilitățile și echipamentele de extensie sunt cheia abilităților de fabricație a filmului de extensie. Abilitățile de depunere a qi a materialului organic metalic (MOCVD) este un element esențial important al creșterii specificațiilor talonului lămpii III-LED. Absența rețelei exterioare este utilizată ca un centru compozit neluminos, fără radiații, care are un impact foarte important asupra funcției optice a dispozitivului. Aspectul extinderii margelelor lămpii cu LED și cercetarea abilităților de extindere: abilitățile de creștere ale margelelor lămpii cu LED sunt pregnante și un număr mare de subtitrări și componente low IN ale stresului premontat Ingan “Iaz de stocare ”Apoi încălzirea și creșterea stratului de barieră GAN pentru a îmbunătăți calitatea cristalului stratului de barieră, a stratului de barieră Ingaaln sau stresul de creștere al creșterii grilei. Capcana cuantică are o zonă sursă capcană cuantică Ingan/Gan. Zona sursă este punctul central al mărgelelor lămpii LED. Cheia creșterii capcanei cuantice Ingan este de a controla stresul capcanei cuantice, de a reduce efectele efectelor de polarizare. Creșterea margelelor lămpii cu LED-uri în ultimii ani, stratul de extensie al margelelor lămpii cu LED-uri și abilitățile de extindere au fost mature. Eficiența cuantică internă a margelelor lămpii LED a atins peste 90%. Cu toate acestea, în studiul margelelor lămpii cu LED-uri de putere, eficiența cuantică în inventarea injecției de curent vechi de un an este semnificativă și se numește efectul DROOP. Efectul DROOP al perlelor lămpii LED bazate pe GAN este inițial orientat spre localizarea purtătorului. Invenția de testare acceptă o capcană cuantică largă pentru a reduce densitatea purtătorului și a optimiza stratul de interceptare electronică al zonei în formă de P. Alte abilități detaliate în aspectul extinderii margelelor lămpii cu LED-uri și cercetarea abilităților de extindere sunt: ​​Apariția granulelor lămpii LED cu aspect dur este întârziată în aspect, ceea ce este proporțional cu unghiul de tranziție pentru a preveni reflectarea completă a luminii. Diferența dintre indicele de refracție și materialul de ambalare este cauzată de plecarea prizei departamentului va fi reflectată înapoi în stratul de extensie. Procesul este pedepsit direct pentru eliminarea aspectului extensiei și este ușor să distrugi extensia sursei extensiei, iar electrodul transparent este mai dificil de construit. Este un drum fezabil pentru a ajunge la aspectul dur prin tranziția extinderii stratului de întârziere extern. Abilități de muncă Mărgelele lămpii LED substratul de safir abilitățile de stripare cu laser se bazează pe extinderea omogenă GAN și abilitățile de creștere, baza de iradiere cu laser UV coaxiant, peelingul stratului de tranziție de topire. La 75%, este de trei ori mai tradițional și a format linia de producție. Lămpi cu LED turnare mărgele abilități cip. Conform datelor companiei Lumileds, mărgele lămpii LED din safir rata de creștere a substratului de aproximativ 1,6 ori. Pe lângă lumina frontală a mărgelelor lămpii cu LED, cu excepția faței luminii, lumina de ieșire a altor fețe reflectă cât mai mult posibil înapoi la prelungirea extensiei, iar promovarea finală este din partea din față a față. Micro-dispunerea cristalelor fotonice bidimensionale ale margelelor lămpii Lyric poate depăși eficiența luminii sărituri. În septembrie 2003, au fost construite perle de lampă LED cu un diametru de 1,5 microni și 0,5 microni în înălțime de 0,5 microni. În al doilea rând, baza cip de margele lămpii LED folosește adesea linii de abilități de bază cip folosesc adesea substraturi de safir, substraturi de carbură de siliciu, substrat de siliciu trei ani de noapte, precum și nitrură, oxid de zinc și așa mai departe dezvoltate. A îndeplinit cerințele pentru materialul substratului: invariabilitatea chimică a substratului de mărgele de lumină și stratul exterior de membrană este potrivită. Materialul substratului trebuie să aibă o invariabilitate chimică bună. Reflexia chimică a reproducerii membranei face ca calitatea membranei verticale să aterizeze; Substratul mărgelelor lămpii LED se potrivește cu coeficientul de dilatare termică al stratului vertical de membrană, iar coeficienții de dilatare termică sunt diferiți. Distrugerea dispozitivului este distrusă; aspectul bazei lămpii LED și stratul exterior de membrană este potrivit. mărgele lămpii LED din țara mea competențe de bază de siliciu au suferit de descoperiri abilități, și sunt în creștere până la aplicarea proprietății de la sfârșitul anului. În prezent, doar safire și substraturi de siliciu care au fost utilizate pentru margele de lămpi cu LED-uri bazate pe GAN sunt comercializate. Alte materiale de substrat care pot fi utilizate pentru perlele lămpii LED pe bază de GAN sunt separate de proprietate și sunt proporționale cu substraturile omogene GAN și substraturile ZNO.