LED Lamp Beads -level Beading Lighting Technology Route Improvement Route

LED မီးလုံးပုတီးများသည် အလင်းရောင်ကျွမ်းကျင်မှုလိုင်းများကို တိုးချဲ့မှု၊ အလွှာ၊ ထုပ်ပိုးမှု၊ အဖြူရောင်အလင်း LED မီးလုံးပုတီးများနှင့် ပေါင်းစပ်ထားသည်။ အနီရောင်၊ အစိမ်းရောင်နှင့် အပြာရောင် LED မီးလုံးပုတီးများသည် ဖော့စဖရပ်၊ အာဆင်းနစ်၊ နိုက်ထရိုဂျင်စသည့် III-V မျိုးနွယ်ဒြပ်ပေါင်းများဖြစ်သည်။ GAN) နှင့် အခြားသော semi-guidance စနစ်များ။ 1. ဆယ်နှစ်ကျော်ကြာ တိုးချဲ့ LED မီးလုံးပုတီးများ၏ စျေးနှုန်းကျွမ်းကျင်မှုသည် တိုးတက်မှုဖြစ်စဉ်ကို မြှင့်တင်ပေးပါသည်။ သို့ရာတွင်၊ ပင်မရေစီးကြောင်းအဖြူရောင်အလင်းတန်းပုတီးစေ့များ၏ နိုက်ထရိုဂျင်ဂယ်ဖာဂင်နှင့် အလွှာ၏အလွှာနှင့် အပူချဲ့ကိန်း၏မကျေနပ်သောဖော်ကိန်းကြားရှိ ရာဇမတ်ကွက်များသည် အလွန်မြင့်မားသော-bit အမှားသိပ်သည်းဆကို ဖြစ်စေသည်။ အချိန်ကြာမြင့်စွာ၊ ၎င်းသည်သိပ်သည်းဆကိုလျှော့ချရန်နှင့် LED မီးလုံးပုတီးများ၏ကြည်လင်သောအရည်အသွေးကိုညဘက်အထိမြှင့်တင်ရန် LED မီးပုတီးများ၏စွမ်းရည်ကိုလေ့လာခဲ့သည်။ LED မီးလုံးပုတီးများ၏တိုးချဲ့မှုသည် LED မီးလုံးပုတီးများ၏အာရုံစူးစိုက်မှုဌာနဖြစ်သည်။ LED မီးလုံးပုတီးများ၏ လှိုင်းအလျား၊ ရှေ့ဗို့အား၊ တောက်ပမှု သို့မဟုတ် တောက်ပသော ပမာဏသည် အခြေခံအားဖြင့် ပစ္စည်းပစ္စည်းပေါ်တွင် မူတည်ပါသည်။ သက်တမ်းတိုးခြင်းဆိုင်ရာ ကျွမ်းကျင်မှုနှင့် စက်ကိရိယာများသည် တိုးချဲ့ရုပ်ရှင်၏ ထုတ်လုပ်မှုစွမ်းရည်အတွက် သော့ချက်ဖြစ်သည်။ သတ္တုအော်ဂဲနစ်ပစ္စည်း qi စုဆောင်းမှုစွမ်းရည် (MOCVD) သည် III-LED မီးလုံး bead သတ်မှတ်ချက်များ ကြီးထွားမှုအတွက် အရေးကြီးသော မရှိမဖြစ်လိုအပ်ပါသည်။ အပြင်ဘက်ရာဇ၀င်တွင် မရှိခြင်းအား ကိရိယာ၏ အလင်းအမှောင်လုပ်ဆောင်ချက်အပေါ် အလွန်ပင် သက်ရောက်မှုရှိသော တောက်ပသောမဟုတ်သော ဓာတ်ရောင်ခြည်ပေါင်းစပ်စင်တာအဖြစ် အသုံးပြုပါသည်။ LED မီးလုံးပုတီးစေ့များ တိုးချဲ့မှု အပြင်အဆင်နှင့် တိုးချဲ့မှုစွမ်းရည် သုတေသန- LED မီးလုံးပုတီးစေ့များ၏ ကြီးထွားမှုစွမ်းရည်မှာ ကိုယ်ဝန်ရှိပြီး၊ စာတမ်းထိုးအများအပြားနှင့် Ingan ကြိုတင်တပ်ဆင်ထားသော စိတ်ဖိစီးမှု၏ အစိတ်အပိုင်းများစွာ ပါဝင်မှုနည်းပါးသည်။ “ပျော်မွေ့ ”ထို့နောက် အတားအဆီးအလွှာ၏ ပုံဆောင်ခဲအရည်အသွေး၊ Ingaaln အတားအဆီးအလွှာ သို့မဟုတ် ဂရစ်၏ကြီးထွားမှုဆိုင်ရာ ဖိစီးမှုကို မြှင့်တင်ရန်အတွက် GAN အတားအဆီးအလွှာကို အပူပေးပြီး