LED-es lámpagyöngyök - szintű gyöngyfűzés Világítástechnika útvonaljavítási útvonal

A LED-es lámpagyöngyök világítási készségek vonalai integrálva vannak a hosszabbítással, hordozóval, csomagolással, fehér fényű LED lámpagyöngyökkel stb. A piros, zöld és kék LED lámpagyöngyök III-V versenyvegyületek, például foszfor, arzén, nitrogén stb. GAN) és más félvezető rendszerek. 1. A LED lámpagyöngyök több mint tíz éve tartó árazási képességei javították a növekedési folyamatot a fejlesztési folyamat révén. Azonban a főáramú fehér fényű világítógyöngyök nitrogén galfaganája és a hordozó közötti rács rácsa és a hőtágulási együttható nem kielégítő együtthatója még mindig nagyon nagy -bit hibasűrűséget okoz. Hosszú ideig tanulmányozták a LED-es lámpagyöngyök azon képességét, hogy csökkentik a sűrűségsűrűséget és javítják a LED-es lámpagyöngyök kristályminőségét a legtöbb éjszakára. A LED lámpagyöngyök kiterjesztése a LED lámpagyöngyök fókuszosztálya. A LED gyöngyök hullámhossza, előremenő feszültsége, fényereje vagy fényereje alapvetően az anyag anyagától függ. A toldófólia gyártási készségeinek kulcsa a hosszabbító ismeretek és felszerelések. A fém szerves anyagok qi leválasztási készsége (MOCVD) fontos elengedhetetlen a III-LED lámpaperem specifikációinak növekedéséhez. A külső rács hiányát nem izzó, sugárzásmentes kompozit központként használják, ami nagyon nagy hatással van az eszköz optikai funkciójára. LED-es lámpagyöngyök kiterjesztésének elrendezése és kiterjesztési készségeinek kutatása: A LED-es lámpagyöngyök növekedési képességei terhesek, és nagyszámú felirat és alacsony IN komponens az Ingan előre szerelt feszültség “Tároló tó ”Ezután a GAN záróréteg felmelegítése és növelése a záróréteg kristályminőségének, az Ingaaln zárórétegnek vagy a rács növekedésének növekedési stresszének javítása érdekében. A kvantumcsapdának van egy forrásterülete Ingan/Gan kvantumcsapda. A forrásterület a LED-es lámpagyöngyök fókusza. Az Ingan kvantumcsapda termesztésének kulcsa a kvantumcsapda stresszének szabályozása, a polarizációs hatások hatásainak csökkentése. A LED-es lámpagyöngyök növekedése az elmúlt években, a LED-es lámpagyöngyök hosszabbító rétege és a bővítési készség kiforrott. A LED lámpagyöngyök belső kvantumhatékonysága elérte a 90%-ot. A nagy teljesítményű LED-es lámpagyöngyök tanulmányozása során azonban az éves áraminjektálás feltalálásánál jelentős a kvantumhatékonyság, amit DROOP effektusnak neveznek. A GAN alapú LED lámpagyöngyök DROOP hatása eredetileg a hordozó lokalizációja felé torzult. A teszttalálmány széles kvantumcsapdát fogad el a vivő sűrűségének csökkentésére és a P alakú terület elektronikus elfogórétegének optimalizálására. További részletes ismeretek a LED-es lámpagyöngyök kiterjesztésének elrendezésében és a kiterjesztési ismeretek kutatásában a következők: A durva megjelenésű LED-lámpagyöngyök megjelenése késik, ami arányos az átmeneti szöggel, hogy megakadályozza a fény teljes visszaverődését. A törésmutató és a csomagolóanyag közötti különbség az osztály kivezetésének távozása miatt visszatükröződik a hosszabbító rétegre. A folyamatot közvetlenül büntetik a toldalék megjelenésének megsemmisítéséért, és a hosszabbítás forrásának meghosszabbítása könnyen tönkretehető, az átlátszó elektróda pedig nehezebb megépíteni. Ez egy járható út a durva megjelenés eléréséhez a külső késleltető réteg kiterjesztésének átmenetén keresztül. Munkakészség LED lámpagyöngy zafír szubsztrát lézeres csupaszítási ismeretek GAN homogén kiterjesztési és növekedési készségeken, koaxáló UV lézeres besugárzási alapon, olvadó átmeneti réteg hámláson alapulnak. 75%-ban háromszorosa a hagyományosnak, és ez alkotta a gyártósort. LED lámpagyöngy önts chip készségek. Szerint a Lumileds cég adatai, LED lámpa gyöngyök zafír szubsztrát növekedési üteme körülbelül 1,6-szor. A LED-es lámpagyöngyök elülső világítása mellett – a lámpa elejét kivéve – a többi arc kimenő fénye a lehető legnagyobb mértékben visszaverődik a hosszabbító nyúlványára, a végső promóció pedig az előlap elejéről történik. A Lyric lámpagyöngyök kétdimenziós fotonkristályainak mikroelrendezése meghaladhatja az ugráló fény hatásfokát. 2003 szeptemberében 1,5 mikron átmérőjű és 0,5 mikron magas, 0,5 mikron magas LED lámpagyöngyöket építettek. Másodszor, a chip bázis LED lámpa gyöngyök gyakran használ chip alap készségek vonalak gyakran használnak zafír hordozók, szilícium-karbid szubsztrátumok, szilícium szubsztrát három év éjszaka, valamint a nitrid, cink-oxid és így tovább fejlesztett. Megfelel a hordozóanyaggal szemben támasztott követelményeknek: A lumine gyöngy szubsztrátum és a külső membránréteg kémiai változatlansága illeszkedik. Az aljzat anyagának jó kémiai változatlansággal kell rendelkeznie. A membrántenyésztés kémiai visszaverődése miatt a függőleges membrán minősége leszáll; A LED lámpagyöngy hordozója megegyezik a függőleges membránréteg hőtágulási együtthatójával, és a hőtágulási együtthatók eltérőek. Az eszköz megsemmisülése megsemmisül; a LED lámpa talpának és a külső membránrétegnek az elrendezése illeszkedik. hazám LED lámpagyöngyök szilícium bázis készségei szenvedtek a készség áttörésektől, és felnőnek az év végi ingatlanosítás alkalmazásáig. Jelenleg csak olyan zafírokat és szilíciumhordozókat használnak, amelyeket a kereskedelmi forgalomba hozott GAN-alapú LED-lámpagyöngyökhöz használnak. A GAN alapú LED lámpagyöngyökhöz használható egyéb hordozóanyagokat elválasztják a tulajdonságoktól, és arányosak a GAN homogén hordozókkal és a ZNO hordozókkal.