एलईडी लैंप बीड्स-लेवल बीडिंग लाइटिंग टेक्नोलॉजी रूट इम्प्रूवमेंट रूट

एलईडी लैंप बीड्स लाइटिंग स्किल्स लाइन्स को एक्सटेंशन, सब्सट्रेट, पैकेजिंग, व्हाइट लाइट एलईडी लैंप बीड्स आदि के साथ एकीकृत किया गया है। लाल, हरे और नीले एलईडी लैंप बीड्स III-V रेस कंपाउंड हैं जैसे फॉस्फोरस, आर्सेनिक, नाइट्रोजन, आदि। GAN) और अन्य अर्ध-मार्गदर्शन प्रणालियाँ। 1. एलईडी लैंप मोतियों के मूल्य कौशल ने दस वर्षों से अधिक के लिए एलईडी लैंप मोतियों को बढ़ाया है, सुधार की प्रक्रिया के माध्यम से विकास प्रक्रिया में सुधार हुआ है। हालांकि, मुख्यधारा के सफेद प्रकाश प्रकाश मोतियों के नाइट्रोजन गैल्फा गण और सब्सट्रेट और गर्मी विस्तार गुणांक के असंतोषजनक गुणांक के बीच जाली की जाली अभी भी एक बहुत ही उच्च-बिट त्रुटि घनत्व घनत्व का कारण बनती है। लंबे समय से, एलईडी लैंप मोतियों की घनत्व घनत्व को कम करने और एलईडी लैंप मोतियों की क्रिस्टल गुणवत्ता में सबसे अधिक रात तक सुधार करने की क्षमता का अध्ययन किया गया है। एलईडी लैंप बीड्स का विस्तार एलईडी लैंप बीड्स का फोकस विभाग है। एलईडी लैंप मोतियों की तरंग दैर्ध्य, आगे वोल्टेज, चमक, या चमकदार मात्रा मूल रूप से सामग्री सामग्री पर निर्भर करती है। विस्तार कौशल और उपकरण विस्तार फिल्म के निर्माण कौशल की कुंजी हैं। धातु कार्बनिक सामग्री क्यूई बयान कौशल (MOCVD) III-LED लैंप मनका विनिर्देशों के विकास के लिए एक महत्वपूर्ण आवश्यक है। बाहरी जाली की अनुपस्थिति का उपयोग गैर-चमकदार गैर-विकिरण समग्र केंद्र के रूप में किया जाता है, जिसका डिवाइस के ऑप्टिकल फ़ंक्शन पर बहुत मुख्य प्रभाव पड़ता है। एलईडी लैंप बीड्स एक्सटेंशन लेआउट और विस्तार कौशल अनुसंधान: एलईडी लैंप बीड्स के विकास कौशल गर्भवती हैं, और बड़ी संख्या में उपशीर्षक और इनगन प्री-माउंटेड तनाव के कम आईएन घटक हैं “भंडारण तालाब ”फिर बैरियर लेयर की क्रिस्टल गुणवत्ता में सुधार करने के लिए GAN बैरियर लेयर को गर्म करना और बढ़ाना, Ingaaln बैरियर लेयर या ग्रिड की ग्रोथ के ग्रोथ स्ट्रेस। क्वांटम ट्रैप में एक स्रोत क्षेत्र इनगन/गण क्वांटम ट्रैप होता है। स्रोत क्षेत्र एलईडी लैंप मोतियों का फोकस है। इंगन क्वांटम ट्रैप बढ़ने की कुंजी क्वांटम ट्रैप के तनाव को नियंत्रित करना, ध्रुवीकरण प्रभाव के प्रभाव को कम करना है। पिछले वर्षों में एलईडी लैंप मोतियों की वृद्धि, एलईडी लैंप मोतियों की विस्तार परत और विस्तार कौशल परिपक्व हो गए हैं। एलईडी लैंप मोतियों की आंतरिक क्वांटम दक्षता 90% से अधिक तक पहुंच गई है। हालांकि, बिजली एलईडी लैंप मोतियों के अध्ययन में, वर्ष-पुराने वर्तमान इंजेक्शन के आविष्कार में क्वांटम दक्षता महत्वपूर्ण है, और इसे ड्रॉप प्रभाव कहा जाता है। GAN-आधारित LED लैंप मोतियों का DROOP प्रभाव मूल रूप से वाहक के स्थानीयकरण की ओर पक्षपाती है। परीक्षण आविष्कार वाहक के घनत्व को कम करने और पी-आकार के क्षेत्र की इलेक्ट्रॉनिक अवरोधन परत को अनुकूलित करने के लिए एक विस्तृत क्वांटम जाल को स्वीकार करता है। एलईडी लैंप मोतियों के विस्तार लेआउट और विस्तार कौशल