Тумачите технологију ЛЕД осветљења са нивоа чипа

Данас, са континуираним развојем технологије ЛЕД осветљења и све већим значајем за енергетску кризу у друштву, индустрија ЛЕД расвете је увела свеобухватан период експлозије, привлачећи многа средства и предузећа. Из перспективе развоја технологије ЛЕД осветљења, са три аспекта, један је ниво чипа, други ниво паковања, а други ниво примене. Ниво чипа се углавном фокусира на технологију ЛЕД; ниво пакета је углавном за претварање ЛЕД чипова у лампе или изворе светлости који се могу користити за осветљење; Развој и употреба, развој и унапређење технологије евалуације квалитета осветљења животне средине. На нивоу чипа, покретачка снага за развој ЛЕД технологије чипова је увек заснована на тежњи за високом ефикасношћу осветљења. Технологија инсталације је једна од главних технологија које тренутно добијају високоефикасне ЛЕД чипове велике снаге. Сафир у материјалу подлоге и техника ласерске облоге (ЛЛО) и нова кеихеред технологија вертикалне структуре која подржава вертикалне структуре ће и даље бити. Доминирати. Међутим, у блиској будућности, метална полупроводничка структура је усвојена да побољша контакт ома, побољша квалитет кристала, побољша брзину електронске миграције и ефикасност електричног убризгавања. Ефикасност, укупна ефикасност белог светла ЛЕД може да достигне 52%. Са унапређењем ЛЕД светлосних ефеката, с једне стране, чип је све мањи и мањи, а број чипова који се могу исећи на одређену величину је све већи, чиме се смањује цена једног чипа. С друге стране, ако је сада 3В, у будућности ће се развијати у 5В и 10В. Ово може смањити број чипова и смањити трошкове апликативног система на цену захтева за осветљењем. Укратко, обрнути метод, високи напон и нитрид на бази силицијума и даље ће бити правац развоја полупроводничког чипа за осветљење.