എൽഇഡി ലാമ്പ് ബീഡ്സ് - ലെവൽ ബീഡിംഗ് ലൈറ്റിംഗ് ടെക്നോളജി റൂട്ട് മെച്ചപ്പെടുത്തൽ റൂട്ട്

എൽഇഡി ലാമ്പ് ബീഡ്സ് ലൈറ്റിംഗ് സ്‌കിൽ ലൈനുകൾ എക്സ്റ്റൻഷൻ, സബ്‌സ്‌ട്രേറ്റ്, പാക്കേജിംഗ്, വൈറ്റ് ലൈറ്റ് എൽഇഡി ലാമ്പ് മുത്തുകൾ മുതലായവയുമായി സംയോജിപ്പിച്ചിരിക്കുന്നു. ചുവപ്പ്, പച്ച, നീല LED വിളക്ക് മുത്തുകൾ ഫോസ്ഫറസ്, ആർസെനിക്, നൈട്രജൻ തുടങ്ങിയ III-V റേസ് സംയുക്തങ്ങളാണ്. GAN) മറ്റ് അർദ്ധ മാർഗ്ഗനിർദ്ദേശ സംവിധാനങ്ങളും. 1. പത്ത് വർഷത്തിലേറെയായി എൽഇഡി വിളക്ക് മുത്തുകളുടെ വിപുലീകൃത എൽഇഡി ലാമ്പ് മുത്തുകളുടെ വില കഴിവുകൾ മെച്ചപ്പെടുത്തൽ പ്രക്രിയയിലൂടെ വളർച്ചാ പ്രക്രിയ മെച്ചപ്പെടുത്തി. എന്നിരുന്നാലും, മുഖ്യധാരാ വൈറ്റ് ലൈറ്റ് ലൈറ്റിംഗ് ബീഡുകളുടെ നൈട്രജൻ ഗാൽഫ ഗാൻ, സബ്‌സ്‌ട്രേറ്റിന് ഇടയിലുള്ള ലാറ്റിസിന്റെ ലാറ്റിസും താപ വികാസ ഗുണകത്തിന്റെ തൃപ്തികരമല്ലാത്ത ഗുണകവും ഇപ്പോഴും വളരെ ഉയർന്ന -ബിറ്റ് പിശക് സാന്ദ്രത സാന്ദ്രതയ്ക്ക് കാരണമാകുന്നു. വളരെക്കാലമായി, സാന്ദ്രത സാന്ദ്രത കുറയ്ക്കാനും എൽഇഡി വിളക്ക് മുത്തുകളുടെ ക്രിസ്റ്റൽ ഗുണനിലവാരം ഏറ്റവും രാത്രി വരെ മെച്ചപ്പെടുത്താനും എൽഇഡി വിളക്ക് മുത്തുകളുടെ കഴിവ് പഠിക്കുക എന്നതാണ്. LED വിളക്ക് മുത്തുകളുടെ വിപുലീകരണം LED വിളക്ക് മുത്തുകളുടെ ഫോക്കസ് വകുപ്പാണ്. LED വിളക്ക് മുത്തുകളുടെ തരംഗദൈർഘ്യം, ഫോർവേഡ് വോൾട്ടേജ്, തെളിച്ചം അല്ലെങ്കിൽ തിളക്കമുള്ള അളവ് എന്നിവ അടിസ്ഥാനപരമായി മെറ്റീരിയൽ മെറ്റീരിയലിനെ ആശ്രയിച്ചിരിക്കുന്നു. എക്സ്റ്റൻഷൻ ഫിലിമിന്റെ നിർമ്മാണ വൈദഗ്ധ്യത്തിന്റെ താക്കോലാണ് വിപുലീകരണ കഴിവുകളും ഉപകരണങ്ങളും. ലോഹ ഓർഗാനിക് മെറ്റീരിയൽ ക്വി ഡിപ്പോസിഷൻ കഴിവുകൾ (MOCVD) III-LED ലാമ്പ് ബീഡ് സ്പെസിഫിക്കേഷനുകളുടെ വളർച്ചയുടെ ഒരു പ്രധാന അനിവാര്യതയാണ്. പുറത്തെ ലാറ്റിസിന്റെ അഭാവം ഒരു നോൺ-ഗ്ലോയിംഗ് നോൺ-റേഡിയേഷൻ കോമ്പോസിറ്റ് സെന്ററായി