अनुसंधान में अन्य विस्तृत कौशल हैं: किसी न किसी रूप की उपस्थिति एलईडी लैंप मोतियों की उपस्थिति में देरी हो रही है, जो प्रकाश के पूर्ण प्रतिबिंब को रोकने के लिए संक्रमण कोण के अनुरूप है। विभाग के आउटलेट के प्रस्थान के कारण अपवर्तक सूचकांक और पैकेजिंग सामग्री के बीच का अंतर विस्तार परत पर वापस दिखाई देगा। विस्तार उपस्थिति के निपटान के लिए प्रक्रिया को सीधे दंडित किया जाता है, और विस्तार के स्रोत के विस्तार को नष्ट करना आसान होता है, और पारदर्शी इलेक्ट्रोड का निर्माण करना अधिक कठिन होता है। बाहरी विलंब परत के विस्तार के संक्रमण के माध्यम से किसी न किसी रूप तक पहुंचने के लिए यह एक व्यवहार्य सड़क है। श्रम कौशल एलईडी लैंप मोती नीलमणि सब्सट्रेट लेजर स्ट्रिपिंग कौशल GAN सजातीय विस्तार और विकास कौशल, यूवी लेजर विकिरण आधार, पिघलने संक्रमण परत छीलने पर आधारित हैं। 75% तक, यह पारंपरिक से तीन गुना है, और इसने उत्पादन लाइन बनाई है। एलईडी लैंप मनका चिप कौशल डालना। Lumileds कंपनी के आंकड़ों के अनुसार, नीलम सब्सट्रेट के एलईडी लैंप मोतियों की वृद्धि दर लगभग 1.6 गुना है। एलईडी लैंप मोतियों के सामने की रोशनी के अलावा, प्रकाश के सामने को छोड़कर, अन्य चेहरों की आउटलेट रोशनी विस्तार के विस्तार के लिए जितना संभव हो उतना प्रतिबिंबित करती है, और अंतिम पदोन्नति सामने के सामने से होती है। लिरिक लैंप बीड्स के द्वि-आयामी फोटॉन क्रिस्टल का माइक्रो-लेआउट प्रकाश की छलांग लगाने की दक्षता को पार कर सकता है। सितंबर 2003 में, 1.5 माइक्रोन के व्यास और 0.5 माइक्रोन की ऊंचाई में 0.5 माइक्रोन के साथ एलईडी लैंप मोतियों का निर्माण किया गया था। दूसरा, एलईडी लैंप मोतियों का चिप बेस अक्सर चिप बेस कौशल का उपयोग करता है, अक्सर नीलम सब्सट्रेट, सिलिकॉन कार्बाइड सब्सट्रेट, सिलिकॉन सब्सट्रेट तीन साल की रात का उपयोग करता है, साथ ही नाइट्राइड, जिंक ऑक्साइड और इतने पर विकसित होता है। सब्सट्रेट सामग्री के लिए आवश्यकताओं को पूरा किया: ल्यूमिन बीड सब्सट्रेट और बाहरी झिल्ली परत की रासायनिक अपरिवर्तनीयता का मिलान किया जाता है। सब्सट्रेट सामग्री में एक अच्छा रासायनिक अपरिवर्तनीयता होना चाहिए। झिल्ली प्रजनन के रासायनिक प्रतिबिंब के कारण ऊर्ध्वाधर झिल्ली की गुणवत्ता जमीन पर आ जाती है; एलईडी लैंप मनका सब्सट्रेट ऊर्ध्वाधर झिल्ली परत के थर्मल विस्तार गुणांक से मेल खाता है, और थर्मल विस्तार गुणांक अलग हैं। डिवाइस का विनाश नष्ट हो गया है; एलईडी लैंप बेस का लेआउट और बाहरी झिल्ली परत का मिलान किया जाता है। मेरे देश के एलईडी लैंप बीड्स सिलिकॉन बेस स्किल्स को कौशल सफलताओं का सामना करना पड़ा है, और वे साल के अंत के संपत्तिकरण के आवेदन तक बढ़ रहे हैं। वर्तमान में, केवल नीलम और सिलिकॉन सबस्ट्रेट्स जिनका उपयोग GAN-आधारित एलईडी लैंप मोतियों के व्यावसायीकरण के लिए किया गया है। अन्य सब्सट्रेट सामग्री जिनका उपयोग GAN- आधारित एलईडी लैंप मोतियों के लिए किया जा सकता है, उन्हें संपत्ति से अलग किया जाता है और GAN सजातीय सबस्ट्रेट्स और ZNO सबस्ट्रेट्स के अनुरूप होता है।