Shanga za Taa za LED -kiwango cha Njia ya Uboreshaji wa Njia ya Uboreshaji wa Teknolojia ya Kuweka Beading

Mistari ya ujuzi wa taa za taa za LED zinaunganishwa na ugani, substrate, ufungaji, shanga nyeupe za taa za LED, nk. Shanga za taa za LED nyekundu, kijani na bluu ni misombo ya mbio za III-V kama vile fosforasi, arseniki, nitrojeni, nk. GAN) na mifumo mingine ya mwongozo wa nusu. 1. Ujuzi wa bei ya shanga za taa za LED zilizopanuliwa za taa za LED kwa zaidi ya miaka kumi zimeboresha mchakato wa ukuaji kupitia mchakato wa kuboresha. Hata hivyo, galfa gan ya nitrojeni ya shanga nyeupe za kawaida za mwanga na kimiani kati ya substrate na mgawo usioridhisha wa mgawo wa upanuzi wa joto bado husababisha wiani wa juu sana wa makosa. Kwa muda mrefu, imekuwa kusoma uwezo wa shanga za taa za LED ili kupunguza wiani wa msongamano na kuboresha ubora wa kioo wa shanga za taa za LED hadi usiku zaidi. Ugani wa shanga za taa za LED ni idara ya kuzingatia ya shanga za taa za LED. Urefu wa wimbi, voltage ya mbele, mwangaza, au kiasi cha mwanga cha shanga za taa za LED hutegemea nyenzo za nyenzo. Ujuzi wa ugani na vifaa ni ufunguo wa ujuzi wa utengenezaji wa filamu ya ugani. Ujuzi wa utuaji wa nyenzo za kikaboni za chuma (MOCVD) ni muhimu kwa ukuaji wa vipimo vya ushanga wa taa za III-LED. Kutokuwepo kwa kimiani cha nje hutumiwa kama kituo kisicho na mwanga kisicho na mionzi, ambacho kina athari kuu kwa kazi ya macho ya kifaa. Mpangilio wa upanuzi wa shanga za taa za LED na utafiti wa ujuzi wa upanuzi: Ustadi wa ukuaji wa shanga za taa za LED ni wajawazito, na idadi kubwa ya manukuu na vipengee vya chini vya IN vya mkazo uliowekwa mapema wa Ingan. “Bwawa la kuhifadhia ”Kisha inapasha joto na kukuza safu ya kizuizi cha GAN ili kuboresha ubora wa fuwele wa safu ya kizuizi, safu ya kizuizi cha Ingaaln au mkazo wa ukuaji wa ukuaji wa gridi ya taifa. Mtego wa quantum una eneo la chanzo Ingan/Gan quantum trap. Eneo la chanzo ni lengo la shanga za taa za LED. Ufunguo wa kukuza mtego wa Ingan quantum ni kudhibiti mkazo wa mtego wa quantum, kupunguza athari za ubaguzi. Ukuaji wa shanga za taa za LED katika miaka ya mwisho, safu ya ugani ya shanga za taa za LED na ujuzi wa ugani zimekuwa za kukomaa. Ufanisi wa quantum ya ndani ya shanga za taa za LED umefikia zaidi ya 90%. Hata hivyo, katika utafiti wa shanga za taa za LED za nguvu, ufanisi wa quantum katika uvumbuzi wa sindano ya sasa ya mwaka ni muhimu, na inaitwa athari ya DROOP. Athari ya DROOP ya shanga za taa za LED zenye msingi wa GAN hapo awali ziliegemea upande wa ujanibishaji wa mtoa huduma. Uvumbuzi wa jaribio unakubali mtego mpana wa quantum ili kupunguza msongamano wa mtoa huduma na kuboresha safu ya kielektroniki ya uingiliaji wa eneo lenye umbo la P. Ujuzi mwingine wa kina katika upanuzi wa upanuzi wa upanuzi wa shanga za taa za LED na utafiti wa ujuzi wa upanuzi ni: Kuonekana kwa sura mbaya shanga za taa za LED zimechelewa kuonekana, ambazo zinalingana na angle ya mpito ili kuzuia kuakisi kamili kwa mwanga. Tofauti kati ya faharisi ya kinzani na nyenzo za ufungashaji husababishwa na kuondoka kwa kituo cha idara itaonyeshwa nyuma kwenye safu ya upanuzi. Mchakato huo unaadhibiwa moja kwa moja kwa ajili ya kuondolewa kwa kuonekana kwa ugani, na ni rahisi kuharibu ugani wa chanzo cha ugani, na electrode ya uwazi ni vigumu zaidi kujenga. Ni barabara inayowezekana kufikia mwonekano mbaya kupitia mpito wa upanuzi wa safu ya nje ya kuchelewa. Ujuzi wa kufanya kazi Shanga za taa za taa za yakuti sapphire substrate laser strippings Hadi 75%, ni mara tatu ya jadi, na imeunda mstari wa uzalishaji. LED taa bead pour ujuzi Chip. Kulingana na data ya kampuni ya Lumileds, ushanga wa taa za LED za yakuti substrate kiwango cha ukuaji wa mara 1.6. Mbali na mwanga wa mbele wa shanga za taa za LED, isipokuwa kwa upande wa mbele wa mwanga, mwanga wa plagi ya nyuso nyingine huonyesha iwezekanavyo nyuma kwenye ugani wa ugani, na uendelezaji wa mwisho ni kutoka mbele ya mbele. Mpangilio mdogo wa fuwele za fotoni zenye sura mbili za shanga za taa za Lyric zinaweza kuzidi ufanisi wa mwanga unaoruka. Mnamo Septemba 2003, shanga za taa za LED na kipenyo cha microns 1.5 na microns 0.5 kwa urefu wa microns 0.5 zilijengwa. Pili, msingi wa chip wa shanga za taa za LED mara nyingi hutumia mistari ya ujuzi wa msingi wa chip mara nyingi hutumia substrates za yakuti, substrates za silicon carbudi, substrate ya silicon ya miaka mitatu ya usiku, pamoja na nitridi, oksidi ya zinki na kadhalika maendeleo. Ilikidhi mahitaji ya nyenzo ndogo: Kutobadilika kwa kemikali kwa sehemu ndogo ya ushanga wa lumine na safu ya utando wa nje inalingana. Nyenzo ya substrate lazima iwe na invariability nzuri ya kemikali. Uakisi wa kemikali wa uzazi wa utando husababisha ubora wa utando wa wima kutua; Sehemu ndogo ya taa ya taa ya LED inalingana na mgawo wa upanuzi wa joto wa safu ya utando wima, na mgawo wa upanuzi wa mafuta ni tofauti. Uharibifu wa kifaa huharibiwa; mpangilio wa msingi wa taa ya LED na safu ya membrane ya nje inafanana. Ustadi wa msingi wa silicon wa shanga za LED za nchi yangu umekumbwa na mafanikio ya ujuzi, na unakua hadi utumiaji wa mali ya mwisho wa mwaka. Kwa sasa, yakuti sapphire tu na silicon substrates ambazo zimetumika kwa ajili ya biashara ya shanga LED LED GAN ni. Nyenzo zingine za substrate ambazo zinaweza kutumika kwa shanga za taa za LED zenye GAN hutenganishwa na mali na zinalingana na substrates zenye homogeneous za GAN na substrates za ZNO.