Жарықдиодты шам моншақтары - деңгейлі моншақтарды жарықтандыру технологиясы маршрутты жақсарту маршруты

Жарықдиодты шам моншақтарын жарықтандыру дағдыларының сызықтары кеңейтіммен, субстратпен, қаптамамен, ақ жарық диодты шам моншақтарымен және т.б. біріктірілген. Қызыл, жасыл және көк жарықдиодты шам моншақтары III-V нәсілдік қосылыстар болып табылады, мысалы, фосфор, мышьяк, азот және т.б. GAN) және басқа жартылай бағыттаушы жүйелер. 1. Жарықдиодты шам моншақтарының бағасы он жылдан астам ұзартылған жарықдиодты шам моншақтары жақсарту процесі арқылы өсу процесін жақсартты. Дегенмен, негізгі ақ жарық жарықтандыру моншақтарының азот галфа ган және субстрат арасындағы тордың торы және жылу кеңею коэффициентінің қанағаттанбау коэффициенті әлі де өте жоғары -биттік қате тығыздығының тығыздығын тудырады. Ұзақ уақыт бойы жарықдиодты шам моншақтарының тығыздықтың тығыздығын азайту және жарықдиодты шам моншақтарының кристалдық сапасын түнге дейін жақсарту мүмкіндігін зерттеу болды. Жарықдиодты шам моншақтарының кеңейтілуі - жарықдиодты шам моншақтарының фокус бөлімі. Жарық диодты шам моншақтарының толқын ұзындығы, алға кернеуі, жарықтығы немесе жарық көлемі негізінен материалдың материалына байланысты. Ұзарту дағдылары мен жабдықтар ұзартқыш пленканы өндіру дағдыларының кілті болып табылады. Металл органикалық материалдың qi тұндыру дағдылары (MOCVD) III-жарық диодты шам моншақтарының сипаттамаларының өсуінің маңызды шарты болып табылады. Сыртқы тордың жоқтығы жарқырамайтын радиациялық емес композиттік орталық ретінде пайдаланылады, бұл құрылғының оптикалық функциясына өте маңызды әсер етеді. Жарықдиодты шам моншақтарын ұзарту схемасы және кеңейту дағдыларын зерттеу: Жарықдиодты шам моншақтарының өсу дағдылары жүкті және Инганның алдын ала орнатылған кернеуінің көптеген субтитрлері және төмен IN компоненттері “Сақтау көк ”Содан кейін тосқауыл қабатының кристалдық сапасын, Ингаальн тосқауыл қабатын немесе тордың өсуінің өсу кернеуін жақсарту үшін GAN тосқауыл қабатын қыздыру және өсіру. Кванттық тұзақтың бастапқы аймағы Инган/Ган кванттық тұзағы бар. Бастапқы аймақ - жарықдиодты шам моншақтарының фокусы. Инган кванттық тұзағын өсірудің кілті кванттық тұзақтың кернеуін бақылау, поляризация әсерлерінің әсерін азайту болып табылады. Соңғы жылдары жарықдиодты шам моншақтарының өсуі, жарықдиодты шам моншақтарының ұзартқыш қабаты және кеңейту дағдылары жетілді. Жарықдиодты шам моншақтарының ішкі кванттық тиімділігі 90% -дан астамға жетті. Дегенмен, қуатты жарықдиодты шам моншақтарын зерттеуде, жылдық ток инъекциясының өнертабыстағы кванттық тиімділігі маңызды болып табылады және ол DROOP әсері деп аталады. GAN негізіндегі жарықдиодты шам моншақтарының DROOP әсері бастапқыда тасымалдаушының локализациясына бағытталған. Сынақ өнертабысы тасымалдаушының тығыздығын азайту және P-тәрізді аймақтың электронды ұстап қалу қабатын оңтайландыру үшін кең кванттық тұзақты қабылдайды. Жарық диодты шам моншақтарын ұзарту схемасы мен ұзарту дағдыларын зерттеудегі басқа егжей-тегжейлі дағдылар мыналар болып табылады: Дөрекі көріністің пайда болуы Жарық диодты шам моншақтарының сыртқы түрі кешіктіріледі, бұл жарықтың толық шағылысуына жол бермеу үшін өту бұрышына сәйкес келеді. Сыну көрсеткіші мен орауыш материал арасындағы айырмашылық бөлімнің розеткасының кетуінен туындайды, ұзартқыш қабатқа кері шағылысады. Процесс кеңейту көрінісін жою үшін тікелей жазаланады және ұзарту көзінің ұзартқышын жою оңай, ал мөлдір электродты салу қиынырақ. Бұл сыртқы кідіріс қабатының ұзаруының ауысуы арқылы өрескел көрініске жетудің мүмкін болатын жолы. Еңбек дағдылары Жарықдиодты шам моншақтарының сапфирді субстратты лазермен аршу дағдылары GAN біркелкі ұзарту және өсу дағдыларына, ультракүлгін сәулеленудің негізін коаксациялауға, өтпелі қабаттарды балқытуға негізделген. 75%-ға дейін бұл дәстүрліден үш есе көп және ол өндірістік желіні қалыптастырды. Жарықдиодты шам моншақтары чиптерді құю дағдылары. Lumileds компаниясының мәліметтері бойынша, сапфир субстратының жарықдиодты шамдарының өсу жылдамдығы шамамен 1,6 есе. Жарық диодты шам моншақтарының алдыңғы жарығынан басқа, жарықтың алдыңғы бөлігін қоспағанда, басқа беттердің шығыс жарығы ұзартқыштың ұзартылуына мүмкіндігінше кері шағылысады, ал соңғы жылжыту алдыңғы жақтан болады. Лирикалық шам моншақтарының екі өлшемді фотон кристалдарының микро-орналастыруы секіретін жарықтың тиімділігінен асып кетуі мүмкін. 2003 жылдың қыркүйегінде диаметрі 1,5 мкм және биіктігі 0,5 мкм болатын жарықдиодты шам моншақтары салынды. Екіншіден, жарықдиодты шам моншақтар чип базасы жиі чип базалық дағдыларын желілерін пайдаланады жиі сапфир астары, кремний карбиді астары, кремний субстрат үш -жыл түн, сондай-ақ дамыған нитриді, мырыш оксиді және т.б. Субстрат материалына қойылатын талаптарды қанағаттандырды: Люминдік моншақ субстратының және сыртқы мембрана қабатының химиялық өзгермелілігі сәйкес келеді. Субстрат материалы жақсы химиялық өзгермелілікке ие болуы керек. Мембраналық селекцияның химиялық шағылыстыруы тік мембрананың сапасын қонуға әкеледі; Жарықдиодты шам моншақтарының субстраты тік мембраналық қабаттың термиялық кеңею коэффициентіне сәйкес келеді, ал термиялық кеңею коэффициенттері әртүрлі. Құрылғының бұзылуы жойылады; жарықдиодты шам негізі мен сыртқы мембрана қабатының орналасуы сәйкес келеді. менің елімнің жарықдиодты шам моншақтарының кремний негізі дағдылары дағдылардың жетістіктерінен зардап шекті және олар жыл аяғында меншікті пайдалануды қолдану үшін өсіп келеді. Қазіргі уақытта коммерцияланған GAN негізіндегі жарықдиодты шам моншақтары үшін тек сапфирлер мен кремний субстраттары ғана қолданылады. GAN негізіндегі жарықдиодты шам моншақтары үшін пайдалануға болатын басқа субстрат материалдары меншіктен бөлінген және GAN біртекті субстраттары мен ZNO субстраттарына сәйкес келеді.