Интерпретация технологии светодиодного освещения на уровне микросхем

Сегодня, в связи с непрерывным развитием технологии светодиодного освещения и растущим значением энергетического кризиса в обществе, индустрия светодиодного освещения вступила в период всеобъемлющего взрыва, привлекая множество фондов и предприятий. С точки зрения развития технологии светодиодного освещения, с трех аспектов: один - это уровень микросхемы, другой - уровень упаковки, а третий - уровень приложения. Уровень чипа в основном фокусируется на технологии светодиодов; уровень упаковки в основном предназначен для преобразования светодиодных чипов в лампы или источники света, которые можно использовать для освещения; Разработка и использование, разработка и совершенствование технологии оценки качества экологического освещения. На уровне микросхем движущей силой развития технологии светодиодных микросхем всегда является стремление к высокой эффективности освещения. Технология монтажа является одной из основных технологий, позволяющих в настоящее время получать высокоэффективные светодиодные чипы большой мощности. Сапфир в материале подложки и методе лазерной футеровки (LLO) и новой ключевой технологии вертикальной структуры, поддерживающей вертикальные структуры, по-прежнему будут. Доминировать. Однако в ближайшем будущем структура металл-полупроводник будет принята для улучшения омического контакта, улучшения качества кристалла, повышения скорости электронной миграции и эффективности электрической инжекции. Эффективность, общая эффективность светодиодов белого света может достигать 52%. С улучшением светодиодных световых эффектов, с одной стороны, чип становится все меньше и меньше, а количество чипов, которые можно разрезать на определенный размер, все больше и больше, тем самым снижая стоимость одного чипа. С другой стороны, если сейчас он составляет 3 Вт, в будущем он будет развиваться до 5 Вт и 10 Вт. Это позволяет уменьшить количество микросхем и снизить стоимость прикладной системы на стоимость требований к освещению. Короче говоря, инвертированный метод, высокое напряжение и нитрид кремния по-прежнему будут направлением развития полупроводникового чипа освещения.