ကြီးထွားစေသည်။ ကွမ်တမ်ထောင်ချောက်တွင် ရင်းမြစ်ဧရိယာ Ingan/Gan ကွမ်တမ်ထောင်ချောက် ရှိသည်။ အရင်းအမြစ်ဧရိယာသည် LED မီးလုံးပုတီးစေ့များဖြစ်သည်။ Ingan ကွမ်တမ်ထောင်ချောက် ကြီးထွားလာမှု၏သော့ချက်မှာ ကွမ်တမ်ထောင်ချောက်၏ ဖိစီးမှုကို ထိန်းချုပ်ရန်၊ ပိုလာဇေးရှင်းသက်ရောက်မှုများကို လျှော့ချရန်ဖြစ်သည်။ ပြီးခဲ့သည့်နှစ်များတွင် LED မီးလုံးပုတီးများကြီးထွားလာခြင်း၊ LED မီးပုတီးများ၏တိုးချဲ့မှုအလွှာနှင့်တိုးချဲ့မှုစွမ်းရည်များသည်ရင့်ကျက်လာခဲ့သည်။ LED မီးလုံးပုတီးများ၏အတွင်းပိုင်း ကွမ်တမ်ထိရောက်မှုမှာ 90% ထက်မပိုပါ။ သို့သော်၊ ပါဝါ LED မီးလုံးပုတီးများကို လေ့လာရာတွင်၊ နှစ်ဟောင်း-လက်ရှိဆေးထိုးခြင်း၏ တီထွင်မှုတွင် ကွမ်တမ်ထိရောက်မှုမှာ သိသာထင်ရှားပြီး ၎င်းကို DROOP effect ဟုခေါ်သည်။ GAN-based LED မီးလုံးပုတီးများ၏ DROOP အကျိုးသက်ရောက်မှုသည် သယ်ဆောင်သူ၏ဒေသခံအဖြစ် ပြောင်းလဲခြင်းဆီသို့ မူလက ဘက်လိုက်ပါသည်။ စမ်းသပ်တီထွင်မှုသည် သယ်ဆောင်သူ၏သိပ်သည်းဆကို လျှော့ချရန်နှင့် P ပုံသဏ္ဌာန်ဧရိယာ၏ အီလက်ထရွန်နစ်ကြားဖြတ်အလွှာကို အကောင်းဆုံးဖြစ်အောင်ပြုလုပ်ရန် ကျယ်ပြန့်သော ကွမ်တမ်ထောင်ချောက်ကို လက်ခံသည်။ LED မီးလုံးပုတီးစေ့များ တိုးချဲ့ခြင်းအပြင်အဆင်နှင့် တိုးချဲ့ခြင်းဆိုင်ရာ ကျွမ်းကျင်မှုများ သုတေသနတွင် အခြားအသေးစိတ်ကျွမ်းကျင်မှုများမှာ- ကြမ်းတမ်းသောအသွင်အပြင် LED မီးလုံးပုတီးများ၏အသွင်အပြင်သည် အလင်း၏အပြည့်အဝရောင်ပြန်ဟပ်မှုကိုကာကွယ်ရန် အကူးအပြောင်းထောင့်နှင့် လိုက်လျောညီထွေရှိသော အသွင်အပြင်ဖြစ်သည်။ အလင်းယိုင်ညွှန်းကိန်းနှင့် ထုပ်ပိုးပစ္စည်းများအကြား ခြားနားချက်သည် ဌာန၏ ထွက်ပေါက်မှ ထွက်ခွာသွားခြင်းကြောင့် ဖြစ်ပေါ်လာသော တိုးချဲ့မှုအလွှာသို့ ပြန်လည်ရောက်ရှိမည်ဖြစ်သည်။ လုပ်ငန်းစဉ်သည် extension အသွင်အပြင်ကို စွန့်ပစ်ခြင်းအတွက် တိုက်ရိုက် အပြစ်ပေးခံရပြီး extension ၏ အရင်းအမြစ်၏ extension ကို ဖျက်ဆီးရန် လွယ်ကူပြီး ဖောက်ထွင်းမြင်ရသော electrode သည် တည်ဆောက်ရန် ပိုမိုခက်ခဲပါသည်။ ၎င်းသည် ပြင်ပနှောင့်နှေးမှုအလွှာ၏ တိုးချဲ့မှုအကူးအပြောင်းမှတစ်ဆင့် ကြမ်းတမ်းသောအသွင်အပြင်သို့ ရောက်ရှိရန် ဖြစ်နိုင်ချေရှိသော လမ်းတစ်ခုဖြစ်သည်။ LED မီးလုံးပုတီးစေ့များ နီလာအလွှာလေဆာ ထုတ်ယူခြင်းစွမ်းရည်များသည် GAN တစ်သားတည်းဖြစ်တည်နေသော တိုးချဲ့မှုနှင့် ကြီးထွားမှုစွမ်းရည်၊ ခရမ်းလွန်လေဆာရောင်ခြည်အခြေခံကို ချော့ပေးခြင်း၊ အသွင်ကူးပြောင်းမှုအလွှာကို အရည်ပျော်ကျခြင်းအပေါ် အခြေခံထားသည်။ 75% သည် မိရိုးဖလာထက် သုံးဆဖြစ်ပြီး ထုတ်လုပ်မှုလိုင်းကို ဖွဲ့စည်းထားသည်။ LED မီးခွက် bead ချပ်ပြားလောင်းစွမ်းရည်။ Lumileds ကုမ္ပဏီဒေတာအရ၊ နီလာအလွှာ၏ LED မီးလုံးပုတီးများသည် ကြီးထွားနှုန်း ၁.