ഉപയോഗിക്കുന്നു, ഇത് ഉപകരണത്തിന്റെ ഒപ്റ്റിക്കൽ പ്രവർത്തനത്തെ വളരെ പ്രധാനമായി ബാധിക്കുന്നു. എൽഇഡി ലാമ്പ് ബീഡ്സ് എക്സ്റ്റൻഷൻ ലേഔട്ടും എക്സ്റ്റൻഷൻ സ്കിൽസ് ഗവേഷണവും: എൽഇഡി ലാമ്പ് ബീഡുകളുടെ വളർച്ചാ കഴിവുകൾ ഗർഭിണിയാണ്, കൂടാതെ ഇംഗാൻ പ്രീ-മൌണ്ടഡ് സ്ട്രെസിന്റെ ധാരാളം സബ്ടൈറ്റിലുകളും കുറഞ്ഞ IN ഘടകങ്ങളും “സ്റ്റോറേജ് ”ബാരിയർ ലെയറിന്റെ ക്രിസ്റ്റൽ നിലവാരം, ഇംഗാൽ ബാരിയർ ലെയർ അല്ലെങ്കിൽ ഗ്രിഡിന്റെ വളർച്ചയുടെ വളർച്ചാ സമ്മർദ്ദം എന്നിവ മെച്ചപ്പെടുത്തുന്നതിന് GAN ബാരിയർ പാളി ചൂടാക്കി വളർത്തുന്നു. ക്വാണ്ടം ട്രാപ്പിന് ഇംഗാൻ/ഗാൻ ക്വാണ്ടം ട്രാപ്പ് എന്ന ഉറവിട മേഖലയുണ്ട്. സോഴ്സ് ഏരിയ എൽഇഡി ലാമ്പ് ബീഡുകളുടെ ശ്രദ്ധാകേന്ദ്രമാണ്. ഇംഗാൻ ക്വാണ്ടം ട്രാപ്പ് വളർത്തുന്നതിനുള്ള താക്കോൽ ക്വാണ്ടം ട്രാപ്പിന്റെ സമ്മർദ്ദം നിയന്ത്രിക്കുക, ധ്രുവീകരണ ഫലങ്ങളുടെ ഫലങ്ങൾ കുറയ്ക്കുക എന്നതാണ്. കഴിഞ്ഞ വർഷങ്ങളിൽ എൽഇഡി ലാമ്പ് ബീഡുകളുടെ വളർച്ച, എൽഇഡി ലാമ്പ് ബീഡുകളുടെ വിപുലീകരണ പാളി, വിപുലീകരണ കഴിവുകൾ എന്നിവ പക്വത പ്രാപിച്ചു. എൽഇഡി വിളക്ക് മുത്തുകളുടെ ആന്തരിക ക്വാണ്ടം കാര്യക്ഷമത 90% ൽ കൂടുതലായി എത്തിയിരിക്കുന്നു. എന്നിരുന്നാലും, പവർ എൽഇഡി ലാമ്പ് മുത്തുകളെക്കുറിച്ചുള്ള പഠനത്തിൽ, വർഷം പഴക്കമുള്ള കറന്റ് കുത്തിവയ്പ്പിന്റെ കണ്ടുപിടിത്തത്തിൽ ക്വാണ്ടം കാര്യക്ഷമത വളരെ പ്രധാനമാണ്, ഇതിനെ ഡ്രോപ്പ് ഇഫക്റ്റ് എന്ന് വിളിക്കുന്നു. GAN അടിസ്ഥാനമാക്കിയുള്ള LED ലാമ്പ് ബീഡുകളുടെ DROOP പ്രഭാവം യഥാർത്ഥത്തിൽ കാരിയറിന്റെ പ്രാദേശികവൽക്കരണത്തോട് പക്ഷപാതം കാണിക്കുന്നു. ടെസ്റ്റ് കണ്ടുപിടിത്തം കാരിയറിന്റെ സാന്ദ്രത കുറയ്ക്കുന്നതിനും പി ആകൃതിയിലുള്ള പ്രദേശത്തിന്റെ ഇലക്ട്രോണിക് ഇന്റർസെപ്ഷൻ പാളി ഒപ്റ്റിമൈസ് ചെയ്യുന്നതിനുമായി വിശാലമായ ക്വാണ്ടം ട്രാപ്പ് സ്വീകരിക്കുന്നു. എൽഇഡി ലാമ്പ് ബീഡ്സ് എക്സ്റ്റൻഷൻ ലേഔട്ടിലെയും എക്സ്റ്റൻഷൻ സ്കിൽസ് ഗവേഷണത്തിലെയും മറ്റ് വിശദമായ കഴിവുകൾ ഇവയാണ്: പരുക്കൻ രൂപത്തിലുള്ള എൽഇഡി ലാമ്പ് മുത്തുകൾ പ്രത്യക്ഷപ്പെടുന്നതിൽ കാലതാമസം നേരിടുന്നു, ഇത് പ്രകാശത്തിന്റെ പൂർണ്ണമായ പ്രതിഫലനം തടയുന്നതിന് സംക്രമണ കോണുമായി പൊരുത്തപ്പെടുന്നു. റിഫ്രാക്റ്റീവ് ഇൻഡക്സും പാക്കേജിംഗ് മെറ്റീരിയലും തമ്മിലുള്ള വ്യത്യാസം ഡിപ്പാർട്ട്മെന്റിന്റെ ഔട്ട്ലെറ്റിന്റെ പുറപ്പെടൽ മൂലമുണ്ടാകുന്ന വ്യത്യാസം എക്സ്റ്റൻഷൻ ലെയറിലേക്ക് പ്രതിഫലിക്കും. വിപുലീകരണ രൂപത്തിന്റെ വിനിയോഗത്തിനായി ഈ പ്രക്രിയ നേരിട്ട് ശിക്ഷിക്കപ്പെടുന്നു, വിപുലീകരണത്തിന്റെ ഉറവിടത്തിന്റെ വിപുലീകരണം നശിപ്പിക്കാൻ എളുപ്പമാണ്, സുതാര്യമായ ഇലക്ട്രോഡ് നിർമ്മിക്കാൻ കൂടുതൽ ബുദ്ധിമുട്ടാണ്. ബാഹ്യ കാലതാമസം പാളിയുടെ വിപുലീകരണത്തിന്റെ പരിവർത്തനത്തിലൂടെ പരുക്കൻ രൂപത്തിലേക്ക് എത്തുന്നതിനുള്ള ഒരു പ്രായോഗിക പാതയാണിത്. ലേബർ കഴിവുകൾ എൽഇഡി ലാമ്പ് ബീഡ്‌സ് സഫയർ സബ്‌സ്‌ട്രേറ്റ് ലേസർ സ്ട്രിപ്പിംഗ് കഴിവുകൾ GAN ഏകതാനമായ വിപുലീകരണവും വളർച്ചാ കഴിവുകളും അടിസ്ഥാനമാക്കിയുള്ളതാണ്, യുവി ലേസർ റേഡിയേഷൻ ബേസ് കോക്സിംഗ്, ട്രാൻസിഷൻ ലെയർ പീലിംഗ് എന്നിവയെ അടിസ്ഥാനമാക്കിയുള്ളതാണ്. 75% വരെ, ഇത് പരമ്പരാഗതമായതിന്റെ മൂന്നിരട്ടിയാണ്, അത് ഉൽപ്പാദന ലൈൻ രൂപീകരിച്ചു. എൽഇഡി ലാമ്പ് ബീഡ് ചിപ്പ് കഴിവുകൾ പകരും. Lumileds കമ്പനി ഡാറ്റ അനുസരിച്ച്, നീലക്കല്ലിന്റെ എൽഇഡി വിളക്ക് മുത്തുകൾ ഏകദേശം 1.6 മടങ്ങ് വളർച്ചാ നിരക്ക്. എൽഇഡി ലാമ്പ് ബീഡുകളുടെ ഫ്രണ്ട് ലൈറ്റ് കൂടാതെ, ലൈറ്റിന്റെ മുൻഭാഗം ഒഴികെ, മറ്റ് മുഖങ്ങളുടെ ഔട്ട്ലെറ്റ് ലൈറ്റ് വിപുലീകരണത്തിന്റെ വിപുലീകരണത്തിലേക്ക് കഴിയുന്നത്ര പ്രതിഫലിപ്പിക്കുന്നു, ആത്യന്തിക പ്രമോഷൻ മുൻവശത്ത് നിന്നാണ്. ലിറിക് ലാമ്പ് ബീഡുകളുടെ ദ്വിമാന ഫോട്ടോൺ ക്രിസ്റ്റലുകളുടെ മൈക്രോ ലേഔട്ട് കുതിച്ചുകയറുന്ന പ്രകാശത്തിന്റെ കാര്യക്ഷമതയെ കവിയുന്നു. 