LED灯珠级串珠照明技术路线改进路线

LED灯珠照明技能线集外延、基板、封装、白光LED灯珠等为一体。 红、绿、蓝LED灯珠是磷、砷、氮等III-V族化合物。 GAN）和其他半制导系统。 1. LED灯珠的价格技巧延续了十多年的LED灯珠，通过改进的过程，提升了成长的过程。 但是，主流白光照明灯珠的氮气和基板之间的晶格以及热膨胀系数的不令人满意的系数仍然导致非常高的误码密度密度。 一直以来，一直在研究LED灯珠降低密度密度和提高LED灯珠晶体质量的能力，直到最晚。 LED灯珠的延伸是LED灯珠的重点部门。 LED灯珠的波长、正向电压、亮度或发光量基本上取决于材料材质。 延伸技术和设备是延伸膜制造技术的关键。 金属有机材料气相沉积技术（MOCVD）是生长III-LED灯珠规格的重要要素。 外晶格的缺失作为不发光的无辐射复合中心，对器件的光学功能有非常主要的影响。 LED灯珠外延布局及外延技能研究：LED灯珠的成长技能孕育，大量字幕和低IN元件的英根预装压力 “储水池 ”然后加热生长GAN势垒层以提高势垒层的晶体质量、Ingaaln势垒层或栅极生长的生长应力。 量子阱具有源区Ingan/Gan量子阱。 光源区是LED灯珠的重点。 生长Ingan量子阱的关键是控制量子阱的应力，减少极化效应的影响。 近几年LED灯珠的成长，LED灯珠的外延层和外延技巧已经成熟。 LED灯珠的内量子效率已达到90%以上。 但是在大功率LED灯珠的研究中，发明岁电流注入的量子效率是显着的，被称为DROOP效应。 基于GAN的LED灯珠的DROOP效应原本偏向于载体的本地化。 本试验发明接受宽量子阱，以降低载流子的密度，优化P型区域的电子拦截层。 LED灯珠外延布局和外延技巧研究的其他详细技巧有：外观粗糙的LED灯珠外观延迟，与过渡角度相称，防止光线完全反射。 折光率与包装材料的差异是由该部门的出口造成的，会反射回延伸层。 该工艺对延伸外观的处置直接进行惩罚，容易破坏延伸源的延伸，透明电极更难搭建。 通过外延层外延的过渡，达到粗犷的外观是一条可行的道路。 劳动技能 LED灯珠蓝宝石衬底激光剥离技能是基于GAN均质延伸和生长技能，哄紫外激光照射基体，熔化过渡层剥离。 到75%，是传统的三倍，已经形成了生产线。 LED灯珠倒芯片技巧。 根据 Lumileds 公司的数据，蓝宝石基板的 LED 灯珠增长率约为 1.6 倍。 除了LED灯珠的前灯外，其他面的出射光都尽可能的反射回外延，最终的提升是从正面。 Lyric灯珠的二维光子晶体的微布局可以超过跳跃光的效率。 2003年9月，建成直径1.5微米、高度0.5微米、高度0.5微米的LED灯珠。 二、LED灯珠的芯片基板常采用芯片基板技术线常采用蓝宝石基板、碳化硅基板、三年夜硅基板，以及氮化物、氧化锌等开发出来的。 满足基材材料要求：发光珠基材与外膜层化学不变性匹配。 基材必须具有良好的化学稳定性。 膜育种的化学反射导致垂直膜质量落地； LED灯珠基板与垂直膜层的热膨胀系数相匹配，热膨胀系数不同。 销毁设备被销毁； LED灯座与外膜层的布局相匹配。 我国LED灯珠硅基技术遭遇技术突破，正在成长到年底应用产业化。 目前，只有蓝宝石和硅基板已经用于商业化的基于 GAN 的 LED 灯珠。 其他可用于基于GAN的LED灯珠的基板材料与性质分开，与GAN均质基板和ZNO基板相称。