LED Lamp Beads-level Beading 조명 기술 루트 개선 루트

LED 램프 비드 조명 기술 라인은 확장, 기판, 포장, 백색광 LED 램프 비드 등과 통합됩니다. 적색, 녹색 및 청색 LED 램프 비드는 인, 비소, 질소 등과 같은 III-V 레이스 화합물입니다. GAN) 및 기타 세미 가이던스 시스템. 1. LED 램프 비즈 확장 LED 램프 비즈의 가격 기술은 10년 이상 개선의 과정을 통해 성장 과정을 개선했습니다. 그러나 주류 백색광 조명 비드의 질소 갈파간과 기판 사이의 격자 격자와 열팽창 계수의 불만족스러운 계수는 여전히 매우 높은 비트 오류 밀도 밀도를 유발합니다. 오랫동안 LED 램프 비드의 밀도 밀도를 줄이고 LED 램프 비드의 결정 품질을 향상시키는 능력을 가장 밤에 연구해 왔습니다. LED 램프 비드의 확장은 LED 램프 비드의 초점 부문입니다. LED 램프 비드의 파장, 순방향 전압, 밝기 또는 광량은 기본적으로 재료 재료에 따라 다릅니다. 익스텐션 기술과 장비는 익스텐션 필름 제조 기술의 핵심입니다. 금속 유기 물질 qi 증착 기술(MOCVD)은 III-LED 램프 비드 사양의 성장에 중요한 필수 요소입니다. 외부 격자의 부재는 비발광 비복사 복합 중심으로 사용되며, 이는 장치의 광학 기능에 매우 큰 영향을 미칩니다. LED 램프 비드 확장 레이아웃 및 확장 기술 연구: LED 램프 비드의 성장 기술은 임신하고 Ingan의 많은 자막 및 낮은 IN 구성 요소가 미리 장착되어 있습니다. “저장 연못 ”그런 다음 GAN 장벽 층을 가열하고 성장시켜 장벽 층의 결정 품질, Ingaaln 장벽 층 또는 그리드 성장의 성장 응력을 개선합니다. 양자 트랩에는 소스 영역 Ingan/Gan 양자 트랩이 있습니다. 소스 영역은 LED 램프 비드의 초점입니다. Ingan 양자 트랩 성장의 핵심은 양자 트랩의 응력을 제어하고 편광 효과의 영향을 줄이는 것입니다. 지난 몇 년 동안 LED 램프 비드의 성장, LED 램프 비드의 확장 레이어 및 확장 기술이 성숙했습니다. LED 램프 비드의 내부 양자 효율은 90% 이상에 도달했습니다. 그러나 파워 LED 램프 비드에 대한 연구에서는 1년 된 전류 주입의 발명에서 양자 효율이 중요하며 이를 DROOP 효과라고 합니다. GAN 기반 LED 램프 비드의 DROOP 효과는 원래 캐리어의 국소화 쪽으로 편향되어 있습니다. 테스트 발명은 캐리어의 밀도를 줄이고 P형 영역의 전자 차단층을 최적화하기 위해 넓은 양자 트랩을 수용합니다. LED 램프 비드 확장 레이아웃 및 확장 기술 연구의 기타 세부 기술은 다음과 같습니다. 거친 외관 LED 램프 비드의 외관이 지연되어 빛의 전체 반사를 방지하기 위해 전환 각도에 비례합니다. 굴절률과 포장재의 차이로 인한 이탈 부서의 배출구는 연장층으로 다시 반사됩니다. 그 과정은 연장 모습의 처분에 대해 직접적으로 처벌을 받으며, 연장원의 연장선을 파괴하기 쉽고 투명 전극을 구축하기가 더 어렵습니다. 외부 지연층의 확장 전환을 통해 거친 모습에 도달하는 실현 가능한 길이다. 노동 기술 LED 램프 비드 사파이어 기판 레이저 스트리핑 기술은 GAN 균질한 확장 및 성장 기술, 동축 UV 레이저 조사 기반, 용융 전이층 박리를 기반으로 합니다. 75%로 기존의 3배에 달하는 생산라인을 형성했다. LED 램프 비드 푸어 칩 스킬. Lumileds 회사 데이터에 따르면 사파이어 기판의 LED 램프 비드 성장률은 약 1.6배입니다. LED 램프 비드의 전면 조명 외에도 조명의 전면을 제외하고 다른 면의 콘센트 조명은 연장의 연장선까지 최대한 뒤로 반사하며, 궁극적인 승격은 전면의 전면에서 이루어집니다. Lyric 램프 구슬의 2차원 광자 결정의 마이크로 레이아웃은 도약하는 빛의 효율성을 초과할 수 있습니다. 2003년 9월, 직경 1.5미크론, 높이 0.5미크론, 0.5미크론의 LED 램프 비드가 제작되었습니다. 둘째, LED 램프 비드의 칩 베이스는 종종 칩 베이스 기술 라인을 사용하여 종종 사파이어 기판, 실리콘 카바이드 기판, 실리콘 기판 3년 밤뿐만 아니라 개발된 질화물, 산화아연 등을 사용합니다. 기질 재료에 대한 요구 사항 충족: 루미네 비드 기질과 외부 멤브레인 층의 화학적 불변성이 일치합니다. 기질 재료는 좋은 화학적 불변성을 가져야 합니다. 막 번식의 화학적 반사는 수직 막의 품질을 떨어뜨립니다. LED 램프 비드 기판은 수직 멤브레인 층의 열팽창 계수와 일치하며 열팽창 계수가 다릅니다. 장치의 파괴는 파괴됩니다. LED 램프 베이스와 외부 멤브레인 레이어의 레이아웃이 일치합니다. 우리 나라의 LED 램프 비즈 실리콘 기반 기술은 기술 혁신을 겪었고 연말 속성화 적용까지 성장했습니다. 현재 상용화된 GAN 기반 LED 램프 비드에 사용된 것은 사파이어와 실리콘 기판뿐이다. GAN 기반 LED 램프 비드에 사용할 수 있는 기타 기판 재료는 특성과 분리되어 있으며 GAN 균질 기판 및 ZNO 기판에 상응합니다.