၆ ဆခန့်ရှိသည်။ LED မီးလုံးများ၏ရှေ့မီးအပြင်၊ မီး၏ရှေ့မီးမှလွဲ၍ အခြားမျက်နှာများ၏ထွက်ပေါက်မီးသည် extension ၏ extension ဆီသို့အတတ်နိုင်ဆုံးပြန်လာသည်၊ အဆုံးစွန်သောပရိုမိုးရှင်းသည်အရှေ့ဘက်မှဖြစ်သည်။ Lyric မီးလုံးပုတီးစေ့များ၏ ဖက်မြင် ဖိုတွန်ပုံဆောင်ခဲနှစ်ခု၏ မိုက်ခရို-အပြင်အဆင်သည် ခုန်နေသောအလင်းရောင်၏ ထိရောက်မှုကို ကျော်လွန်နိုင်သည်။ ၂၀၀၃ ခုနှစ် စက်တင်ဘာလတွင်၊ အချင်း 1.5 မိုက်ခရိုနနှင့် 0.5 မိုက်ခရို အမြင့်ရှိသော LED မီးလုံးပုတီးများကို တည်ဆောက်ခဲ့သည်။ ဒုတိယ၊ LED မီးလုံးပုတီးလုံးများ၏ ချစ်ပ်အခြေခံသည် chip base ကျွမ်းကျင်မှုလိုင်းများကို အသုံးပြုလေ့ရှိပြီး နီလာအလွှာများ၊ ဆီလီကွန်ကာဗိုက်အလွှာများ၊ ဆီလီကွန်အလွှာသုံးနှစ်ည၊ အပြင် နိုက်ထရိတ်၊ ဇင့်အောက်ဆိုဒ် အစရှိသည်တို့ကို အသုံးပြုပါသည်။ အလွှာပစ္စည်းအတွက် လိုအပ်ချက်များနှင့် ကိုက်ညီသည်- lumine bead substrate ၏ ဓာတုဗေဒပြောင်းလဲမှုနှင့် အပြင်ပိုင်း အမြှေးပါးအလွှာသည် တူညီပါသည်။ ဆပ်စထရိတ်ပစ္စည်းတွင် ကောင်းသော ဓာတုဗေဒ ပြောင်းလဲမှု ရှိရပါမည်။ အမြှေးပါးပေါက်ပွားခြင်း၏ ဓာတုဗေဒရောင်ပြန်ဟပ်မှုသည် ဒေါင်လိုက်အမြှေးပါး၏ အရည်အသွေးကို မြေပေါ်သို့ဖြစ်စေသည်။ LED မီးလုံး bead substrate သည် ဒေါင်လိုက်အမြှေးပါးအလွှာ၏ အပူချဲ့ကိန်းနှင့် ကိုက်ညီပြီး အပူချဲ့ကိန်း ကွဲပြားသည်။ ကိရိယာ၏ပျက်စီးခြင်းပျက်စီးသည်; LED မီးအိမ်၏ အပြင်အဆင်နှင့် အပြင်အမြှေးပါး အလွှာသည် လိုက်ဖက်ပါသည်။ ကျွန်ုပ်၏နိုင်ငံ၏ LED မီးလုံးပုတီးများသည် ဆီလီကွန်အခြေခံကျွမ်းကျင်မှုများတွင် ကျွမ်းကျင်မှုအောင်မြင်မှုများမှ ကြုံတွေ့ခဲ့ရပြီး ၎င်းတို့သည် ယခုနှစ်ကုန်တွင် ပိုင်ဆိုင်မှုကို အသုံးချခြင်းအထိ ကြီးထွားလာနေပါသည်။ လက်ရှိတွင်၊ စီးပွားဖြစ် GAN အခြေခံ LED မီးအိမ်ပုတီးစေ့များအတွက် အသုံးပြုထားသော နီလာနှင့် ဆီလီကွန်အလွှာများကိုသာ အသုံးပြုထားသည်။ GAN အခြေခံ LED မီးလုံးပုတီးများအတွက် အသုံးပြုနိုင်သော အခြားသော အလွှာပစ္စည်းများကို ပစ္စည်းဥစ္စာနှင့် ခွဲခြားထားပြီး GAN တစ်သားတည်းဖြစ်တည်နေသော အလွှာများနှင့် ZNO အလွှာများနှင့် လျော်ညီသည်။