Interpretējiet LED apgaismojuma tehnoloģiju no mikroshēmas līmeņa

Mūsdienās, nepārtraukti attīstoties LED apgaismojuma tehnoloģijai un pieaugot enerģētikas krīzes nozīmei sabiedrībā, LED apgaismojuma nozare ir uzsākusi visaptverošu sprādziena periodu, piesaistot daudzus fondus un uzņēmumus. No LED apgaismojuma tehnoloģijas attīstības viedokļa no trim aspektiem viens ir mikroshēmas līmenis, otrs ir iepakojuma līmenis un otrs ir pielietojuma līmenis. Mikroshēmas līmenis galvenokārt koncentrējas uz LED tehnoloģiju; iepakojuma līmenis galvenokārt ir paredzēts, lai pārveidotu LED mikroshēmas lampās vai gaismas avotos, ko var izmantot apgaismošanai; Vides apgaismojuma kvalitātes novērtēšanas tehnoloģiju izstrāde un izmantošana, izstrāde un pilnveidošana. Mikroshēmu līmenī LED mikroshēmu tehnoloģijas attīstības virzītājspēks vienmēr ir balstīts uz tiekšanos pēc augstas apgaismojuma efektivitātes. Uzstādīšanas tehnoloģija ir viena no galvenajām tehnoloģijām, kas šobrīd iegūst augstas efektivitātes lieljaudas LED mikroshēmas. Joprojām būs safīrs substrāta materiālā un lāzera oderēšanas tehnika (LLO) un jaunā vertikālās konstrukcijas atslēgas tehnoloģija, kas atbalsta vertikālās struktūras. Dominē. Tomēr tuvākajā nākotnē tiks pieņemta metāla pusvadītāju struktūra, lai uzlabotu Ohm kontaktu, uzlabotu kristāla kvalitāti, uzlabotu elektroniskās migrācijas ātrumu un elektriskās iesmidzināšanas efektivitāti. Efektivitāte, baltās gaismas LED kopējā efektivitāte var sasniegt 52%. Uzlabojoties LED gaismas efektiem, no vienas puses, mikroshēma kļūst arvien mazāka un arvien mazāka, un arvien vairāk mikroshēmu, kuras var izgriezt noteiktā izmērā, kļūst arvien vairāk, tādējādi samazinot vienas mikroshēmas izmaksas. No otras puses, ja tas tagad ir 3W, tas nākotnē attīstīsies ar 5W un 10W. Tas var samazināt mikroshēmu skaitu un samazināt lietojumprogrammu sistēmas izmaksas par apgaismojuma prasībām. Īsāk sakot, apgrieztā metode, augstspriegums un silīcija bāzes nitrīds joprojām būs pusvadītāju apgaismojuma mikroshēmas attīstības virziens.