Жарықдиодты жарықтандыру технологиясын чип деңгейінен түсіндіріңіз

Бүгінгі күні жарықдиодты жарықтандыру технологиясының үздіксіз дамуы және қоғамдағы энергетикалық дағдарыстың маңыздылығы артып, жарықдиодты жарықтандыру саласы көптеген қорлар мен кәсіпорындарды тарта отырып, жан-жақты жарылыс кезеңін бастады. Жарықдиодты жарықтандыру технологиясының даму перспективасы бойынша, үш аспектіден бірі - чип деңгейі, екіншісі - қаптама деңгейі, екіншісі - қолдану деңгейі. Чип деңгейі негізінен LED технологиясына бағытталған; қаптама деңгейі негізінен жарықдиодты чиптерді жарықтандыру үшін қолданылатын шамдарға немесе жарық көздеріне түрлендіруге арналған; Қоршаған ортаны жарықтандыру сапасын бағалау технологиясын әзірлеу және пайдалану, әзірлеу және жетілдіру. Чип деңгейінде LED чип технологиясын дамытудың қозғаушы күші әрқашан жоғары жарықтандыру тиімділігіне ұмтылуға негізделген. Орнату технологиясы қазіргі уақытта жоғары тиімділіктегі жоғары қуатты жарықдиодты чиптерді алатын негізгі технологиялардың бірі болып табылады. Субстрат материалындағы сапфир және лазерлік төсеу техникасы (LLO) және тік құрылымдарды қолдайтын тік құрылымның жаңа кілттік технологиясы әлі де болады. Үстемдік ету. Дегенмен, жақын арада металл жартылай өткізгіш құрылымы Ом контактісін жақсарту, кристалдың сапасын жақсарту, электронды миграция жылдамдығын және электрлік инъекция тиімділігін жақсарту үшін қабылданады. Тиімділік, ақ жарық диодының жалпы тиімділігі 52% жетуі мүмкін. Жарықдиодты жарық эффектілерінің жетілдірілуімен, бір жағынан, чип кішірейіп барады, ал белгілі бір өлшемде кесуге болатын чиптердің саны барған сайын артып келеді, осылайша бір чиптің құнын төмендетеді. Екінші жағынан, егер ол қазір 3 Вт болса, ол болашақта 5 Вт және 10 Вт дамиды. Бұл чиптердің санын азайтуға және жарықтандыру талаптарының құны бойынша қолданбалы жүйенің құнын төмендетуге мүмкіндік береді. Қысқаша айтқанда, инверттелген әдіс, жоғары кернеу және кремний негізі нитриді әлі де жартылай өткізгіш жарықтандыру чипінің даму бағыты болады.