LED Lamp Beads -level na Beading Lighting Technology Route Improvement Route

Ang mga linya ng kasanayan sa pag-iilaw ng LED lamp beads ay isinama sa extension, substrate, packaging, puting ilaw na LED lamp beads, atbp. Ang pula, berde, at asul na LED lamp bead ay mga III-V race compound tulad ng phosphorus, arsenic, nitrogen, atbp. GAN) at iba pang mga semi-guidance system. 1. Ang mga kasanayan sa presyo ng LED lamp beads extended LED lamp beads para sa higit sa sampung taon ay napabuti ang proseso ng paglago sa pamamagitan ng proseso ng pagpapabuti. Gayunpaman, ang nitrogen galfa gan ng mainstream white light lighting beads at ang sala-sala ng sala-sala sa pagitan ng substrate at ang hindi kasiya-siyang koepisyent ng heat expansion coefficient ay nagdudulot pa rin ng napakataas na -bit na density ng error. Sa loob ng mahabang panahon, pinag-aralan ang kakayahan ng LED lamp beads na bawasan ang density at pagbutihin ang kristal na kalidad ng LED lamp beads hanggang sa gabi. Ang extension ng LED lamp beads ay ang focus department ng LED lamp beads. Ang wavelength, forward voltage, brightness, o luminous volume ng LED lamp beads ay karaniwang nakadepende sa materyal na materyal. Ang mga kasanayan sa extension at kagamitan ay ang susi sa mga kasanayan sa pagmamanupaktura ng extension film. Ang metal organic material qi deposition skills (MOCVD) ay isang mahalagang esensyal sa paglago ng III-LED lamp bead specifications. Ang kawalan ng panlabas na sala-sala ay ginagamit bilang isang non-glowing non-radiation composite center, na may pangunahing epekto sa optical function ng device. Layout ng extension ng LED lamp beads at pagsasaliksik ng mga kasanayan sa extension: Ang mga kasanayan sa paglaki ng LED lamp beads ay buntis, at maraming subtitle at mababang IN na bahagi ng Ingan pre-mounted stress “Lawa ng pag-iimbak ”Pagkatapos ay pinapainit at pinalaki ang layer ng GAN barrier upang mapabuti ang kalidad ng kristal ng layer ng barrier, ang layer ng Ingaaln barrier o ang stress ng paglago ng paglago ng grid. Ang quantum trap ay may source area na Ingan/Gan quantum trap. Ang lugar ng pinagmulan ay ang focus ng LED lamp beads. Ang susi sa paglaki ng Ingan quantum trap ay ang kontrolin ang stress ng quantum trap, bawasan ang mga epekto ng polarization effect. Ang paglaki ng LED lamp beads sa mga nakaraang taon, ang extension layer ng LED lamp beads at extension ng mga kasanayan ay mature na. Ang internal quantum efficiency ng LED lamp beads ay umabot na sa higit sa 90%. Gayunpaman, sa pag-aaral ng power LED lamp beads, ang quantum efficiency sa pag-imbento ng taong gulang na kasalukuyang iniksyon ay makabuluhan, at ito ay tinatawag na DROOP effect. Ang DROOP effect ng GAN-based LED lamp beads ay orihinal na bias sa localization ng carrier. Ang pagsubok na imbensyon ay tumatanggap ng malawak na quantum trap upang bawasan ang density ng carrier at i-optimize ang electronic interception layer ng P-shaped na lugar. Ang iba pang detalyadong kasanayan sa layout ng extension ng LED lamp beads at pagsasaliksik ng mga kasanayan sa extension ay: Ang hitsura ng magaspang na hitsura LED lamp beads ay naantala sa hitsura, na naaayon sa anggulo ng paglipat upang maiwasan ang buong pagmuni-muni ng liwanag. Ang pagkakaiba sa pagitan ng refractive index at ang packaging material ay sanhi ng pag-alis ng outlet ng departamento ay makikita pabalik sa extension layer. Ang proseso ay direktang pinarusahan para sa pagtatapon ng hitsura ng extension, at madaling sirain ang extension ng pinagmulan ng extension, at ang transparent na elektrod ay mas mahirap na itayo. Ito ay isang magagawang daan upang maabot ang magaspang na hitsura sa pamamagitan ng paglipat ng extension ng panlabas na layer ng pagkaantala. Mga kasanayan sa paggawa LED lamp beads sapphire substrate laser stripping kasanayan ay batay sa GAN homogenous extension at mga kasanayan sa paglago, coaxing UV laser irradiation base, natutunaw transition layer pagbabalat. Sa 75%, ito ay tatlong beses ang tradisyonal, at ito ay nabuo ang linya ng produksyon. LED lamp bead ibuhos ang mga kasanayan sa chip. Ayon sa data ng kumpanya ng Lumileds, ang LED lamp beads ng sapphire substrate growth rate ay humigit-kumulang 1.6 beses. Bilang karagdagan sa harap na ilaw ng LED lamp beads, maliban sa harap ng ilaw, ang labasan ng ilaw ng iba pang mga mukha ay sumasalamin hangga't maaari pabalik sa extension ng extension, at ang pinakahuling promosyon ay mula sa harap ng harap. Ang micro-layout ng two-dimensional photon crystals ng Lyric lamp beads ay maaaring lumampas sa kahusayan ng paglukso ng liwanag. Noong Setyembre 2003, ang LED lamp beads na may diameter na 1.5 microns at 0.5 microns sa taas na 0.5 microns ay binuo. Pangalawa, ang chip base ng LED lamp beads ay madalas na gumagamit ng mga linya ng kasanayan sa chip base na madalas na gumagamit ng sapiro substrates, silikon karbid substrates, silikon substrate tatlong taon gabi, pati na rin ang nitride, sink oksido at iba pa binuo. Natugunan ang mga kinakailangan para sa materyal na substrate: Ang chemical invariability ng lumine bead substrate at ang exterior membrane layer ay tumutugma. Ang materyal na substrate ay dapat magkaroon ng isang mahusay na invariability ng kemikal. Ang kemikal na pagmuni-muni ng pag-aanak ng lamad ay nagiging sanhi ng kalidad ng patayong lamad sa lupa; Ang LED lamp bead substrate ay tumutugma sa thermal expansion coefficient ng vertical membrane layer, at ang thermal expansion coefficient ay iba. Ang pagkasira ng aparato ay nawasak; ang layout ng LED lamp base at ang panlabas na layer ng lamad ay tumugma. ang aking bansa na LED lamp beads silicon base kasanayan ay nagdusa mula sa mga kasanayan breakthroughs, at sila ay lumalaki hanggang sa aplikasyon ng propertyization ng taon -end. Sa kasalukuyan, tanging ang mga sapphire at silicon substrate na ginamit para sa komersyalisadong GAN-based na LED lamp beads ay. Ang iba pang substrate na materyales na maaaring gamitin para sa GAN-based LED lamp beads ay pinaghihiwalay mula sa ari-arian at katumbas ng GAN homogenous substrates at ZNO substrates.