Святлодыёдныя лямпы Beads -level Beading Lighting Technology Route Improvement Route

Лініі навыкаў асвятлення з пацеркамі для святлодыёдных лямпаў інтэграваны з пашырэннем, падкладкай, упакоўкай, белымі пацеркамі для святлодыёдных лямпаў і г.д. Чырвоныя, зялёныя і сінія шарыкі для святлодыёдных лямпаў з'яўляюцца расавымі злучэннямі III-V, такімі як фосфар, мыш'як, азот і г.д. GAN) і іншыя сістэмы полунаведения. 1. Цэнавыя навыкі пацерак святлодыёдных лямпаў пашыраныя пацеркі святлодыёдных лямпаў больш за дзесяць гадоў палепшылі працэс росту праз працэс удасканалення. Тым не менш, гальфа-ган азоту асноўных асвятляльных шарыкаў белага святла і рашотка рашоткі паміж падкладкай і незадавальняючым каэфіцыентам цеплавога пашырэння ўсё яшчэ выклікае вельмі высокую шчыльнасць памылак -біт. Доўгі час вывучалася здольнасць шарыкаў святлодыёдных лямпаў зніжаць шчыльнасць шчыльнасці і паляпшаць якасць крышталя святлодыёдных шарыкаў да самай ночы. Пашырэнне пацерак святлодыёдных лямпаў - гэта асноўны аддзел пацерак святлодыёдных лямпаў. Даўжыня хвалі, прамое напружанне, яркасць або аб'ём святла святлодыёдных шарыкаў у асноўным залежыць ад матэрыялу. Навыкі нарошчвання і абсталяванне з'яўляюцца ключом да навыкаў вытворчасці нацяжной плёнкі. Навыкі асаджэння металаарганічных матэрыялаў цы (MOCVD) з'яўляюцца важным неабходным для росту спецыфікацый шарыкаў лямпаў III-LED. Адсутнасць знешняй рашоткі выкарыстоўваецца ў якасці несветящегося безвыпраменьвальнага кампазітнага цэнтра, які аказвае галоўны ўплыў на аптычную функцыю прылады. Макет пашырэння святлодыёдных лямпаў і навыкі пашырэння: навыкі росту пацерак святлодыёдных лямпаў цяжарныя, а таксама вялікая колькасць субтытраў і кампанентаў з нізкім унутраным узроўнем папярэдне ўстаноўленага стрэсу Ingan “Захоўванне ”Затым награванне і рост бар'ернага пласта GAN для паляпшэння якасці крышталя бар'ернага пласта, бар'ернага пласта Ingaaln або напружання росту росту сеткі. Квантавая пастка мае квантавую пастку Ingan/Gan зыходнай вобласці. Зона крыніцы - гэта цэнтр святлодыёдных шарыкаў. Ключ да вырошчвання квантавай пасткі Ingan - кантраляваць напружанне квантавай пасткі, паменшыць эфекты палярызацыі. Рост пацерак святлодыёдных лямпаў у апошнія гады, пашыральны пласт шарыкаў святлодыёдных лямпаў і навыкі пашырэння былі сталымі. Унутраная квантавая эфектыўнасць шарыкаў святлодыёдных лямпаў дасягнула больш за 90%. Тым не менш, пры вывучэнні шарыкаў магутных святлодыёдных лямпаў квантавая эфектыўнасць пры вынаходстве гадавой даўніны ўвядзення току значная, і гэта называецца эфектам DROOP. Эфект DROOP для шарыкаў святлодыёдных лямпаў на аснове GAN першапачаткова накіраваны на лакалізацыю носьбіта. Тэставае вынаходства прымае шырокую квантавую пастку для памяншэння шчыльнасці носьбіта і аптымізацыі электроннага пласта перахопу Р-вобразнай вобласці. Іншыя падрабязныя навыкі ў раскладцы пацеркаў для святлодыёдных лямпаў і даследаванні навыкаў пашырэння: З'яўленне шурпатага выгляду пацеркі для святлодыёдных лямпаў затрымліваецца, што сувымерна з вуглом пераходу, каб прадухіліць поўнае адлюстраванне святла. Розніца паміж каэфіцыентам праламлення і ўпаковачнага матэрыялу выклікана ад'ездам выхаду аддзела будзе адлюстроўвацца назад у пашыральны пласт. Працэс непасрэдна караецца за ўтылізацыю вонкавага выгляду пашырэння, і лёгка знішчыць пашырэнне крыніцы пашырэння, а празрысты электрод складаней пабудаваць. Гэта магчымы шлях да дасягнення шурпатага выгляду праз пераход пашырэння вонкавага пласта затрымкі. Працоўныя навыкі Святлодыёдныя лямпы шарыкі сапфіравая падкладка навыкі лазернай зачысткі заснаваныя на навыках гамагеннага пашырэння і росту GAN, падставы з ультрафіялетавым лазерным апраменьваннем, лушчэння плаўлення пераходнага пласта. Да 75%, гэта ў тры разы традыцыйных, і гэта сфармавала вытворчую лінію. Святлодыёдныя лямпы шарык наліць чып навыкі. Па дадзеных кампаніі Lumileds, святлодыёдныя лямпы шарыкі сапфіравай падкладкі хуткасць росту прыкладна ў 1,6 разы. У дадатак да пярэдняга святла святлодыёдных лямпаў, за выключэннем пярэдняй часткі святла, святло на выхадзе з іншых бакоў адлюстроўваецца як мага больш назад да пашырэння пашырэння, і канчатковае прасоўванне адбываецца ад пярэдняй часткі пярэдняй часткі. Мікракампаноўка двухмерных фатонных крышталяў шарыкаў лямпы Lyric можа перавышаць эфектыўнасць скачучага святла. У верасні 2003 года былі пабудаваны святлодыёдныя шарыкі дыяметрам 1,5 мікрон і 0,5 мікрон вышынёй 0,5 мікрон. Па-другое, чып базы святлодыёдных лямпаў шарыкі часта выкарыстоўвае чып базы навыкаў лініі часта выкарыстоўваюць сапфіравыя падкладкі, карбіду крэмнію падкладкі, крэмнію падкладкі тры гады ноч, а таксама нітрыд, аксід цынку і гэтак далей распрацаваны. Адпаведнасць патрабаванням да матэрыялу падкладкі: хімічная нязменнасць падкладкі з люмінавых шарыкаў і вонкавага пласта мембраны супадае. Матэрыял падкладкі павінен мець добрую хімічную нязменнасць. Хімічнае адлюстраванне мембраннага гадоўлі выклікае якасць вертыкальнай мембраны на зямлю; Падкладка шарыкаў для святлодыёдных лямпаў адпавядае каэфіцыенту цеплавога пашырэння вертыкальнага пласта мембраны, а каэфіцыенты цеплавога пашырэння адрозніваюцца. Знішчэнне прылады знішчана; размяшчэнне падставы святлодыёднай лямпы і вонкавага мембраннага пласта супадае. Сіліконавыя навыкі святлодыёдных лямпаў з бісеру ў маёй краіне пацярпелі ад прарываў у навыках, і яны растуць да прымянення ўласнасці ў канцы года. У цяперашні час толькі сапфіры і крамянёвыя падкладкі выкарыстоўваюцца для камерцыялізаваных святлодыёдных лямпаў на аснове GAN. Іншыя матэрыялы падкладкі, якія могуць быць выкарыстаны для шарыкаў святлодыёдных лямпаў на аснове GAN, асобна ад уласнасці і супастаўныя з гамагеннымі падкладкамі GAN і падкладкамі ZNO.