LED Lamp Beads -nivo Beading Lighting Technology Route Improvement Route

LED lamp kralen lighting feardichheden linen wurde yntegrearre mei útwreiding, substraat, ferpakking, wyt ljocht LED lamp kralen, ensfh Reade, griene en blauwe LED-lampkralen binne III-V-race-ferbiningen lykas fosfor, arseen, stikstof, ensfh. GAN) en oare semi-begeliedingssystemen. 1. De priisfeardigens fan LED-lampkralen útwreide LED-lampkralen foar mear as tsien jier hawwe it groeiproses ferbettere troch it proses fan ferbettering. Lykwols, de stikstof galfa gan fan 'e mainstream wite ljocht ferljochting kralen en it rooster fan' e lattice tusken it substraat en de unsatisising koeffisient fan 'e waarmte útwreiding koeffizient noch feroarsaket in hiel hege -bit flater tichtens tichtens. Foar in lange tiid is it west om it fermogen fan LED-lampekralen te studearjen om de tichtheidstichtens te ferminderjen en de kristalkwaliteit fan 'e LED-lampkralen te ferbetterjen oant de measte nacht. De útwreiding fan LED lamp kralen is de fokus ôfdieling fan LED lamp kralen. De golflingte, foarút spanning, helderheid, of ljocht folume fan LED lamp kralen is yn prinsipe ôfhinklik fan it materiaal materiaal. De útwreidingsfeardigens en apparatuer binne de kaai foar produksjefeardigens fan 'e útwreidingsfilm. Metal organysk materiaal qi deposition feardichheden (MOCVD) is in wichtich wêzentlik fan 'e groei fan III-LED lamp bead spesifikaasjes. It ûntbrekken fan it bûtenste rooster wurdt brûkt as in net-gloeiend net-strieling gearstald sintrum, dat hat in tige wichtige ynfloed op de optyske funksje fan it apparaat. LED lamp kralen extension layout en útwreiding feardichheden ûndersyk: De groei feardichheden fan LED lamp kralen binne swier, en in grut oantal ûndertitels en lege IN komponinten fan de Ingan pre-mounted stress “Opspylpond ”Dêrnei ferwaarmje en groeie de GAN-barriêrelaach om de kristalkwaliteit fan 'e barriêrelaach, de Ingaaln-barriêrelaach of de groeistress fan' e groei fan it raster te ferbetterjen. De quantum trap hat in boarne gebiet Ingan / Gan quantum trap. It boarnegebiet is it fokus fan LED-lampkralen. De kaai foar groeiende Ingan quantum trap is om de stress fan 'e quantum trap te kontrolearjen, de effekten fan polarisaasje-effekten te ferminderjen. De groei fan LED-lampkralen yn 'e lêste jierren, de útwreidingslaach fan LED-lampkralen en útwreidingsfeardigens binne folwoeksen west. De ynterne kwantum-effisjinsje fan LED-lampkralen hat mear dan 90% berikt. Lykwols, yn 'e stúdzje fan macht LED lamp kralen, de kwantum effisjinsje yn útfining fan it jier-âlde hjoeddeistige ynjeksje is wichtich, en it wurdt neamd de DROOP effekt. It DROOP-effekt fan GAN-basearre LED-lampkralen is oarspronklik bias foar de lokalisaasje fan 'e drager. De test útfining akseptearret in brede quantum trap te ferminderjen de tichtheid fan de drager en optimalisearjen fan de elektroanyske ûnderskepping laach fan de P-foarmige gebiet. Oare detaillearre feardichheden yn LED lamp kralen extension layout en útwreiding feardichheden ûndersyk binne: It uterlik fan rûch uterlik LED lamp kralen wurdt fertrage yn uterlik, dat is oerienkomt mei de oergong hoeke te kommen dat de folsleine refleksje fan it ljocht. It ferskil tusken de brekingsyndeks en de ferpakking materiaal wurdt feroarsake troch it fuortgean fan de ôfdieling syn outlet wurdt wjerspegele werom nei de útwreiding laach. It proses wurdt direkt bestraft foar de beskikking fan de útwreiding uterlik, en it is maklik te ferneatigjen de útwreiding fan 'e boarne fan' e útwreiding, en de transparante elektrodes is dreger te bouwen. It is in helber paad om it rûge uterlik te berikken troch de oergong fan de útwreiding fan de eksterne fertragingslaach. Arbeid feardichheden LED lamp kralen saffier substraat laser stripping feardichheden binne basearre op GAN homogene útwreiding en groei feardichheden, coaxing UV laser irradiation basis, melting oergong laach peeling. Oan 75%, it is trije kear de tradisjonele, en it hat foarme de produksje line. LED lamp bead pour chip feardichheden. Neffens Lumileds bedriuw gegevens, LED lamp kralen fan saffier substraat groei rate fan likernôch 1,6 kear. Neist it front ljocht fan LED lamp kralen, útsein foar de foarkant fan it ljocht, de outlet ljocht fan oare gesichten wjerspegelet safolle mooglik werom nei de útwreiding fan de útwreiding, en de ultime promoasje is fan de foarkant fan de foarkant. De mikro-yndieling fan 'e twa-diminsjonale fotonkristallen fan Lyric lampkralen kin de effisjinsje fan springend ljocht oertreffe. Yn septimber 2003 waarden LED lampekralen boud mei in diameter fan 1,5 mikron en 0,5 mikron yn 'e hichte fan 0,5 mikron. Twad, de chip basis fan LED lamp kralen faak brûkt chip basis feardichheden linen faak brûke saffier substrates, silisium carbid substrates, silisium substrat trije-jierrige nacht, likegoed as nitride, sink okside en sa op ûntwikkele. Moete oan de easken foar it substraatmateriaal: De gemyske ûnferoarlikens fan it substraat foar ljochtkralen en de bûtenmembraanlaach is oerienkommen. It substraatmateriaal moat in goede gemyske invariabiliteit hawwe. De gemyske refleksje fan membraan fokken feroarsaket de kwaliteit fan de fertikale membraan te lân; LED lamp bead substraat komt oerien mei de termyske útwreiding koeffizient fan de fertikale membraan laach, en de termyske útwreiding koeffizienten binne oars. De ferneatiging fan it apparaat wurdt ferneatige; de yndieling fan de LED lamp basis en de bûtenste membraan laach is matched. myn lân syn LED lamp kralen silisium basis feardichheden hawwe te lijen fan feardichheden trochbraken, en se groeie op ta de tapassing fan eigendom fan it jier -ein. Op it stuit binne allinich saffier en silisiumsubstraten dy't binne brûkt foar kommersjalisearre GAN-basearre LED-lampkralen. Oare substraatmaterialen dy't brûkt wurde kinne foar GAN-basearre LED-lampkralen wurde skieden fan eigendom en oerienkomme mei GAN homogene substraten en ZNO-substraten.