LED Lamp Beads -level Beading Lighting Technology ເສັ້ນທາງການປັບປຸງເສັ້ນທາງ

ສາຍສາຍທັກສະການເຮັດໃຫ້ມີແສງໂຄມໄຟ LED ໄດ້ຖືກປະສົມປະສານກັບການຂະຫຍາຍ, ຊັ້ນຍ່ອຍ, ການຫຸ້ມຫໍ່, ແສງສະຫວ່າງສີຂາວຂອງໂຄມໄຟ LED, ແລະອື່ນໆ. ໂຄມໄຟ LED ສີແດງ, ສີຂຽວ, ແລະສີຟ້າແມ່ນເປັນທາດປະສົມຂອງເຊື້ອຊາດ III-V ເຊັ່ນ: phosphorus, arsenic, nitrogen, ແລະອື່ນໆ. GAN) ແລະລະບົບການຊີ້ນໍາເຄິ່ງອື່ນໆ. 1. ທັກສະລາຄາຂອງລູກປັດໂຄມໄຟ LED ຂະຫຍາຍລູກປັດໂຄມໄຟ LED ສໍາລັບຫຼາຍກວ່າສິບປີໄດ້ປັບປຸງຂະບວນການຂະຫຍາຍຕົວໂດຍຜ່ານຂະບວນການປັບປຸງ. ຢ່າງໃດກໍຕາມ, ໄນໂຕຣເຈນ galfa gan ຂອງ beads ແສງສະຫວ່າງສີຂາວຕົ້ນຕໍແລະເສັ້ນດ່າງຂອງ lattice ລະຫວ່າງ substrate ແລະ unsatising coefficient ການຂະຫຍາຍຕົວຄວາມຮ້ອນຍັງເຮັດໃຫ້ເກີດຄວາມຫນາແຫນ້ນຂອງຄວາມຫນາແຫນ້ນຂອງຄວາມຜິດພາດສູງຫຼາຍ. ສໍາລັບເວລາດົນນານ, ມັນໄດ້ສຶກສາຄວາມສາມາດຂອງລູກປັດໂຄມໄຟ LED ເພື່ອຫຼຸດຜ່ອນຄວາມຫນາແຫນ້ນຂອງຄວາມຫນາແຫນ້ນແລະປັບປຸງຄຸນນະພາບໄປເຊຍກັນຂອງລູກປັດໂຄມໄຟ LED ໃນກາງຄືນທີ່ສຸດ. ການຂະຫຍາຍຂອງລູກປັດໂຄມໄຟ LED ແມ່ນພະແນກຈຸດສຸມຂອງລູກປັດໂຄມໄຟ LED. ຄວາມຍາວຂອງຄື້ນ, ແຮງດັນຕໍ່, ຄວາມສະຫວ່າງ, ຫຼືປະລິມານການສະຫວ່າງຂອງລູກປັດໂຄມໄຟ LED ໂດຍພື້ນຖານແລ້ວແມ່ນຂຶ້ນກັບວັດສະດຸວັດສະດຸ. ທັກສະແລະອຸປະກອນເສີມແມ່ນກຸນແຈສໍາລັບທັກສະການຜະລິດຂອງຮູບເງົາຂະຫຍາຍ. ທັກສະການຝັງດິນຂອງວັດສະດຸໂລຫະ qi (MOCVD) ເປັນສິ່ງຈໍາເປັນທີ່ສໍາຄັນຂອງການຂະຫຍາຍຕົວຂອງໂຄມໄຟ III-LED ສະເພາະ. ການບໍ່ມີເສັ້ນດ່າງນອກຖືກນໍາໃຊ້ເປັນສູນປະສົມປະສານທີ່ບໍ່ແມ່ນລັງສີ, ເຊິ່ງມີຜົນກະທົບຕົ້ນຕໍຫຼາຍຕໍ່ການເຮັດວຽກຂອງ optical ຂອງອຸປະກອນ. ຮູບແບບການຂະຫຍາຍລູກປັດໂຄມໄຟ LED ແລະການຄົ້ນຄວ້າທັກສະການຂະຫຍາຍ: ທັກສະການຂະຫຍາຍຕົວຂອງລູກປັດໂຄມໄຟ LED ກໍາລັງຖືພາ, ແລະຄໍາບັນຍາຍຈໍານວນຫລາຍແລະອົງປະກອບຕ່ໍາຂອງ Ingan pre-mounted ຄວາມກົດດັນ “ໂປຣເເກຣມ ”ຫຼັງຈາກນັ້ນ, ການໃຫ້ຄວາມຮ້ອນແລະການຂະຫຍາຍຕົວຂອງຊັ້ນອຸປະສັກ GAN ເພື່ອປັບປຸງຄຸນນະພາບໄປເຊຍກັນຂອງຊັ້ນອຸປະສັກ, ຊັ້ນອຸປະສັກ Ingaaln ຫຼືຄວາມກົດດັນການຂະຫຍາຍຕົວຂອງການເຕີບໂຕຂອງຕາຂ່າຍໄຟຟ້າ. ຈັ່ນຈັບ quantum ມີພື້ນທີ່ແຫຼ່ງ Ingan/Gan quantum trap. ພື້ນທີ່ແຫຼ່ງແມ່ນຈຸດສຸມຂອງໂຄມໄຟ LED. ກຸນແຈສໍາລັບການຂະຫຍາຍຕົວ Ingan quantum trap ແມ່ນການຄວບຄຸມຄວາມກົດດັນຂອງຈັ່ນຈັບ quantum, ຫຼຸດຜ່ອນຜົນກະທົບຂອງຜົນກະທົບ polarization. ການຂະຫຍາຍຕົວຂອງລູກປັດໂຄມໄຟ LED ໃນປີທີ່ຜ່ານມາ, ຊັ້ນການຂະຫຍາຍຂອງລູກປັດໂຄມໄຟ LED ແລະທັກສະການຂະຫຍາຍໄດ້ແກ່ແລ້ວ. ປະສິດທິພາບ quantum ພາຍໃນຂອງລູກປັດໂຄມໄຟ LED ໄດ້ບັນລຸຫຼາຍກ່ວາ 90%. ຢ່າງໃດກໍຕາມ, ໃນການສຶກສາຂອງລູກປັດໂຄມໄຟ LED ພະລັງງານ, ປະສິດທິພາບ quantum ໃນ invention ຂອງປີ -old ປະຈຸບັນສີດແມ່ນມີຄວາມສໍາຄັນ, ແລະມັນຖືກເອີ້ນວ່າຜົນກະທົບ DROOP. ຜົນກະທົບຂອງ DROOP ຂອງລູກປັດໂຄມໄຟ LED ທີ່ອີງໃສ່ GAN ແມ່ນມີຄວາມລໍາອຽງເບື້ອງຕົ້ນໄປສູ່ການທ້ອງຖິ່ນຂອງຜູ້ໃຫ້ບໍລິການ. invention ການທົດສອບຍອມຮັບຈັ່ນຈັບ quantum ກວ້າງເພື່ອຫຼຸດຜ່ອນຄວາມຫນາແຫນ້ນຂອງຜູ້ໃຫ້ບໍລິການແລະເພີ່ມປະສິດທິພາບຊັ້ນສະກັດກັ້ນເອເລັກໂຕຣນິກຂອງພື້ນທີ່ຮູບ P. ທັກສະລາຍລະອຽດອື່ນໆໃນການຈັດຮູບແບບການຂະຫຍາຍລູກປັດໂຄມໄຟ LED ແລະການຄົ້ນຄວ້າທັກສະການຂະຫຍາຍແມ່ນ: ລັກສະນະທີ່ຫຍາບຄາຍຂອງລູກປັດໂຄມໄຟ LED ແມ່ນການຊັກຊ້າໃນຮູບລັກສະນະ, ເຊິ່ງສອດຄ່ອງກັບມຸມການປ່ຽນແປງເພື່ອປ້ອງກັນການສະທ້ອນຢ່າງເຕັມທີ່ຂອງແສງສະຫວ່າງ. ຄວາມແຕກຕ່າງລະຫວ່າງດັດຊະນີ refractive ແລະອຸປະກອນການຫຸ້ມຫໍ່ແມ່ນເກີດມາຈາກການອອກຈາກການອອກຂອງພະແນກຈະຖືກສະທ້ອນໃຫ້ເຫັນກັບຄືນໄປບ່ອນຊັ້ນຂະຫຍາຍ. ຂະບວນການດັ່ງກ່າວຖືກລົງໂທດໂດຍກົງສໍາລັບການກໍາຈັດຮູບລັກສະນະຂອງການຂະຫຍາຍ, ແລະມັນງ່າຍທີ່ຈະທໍາລາຍການຂະຫຍາຍຂອງແຫຼ່ງຂອງການຂະຫຍາຍ, ແລະ electrode ໂປ່ງໃສແມ່ນມີຄວາມຫຍຸ້ງຍາກໃນການກໍ່ສ້າງ. ມັນເປັນເສັ້ນທາງທີ່ເປັນໄປໄດ້ເພື່ອບັນລຸລັກສະນະທີ່ຫຍາບຄາຍໂດຍຜ່ານການຫັນປ່ຽນການຂະຫຍາຍຂອງຊັ້ນການຊັກຊ້າພາຍນອກ. ທັກສະການອອກແຮງງານ LED lamp beads sapphire substrate laser stripping ທັກສະແມ່ນອີງໃສ່ການຂະຫຍາຍ GAN homogeneous ແລະທັກສະການຂະຫຍາຍຕົວ, coaxing UV laser irradiation base, melting ຊັ້ນການຫັນປ່ຽນ peeling. ເຖິງ 