LED Lamp Beads -level Beading Lighting Technology Route Improvement Route

Ang mga linya sa kahanas sa suga sa LED lamp beads gisagol sa extension, substrate, packaging, puti nga suga nga LED lamp beads, ug uban pa. Ang pula, berde, ug asul nga LED lamp beads kay III-V race compounds sama sa phosphorus, arsenic, nitrogen, etc. GAN) ug uban pang mga semi-guidance system. 1. Ang mga kahanas sa presyo sa LED lamp beads gipalugway LED lamp beads sulod sa kapin sa napulo ka tuig nakapauswag sa proseso sa pagtubo pinaagi sa proseso sa pagpaayo. Bisan pa, ang nitrogen galfa gan sa mainstream white light lighting beads ug ang lattice sa lattice tali sa substrate ug ang dili makatagbaw nga coefficient sa heat expansion coefficient hinungdan gihapon sa taas kaayo nga -bit error density. Sa dugay nga panahon, gitun-an ang katakus sa LED lamp beads aron makunhuran ang density ug mapaayo ang kristal nga kalidad sa LED lamp beads hangtod sa labing kagabhion. Ang extension sa LED lamp beads mao ang focus department sa LED lamp beads. Ang wavelength, forward boltahe, kahayag, o sinaw nga gidaghanon sa LED lamp beads batakan nagdepende sa materyal nga materyal. Ang mga kahanas sa extension ug kagamitan mao ang yawe sa mga kahanas sa paghimo sa extension nga pelikula. Ang metal organikong materyal nga qi deposition skills (MOCVD) usa ka hinungdanon nga kinahanglanon sa pagtubo sa III-LED lamp bead specifications. Ang pagkawala sa gawas nga lattice gigamit isip non-glowing non-radiation composite center, nga adunay dakong epekto sa optical function sa device. LED lamp beads extension layout ug extension skills research: Ang mga kahanas sa pagtubo sa LED lamp beads mabdos, ug daghan nga subtitle ug ubos nga IN nga mga sangkap sa Ingan pre-mounted stress “Ang pondow ”Dayon pagpainit ug pagtubo sa GAN barrier layer aron mapalambo ang kristal nga kalidad sa barrier layer, ang Ingaaln barrier layer o ang growth stress sa pagtubo sa grid. Ang quantum trap adunay source area Ingan/Gan quantum trap. Ang gigikanan nga lugar mao ang pokus sa LED lamp beads. Ang yawe sa pagtubo sa Ingan quantum trap mao ang pagpugong sa stress sa quantum trap, pagpakunhod sa mga epekto sa polarization effect. Ang pagtubo sa LED lamp beads sa miaging mga tuig, ang extension layer sa LED lamp beads ug extension nga mga kahanas nahimo nang hamtong. Ang internal nga quantum efficiency sa LED lamp beads nakaabot sa labaw sa 90%. Bisan pa, sa pagtuon sa power LED lamp beads, ang quantum efficiency sa pag-imbento sa tuig nga kasamtangan nga indeyksiyon mahinungdanon, ug kini gitawag nga DROOP effect. Ang DROOP nga epekto sa GAN-based nga LED lamp beads kay orihinal nga bias ngadto sa localization sa carrier. Ang pag-imbento sa pagsulay nagdawat sa usa ka lapad nga lit-ag sa quantum aron makunhuran ang densidad sa carrier ug ma-optimize ang electronic interception layer sa P-shaped nga lugar. Ang ubang mga detalyado nga kahanas sa LED lamp beads extension layout ug extension skills research mao ang: Ang dagway sa bagis nga panagway LED lamp beads nalangan sa panagway, nga nahiuyon sa anggulo sa transisyon aron mapugngan ang bug-os nga pagpamalandong sa kahayag. Ang kalainan tali sa refractive index ug ang packaging nga materyal tungod sa pagbiya sa outlet sa departamento nga makita balik sa extension layer. Ang proseso direkta nga gisilotan alang sa paglabay sa extension nga panagway, ug kini mao ang sayon ​​sa paglaglag sa extension sa tinubdan sa extension, ug ang transparent electrode mao ang mas lisud nga sa pagtukod. Kini mao ang usa ka mahimo nga dalan sa pagkab-ot sa bagis nga panagway pinaagi sa transisyon sa extension sa gawas nga paglangan layer. Ang mga kahanas sa pagtrabaho LED lamp beads sapphire substrate laser stripping nga mga kahanas gibase sa GAN homogenous extension ug mga kahanas sa pagtubo, pag-coax sa UV laser irradiation base, pagtunaw sa transition layer peeling. Sa 75%, kini tulo ka beses nga tradisyonal, ug kini nagporma sa linya sa produksiyon. LED lamp bead ibubo chip kahanas. Sumala sa datos sa kompaniya sa Lumileds, ang LED lamp beads sa sapphire substrate growth rate nga mga 1.6 ka beses. Gawas pa sa atubangan nga kahayag sa LED lamp beads, gawas sa atubangan sa kahayag, ang outlet nga kahayag sa ubang mga nawong nagpakita kutob sa mahimo balik sa extension sa extension, ug ang katapusang promosyon gikan sa atubangan sa atubangan. Ang micro-layout sa duha ka-dimensional nga mga kristal nga photon sa Lyric lamp beads mahimong molapas sa kahusayan sa paglukso sa kahayag. Niadtong Septembre 2003, ang LED lamp beads nga adunay diyametro nga 1.5 microns ug 0.5 microns ang gitas-on nga 0.5 microns ang gitukod. Ikaduha, ang chip base sa LED lamp beads sagad naggamit sa chip base kahanas linya sa kasagaran naggamit sapiro substrates, silicon carbide substrates, silicon substrate tulo ka tuig nga gabii, ingon man sa nitride, zinc oxide ug sa ingon sa naugmad. Nakab-ot ang mga kinahanglanon alang sa materyal nga substrate: Ang pagkausab sa kemikal sa substrate sa lumine bead ug ang layer sa gawas nga lamad gipares. Ang substrate nga materyal kinahanglan nga adunay usa ka maayo nga kemikal nga invariability. Ang kemikal nga pagpamalandong sa pagpasanay sa lamad hinungdan sa kalidad sa bertikal nga lamad sa yuta; Ang LED lamp bead substrate motakdo sa thermal expansion coefficient sa vertical membrane layer, ug ang thermal expansion coefficient lahi. Ang pagkaguba sa aparato naguba; ang layout sa LED lamp base ug ang exterior membrane layer gipares. Ang akong nasud nga LED lamp beads silicon base kahanas nag-antus gikan sa mga kahanas breakthroughs, ug sila nagtubo sa paggamit sa propertyization sa tuig-katapusan. Sa pagkakaron, ang mga sapphires ug silicon substrates lamang nga gigamit para sa komersyalisadong GAN-based LED lamp beads ang. Ang ubang mga substrate nga materyales nga mahimong gamiton alang sa GAN-based LED lamp beads gibulag gikan sa kabtangan ug katugbang sa GAN homogenous substrates ug ZNO substrates.