2003 സെപ്റ്റംബറിൽ, 1.5 മൈക്രോൺ വ്യാസവും 0.5 മൈക്രോൺ ഉയരമുള്ള 0.5 മൈക്രോണും ഉള്ള എൽഇഡി വിളക്ക് മുത്തുകൾ നിർമ്മിച്ചു. രണ്ടാമതായി, എൽഇഡി ലാമ്പ് ബീഡുകളുടെ ചിപ്പ് ബേസ് പലപ്പോഴും ചിപ്പ് ബേസ് സ്‌കിൽ ലൈനുകൾ ഉപയോഗിക്കുന്നു, പലപ്പോഴും നീലക്കല്ലിന്റെ അടിവസ്ത്രങ്ങൾ, സിലിക്കൺ കാർബൈഡ് സബ്‌സ്‌ട്രേറ്റുകൾ, സിലിക്കൺ സബ്‌സ്‌ട്രേറ്റ് ത്രീ-ഇയർ നൈറ്റ്, അതുപോലെ വികസിപ്പിച്ച നൈട്രൈഡ്, സിങ്ക് ഓക്‌സൈഡ് തുടങ്ങിയവ. സബ്‌സ്‌ട്രേറ്റ് മെറ്റീരിയലിന്റെ ആവശ്യകതകൾ നിറവേറ്റുക: ലുമിൻ ബീഡ് സബ്‌സ്‌ട്രേറ്റിന്റെയും ബാഹ്യ മെംബ്രൺ പാളിയുടെയും രാസ മാറ്റമില്ലാത്തത് പൊരുത്തപ്പെടുന്നു. സബ്‌സ്‌ട്രേറ്റ് മെറ്റീരിയലിന് നല്ല രാസമാറ്റം ഉണ്ടായിരിക്കണം. മെംബ്രൺ ബ്രീഡിംഗിന്റെ രാസ പ്രതിഫലനം ലംബമായ മെംബ്രണിന്റെ ഗുണനിലവാരത്തിന് കാരണമാകുന്നു; എൽഇഡി ലാമ്പ് ബീഡ് സബ്‌സ്‌ട്രേറ്റ് ലംബ മെംബ്രൺ പാളിയുടെ താപ വികാസ ഗുണകവുമായി പൊരുത്തപ്പെടുന്നു, കൂടാതെ താപ വികാസ ഗുണകങ്ങൾ വ്യത്യസ്തമാണ്. ഉപകരണത്തിന്റെ നാശം നശിപ്പിക്കപ്പെടുന്നു; എൽഇഡി ലാമ്പ് ബേസിന്റെ ലേഔട്ടും ബാഹ്യ മെംബ്രൺ പാളിയും പൊരുത്തപ്പെടുന്നു. എന്റെ രാജ്യത്തെ എൽഇഡി ലാമ്പ് ബീഡുകൾ സിലിക്കൺ അടിസ്ഥാന വൈദഗ്ധ്യം വൈദഗ്ധ്യത്തിന്റെ മുന്നേറ്റങ്ങളിൽ നിന്ന് കഷ്ടപ്പെട്ടിട്ടുണ്ട്, കൂടാതെ വർഷാവസാനത്തിലെ പ്രോപ്പർട്ടിലൈസേഷന്റെ പ്രയോഗത്തിലേക്ക് അവ വളരുകയാണ്. നിലവിൽ, വാണിജ്യവൽക്കരിച്ച GAN-അധിഷ്ഠിത എൽഇഡി ലാമ്പ് ബീഡുകൾക്കായി നീലക്കല്ലും സിലിക്കൺ സബ്‌സ്‌ട്രേറ്റുകളും മാത്രമേ ഉപയോഗിക്കുന്നുള്ളൂ. GAN-അധിഷ്ഠിത എൽഇഡി ലാമ്പ് ബീഡുകൾക്കായി ഉപയോഗിക്കാവുന്ന മറ്റ് സബ്‌സ്‌ട്രേറ്റ് മെറ്റീരിയലുകൾ പ്രോപ്പർട്ടിയിൽ നിന്ന് വേർതിരിക്കപ്പെടുകയും GAN ഹോമോജീനിയസ് സബ്‌സ്‌ട്രേറ്റുകൾക്കും ZNO സബ്‌സ്‌ട്രേറ്റുകൾക്കും ആനുപാതികമാണ്.