75%, ມັນແມ່ນສາມເທົ່າຂອງປະເພນີ, ແລະມັນໄດ້ສ້າງຕັ້ງສາຍການຜະລິດ. ໂຄມໄຟ LED bead ງາມ chip ທັກສະ. ອີງຕາມຂໍ້ມູນຂອງບໍລິສັດ Lumileds, ລູກປັດໂຄມໄຟ LED ຂອງ sapphire substrate ອັດຕາການຂະຫຍາຍຕົວປະມານ 1.6 ເທົ່າ. ນອກເຫນືອໄປຈາກໄຟຫນ້າຂອງລູກປັດໂຄມໄຟ LED, ຍົກເວັ້ນດ້ານຫນ້າຂອງແສງສະຫວ່າງ, ແສງສະຫວ່າງ outlet ຂອງໃບຫນ້າອື່ນໆສະທ້ອນໃຫ້ເຫັນຫຼາຍເທົ່າທີ່ເປັນໄປໄດ້ກັບຄືນໄປບ່ອນການຂະຫຍາຍການຂະຫຍາຍ, ແລະການສົ່ງເສີມການສຸດທ້າຍແມ່ນມາຈາກທາງຫນ້າຂອງຫນ້າ. ຮູບແບບຈຸນລະພາກຂອງໄປເຊຍກັນ photon ສອງມິຕິຂອງລູກປັດໂຄມໄຟ Lyric ສາມາດເກີນປະສິດທິພາບຂອງແສງ leaping. ໃນເດືອນກັນຍາ 2003, ລູກປັດໂຄມໄຟ LED ທີ່ມີເສັ້ນຜ່າກາງ 1.5 ໄມໂຄຣນແລະ 0.5 ໄມຄອນໃນຄວາມສູງຂອງ 0.5 ໄມໂຄຣນໄດ້ຖືກສ້າງຂຶ້ນ. ອັນທີສອງ, ພື້ນຖານ chip ຂອງລູກປັດໂຄມໄຟ LED ມັກຈະໃຊ້ສາຍທັກສະພື້ນຖານຂອງ chip ມັກຈະໃຊ້ substrates sapphire, silicon carbide substrates, silicon substrate ໃນຕອນກາງຄືນສາມປີ, ເຊັ່ນດຽວກັນກັບ nitride, zinc oxide ແລະອື່ນໆພັດທະນາ. ຕອບສະຫນອງຄວາມຕ້ອງການສໍາລັບວັດສະດຸ substrate: invariability ເຄມີຂອງ substrate lumine bead ແລະຊັ້ນເຍື່ອ exterior ແມ່ນຈັບຄູ່. ອຸປະກອນການຍ່ອຍສະຫຼາຍຕ້ອງມີຄວາມປ່ຽນແປງທາງເຄມີທີ່ດີ. ການສະທ້ອນທາງເຄມີຂອງການປັບປຸງພັນເຍື່ອເຮັດໃຫ້ຄຸນນະພາບຂອງເຍື່ອຕັ້ງຢູ່ໃນດິນ; ໂຄມໄຟ LED substrate ກົງກັບຄ່າສໍາປະສິດການຂະຫຍາຍຕົວຄວາມຮ້ອນຂອງຊັ້ນເຍື່ອຕັ້ງ, ແລະຄ່າສໍາປະສິດການຂະຫຍາຍຕົວຄວາມຮ້ອນແມ່ນແຕກຕ່າງກັນ. ການທໍາລາຍອຸປະກອນຖືກທໍາລາຍ; ຮູບແບບຂອງໂຄມໄຟ LED ແລະຊັ້ນເຍື່ອພາຍນອກແມ່ນກົງກັນ. ໂຄມໄຟ LED ຂອງປະເທດຂອງຂ້ອຍທັກສະພື້ນຖານຊິລິໂຄນໄດ້ຮັບຄວາມເສຍຫາຍຈາກຄວາມກ້າວຫນ້າທາງດ້ານທັກສະ, ແລະພວກເຂົາກໍາລັງເຕີບໂຕເຖິງຄໍາຮ້ອງສະຫມັກຂອງຊັບສິນຂອງປີ - ທ້າຍ. ໃນປັດຈຸບັນ, ພຽງແຕ່ sapphires ແລະ substrates ຊິລິໂຄນທີ່ໄດ້ຖືກນໍາໃຊ້ສໍາລັບການຄ້າ GAN -based ໂຄມໄຟ LED beads ແມ່ນ. ວັດສະດຸຍ່ອຍອື່ນໆທີ່ສາມາດນໍາໃຊ້ໄດ້ສໍາລັບ GAN -based ໂຄມໄຟ LED beads ຖືກແຍກອອກຈາກຊັບສິນແລະ commensurate ກັບ substrates homogeneous GAN ແລະ substrates ZNO.